FET- und MOSFET-Arrays

Resultate : 296
Serie
-*
Verpackung
BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelTablett
Produktstatus
AktivNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-MOSFET (Metalloxid)Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanäle2 P-Kanal (zweifach)2 P-KanäleN-Kanal (zweifach), asymmetrisch-N- und P-Kanal
FET-Merkmal
-Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V20V20V, 12V30V30V, 20V35V40V45V50V60V80V100V250V500V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100mA100mA, 200mA200mA200mA (Ta)250mA250mA (Ta)300mA500mA (Ta)1 A (Ta)1A1,3A1,4 A, 1 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,4mOhm bei 32A, 10V4,6mOhm bei 20A, 10V5mOhm bei 14A, 10V8mOhm bei 16A, 10V8,4mOhm bei 13,5A, 10V8,8mOhm bei 15A, 10V, 3mOhm bei 26A, 10V9,3mOhm bei 15A, 10V9,6mOhm bei 18A, 10V, 17,9mOhm bei 15A, 10V11,5mOhm bei 13,5A, 10V12,4mOhm bei 10,5A, 10V14,6mOhm bei 10A, 10V, 11,8mOhm bei 11A, 10V15,3mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
800mV bei 1mA1V bei 100µA1V bei 1mA1,2V bei 1mA1,5V bei 100µA1,5V bei 1mA1,5V bei 1mA, 2V bei 1mA2V bei 1mA2,3V bei 1mA2,5V bei 10mA2,5V bei 10µA2,5V bei 10µA, 3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,9nC bei 4,5V1,4nC bei 4,5V1,6nC bei 4,5V1,7nC bei 5V1,8nC bei 4,5V1,9nC bei 5V2nC bei 5V2,1nC bei 10V2,1nC bei 4,5V2,2nC bei 4,5V2,2nC bei 4,5V, 2,1nC bei 4,5V2,4nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7,1pF bei 10V13pF bei 5V15pF bei 10V15pF bei 25V23,5pF bei 25V25pF bei 10V26pF bei 10V30pF bei 10V70pF bei 10V77pF bei 10V80pF bei 10V80pF bei 10V, 150pF bei 10V
Leistung - Max.
120mW150mW300mW320mW550mW600mW650mW900mW (Tc)910mW (Ta)950mW (Ta)1W1,1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C (TJ)-
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101
Montagetyp
ChassisbefestigungOberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-PowerUDFN6-SMD (5 Leitungen), flache Anschlüsse6-SMD, flache Anschlüsse6-TSSOP, SC-88, SOT-3638-PowerTDFN8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD, flache Anschlüsse8-SMD, Knickflügel8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-UDFN mit freiliegendem PadModul
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-HSMT (3,2x3)8-HSOP8-SOP8-SOP (5,0x6,0)8-TSSTDFN2020-8DDFN3333-9DCEMT5EMT6HSML3030L10HUML2020L8Modul
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
749.826
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05333 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
349.193
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05451 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
102.893
Vorrätig
1 : 0,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,07231 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6K4TR
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Rohm Semiconductor
7.192
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,21205 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
1,5A
180mOhm bei 1,5A, 4,5V
1V bei 1mA
2,5nC bei 4,5V
110pF bei 10V
1W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-SMD, flache Anschlüsse
TUMT6
UMT6
UM6K31NTN
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Rohm Semiconductor
125.648
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06994 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 2,5V
60V
250mA
2,4Ohm bei 250mA, 10V
2,3V bei 1mA
-
15pF bei 25V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K31GT2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Rohm Semiconductor
33.828
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,08476 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 2,5V
60V
250mA
2,4Ohm bei 250mA, 10V
2,3V bei 1mA
-
15pF bei 25V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6M2T2R
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
110.672
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,13405 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
200mA
1Ohm bei 200mA, 4V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
UM6K1NTN
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6
Rohm Semiconductor
229.264
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06755 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
100mA
8Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
13pF bei 5V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6K1FRATR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Rohm Semiconductor
12.852
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17718 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 2,5V
30V
1 A (Ta)
238mOhm bei 1A, 4,5V
1,5V bei 1mA
2,4nC bei 4,5V
77pF bei 10V
900mW (Tc)
150°C
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSMT6 (SC-95)
EMT6_EMT6 PKg
EM6K7T2CR
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
8.192
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,11867 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
20V
200mA (Ta)
1,2Ohm bei 200mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
UT6JE5TCR
UT6MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Rohm Semiconductor
31.623
Vorrätig
Für dieses Produkt gilt eine maximale Einkaufsmenge
1 : 0,41000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16552 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
-
30V
4 A (Ta)
46mOhm bei 4A, 10V, 70mOhm bei 4A, 10V
2,5V bei 1mA
4,3nC bei 10V, 6,7nC bei 10V
180pF bei 15V, 305pF bei 15V
2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-PowerUDFN
HUML2020L8
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Rohm Semiconductor
13.432
Vorrätig
1 : 0,42000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16902 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V, 12V
1,5 A, 1,3 A
180mOhm bei 1,5A, 4,5V
1V bei 1mA
1,8nC bei 4,5V
110pF bei 10V
1W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-SMD, flache Anschlüsse
TUMT6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Rohm Semiconductor
93.763
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,19932 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
-
30V, 20V
1,5A, 1A
240mOhm bei 1,5A, 4,5V
1,5V bei 1mA
2,2nC bei 4,5V
80pF bei 10V
1W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-SMD, flache Anschlüsse
TUMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K1T2R
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Rohm Semiconductor
25.864
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,13581 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
100mA
8Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
13pF bei 5V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Rohm Semiconductor
7.621
Vorrätig
1 : 0,45000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,11585 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
300mA
1Ohm bei 300mA, 4V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Rohm Semiconductor
24.734
Vorrätig
1 : 0,47000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,14768 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
250mA
2,4Ohm bei 250mA, 10V
2,3V bei 1mA
-
15pF bei 25V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K7T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
14.081
Vorrätig
1 : 0,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,12573 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
200mA
1,2Ohm bei 200mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSST8
TT8M1TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Rohm Semiconductor
9.184
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16670 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
2,5A
72mOhm bei 2,5A, 4,5V
1V bei 1mA
3,6nC bei 4,5V
260pF bei 10V
1W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SMD, flache Anschlüsse
8-TSST
TSMT5 Pkg
QS5K2TR
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Rohm Semiconductor
152.378
Vorrätig
1 : 0,53000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,20131 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin
Logikpegel-Gate
30V
2A
100mOhm bei 2A, 4,5V
1,5V bei 1mA
3,9nC bei 4,5V
175pF bei 10V
1,25W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-5 dünn, TSOT-23-5
TSMT5
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6M4TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
9.519
Vorrätig
1 : 0,54000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,20400 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
30V, 20V
1,5A
230mOhm bei 1,5A, 4,5V
1,5V bei 1mA
1,6nC bei 4,5V
80pF bei 10V
1,25W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSMT6 (SC-95)
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6K21TR
MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Rohm Semiconductor
6.836
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,21205 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
45V
1A
-
1,5V bei 1mA
-
-
1,25W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSMT6 (SC-95)
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Rohm Semiconductor
5.580
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,21339 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
12V
2A
105mOhm bei 2A, 4,5V
1V bei 1mA
6,5nC bei 4,5V
770pF bei 6V
600mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSMT6 (SC-95)
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6J1TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
5.847
Vorrätig
1 : 0,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,21474 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
1,5A
215mOhm bei 1,5A, 4,5V
2V bei 1mA
3nC bei 4,5V
270pF bei 10V
1,25W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSMT6 (SC-95)
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Rohm Semiconductor
9.875
Vorrätig
1 : 0,62000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,23218 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
1A
238mOhm bei 1A, 4,5V
1,5V bei 1mA
2,4nC bei 4,5V
77pF bei 10V
1,25W
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSMT6 (SC-95)
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6K21FRATR
MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Rohm Semiconductor
9.298
Vorrätig
1 : 0,62000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,23487 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
45V
1 A (Ta)
420mOhm bei 1A, 4,5V
1,5V bei 1mA
2,1nC bei 4,5V
95pF bei 10V
950mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSMT6 (SC-95)
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FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.