FET- und MOSFET-Arrays

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Konfiguration	FET-Merkmal	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
AOND62930 MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	3.000 : 0,42492 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	AlphaSGT™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	100V	4,5A (Ta), 7A (Tc)	68mOhm bei 5A, 10V	2,8V bei 250µA	12nC bei 10V	415pF bei 50V	3,5W (Ta), 7,3W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-PowerSMD, flache Anschlüsse	8-DFN (5x6)
AONZ66412 MOSFET 2N-CH 40V 32A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	3.000 : 0,75790 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	AlphaSGT™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N-Kanal (zweifach), asymmetrisch	-	40V	32A (Ta), 182A (Tc)	2,4mOhm bei 20A, 10V	2,3V bei 250µA	56nC bei 10V	3100pF bei 20V	5W (Ta), 147W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-PowerWDFN	8-DFN-EP (5x6)
AOMU66414Q MOSFET 2N-CH 40V 40A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 Vorrätig	5.000 : 1,23160 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	AlphaSGT™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	40V	40A (Ta), 85A (Tc)	2,3mOhm bei 20A, 10V	2,4V bei 250µA	60nC bei 10V	3350pF bei 20V	6,2W (Ta), 68W (Tc), 6,2W (Ta), 65W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN	8-DFN (8x5)

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Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.