ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	99.802 Vorrätig	1 : 0,10000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02007 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3Ohm bei 500mA, 10V	1,6V bei 250µA	-	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS2302 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	11.272 Vorrätig	1 : 0,10000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,01880 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	55mOhm bei 3A, 4,5V	1,25V bei 250µA	3.81 nC @ 4.5 V	±10V	220 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002EY N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	59.977 Vorrätig	1 : 0,11000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02166 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	340mA (Ta)	4,5V, 10V	5Ohm bei 300mA, 10V	2,5V bei 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	18 pF @ 30 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	51.000 Vorrätig	1 : 0,11000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02131 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	5Ohm bei 200mA, 10V	2,5V bei 250µA	1.8 nC @ 10 V	±20V	14 pF @ 50 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	95.985 Vorrätig	1 : 0,14000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02759 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	4,5V, 10V	8Ohm bei 150mA, 10V	2,5V bei 250µA	-	±20V	30 pF @ 30 V	-	225mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS2324 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	70.767 Vorrätig	1 : 0,16000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03194 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	2 A (Ta)	4,5V, 10V	280mOhm bei 2A, 10V	3V bei 250µA	5.3 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 50 V	-	1,2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS2312 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	66.703 Vorrätig	1 : 0,19000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03948 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	18mOhm bei 6,8A, 4,5V	1V bei 250µA	11.05 nC @ 4.5 V	±10V	888 pF @ 10 V	-	1,2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS3401 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	26.610 Vorrätig	1 : 0,19000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04008 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	4,4 A (Ta)	2,5V, 10V	55mOhm bei 4,4A, 10V	1,4V bei 250µA	7.2 nC @ 10 V	±12V	680 pF @ 15 V	-	1,2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS3400 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	5.180 Vorrätig	1 : 0,19000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04008 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	5,6 A (Ta)	2,5V, 10V	27mOhm bei 5,6A, 10V	1,5V bei 250µA	4.8 nC @ 4.5 V	±12V	535 pF @ 15 V	-	1,2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS6004 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	7.710 Vorrätig	1 : 0,41000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09222 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	4 A (Ta)	4,5V, 10V	120mOhm bei 4A, 10V	3V bei 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	930 pF @ 30 V	-	1,5W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3L	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS1M025120P N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	118 Vorrätig	1 : 31,05000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	90 A (Tc)	20V	34mOhm bei 50A, 20V	4V bei 15mA	195 nC @ 20 V	+25V, -10V	3600 pF @ 1000 V	-	463W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
ASZM040120T N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	37 Vorrätig	1 : 5,11000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	68 A (Tc)	18V, 20V	32mOhm bei 40A, 20V	3,6V bis 9,5mA	87 nC @ 18 V	+25V, -10V	2820 pF @ 1000 V	-	340W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4
AS2M040120P N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	49 Vorrätig	1 : 19,15000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	60 A (Tc)	20V	55mOhm bei 40A, 20V	4V bei 10mA	142 nC @ 20 V	+25V, -10V	2946 pF @ 1000 V	-	330W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
AS1M025120T N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	13 Vorrätig	1 : 31,07000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	65 A (Tc)	20V	34mOhm bei 50A, 20V	4V bei 15mA	195 nC @ 20 V	+25V, -10V	4200 pF @ 1000 V	-	370W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4
AS1M080120P N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : 11,36000 € Stange	-		Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	36 A (Tc)	20V	98mOhm bei 20A, 20V	4V bei 5mA	79 nC @ 20 V	+25V, -10V	1475 pF @ 1000 V	-	192W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
AS1M040120T N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	0 Vorrätig	1 : 19,17000 € Stange	-		Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	60 A (Tc)	20V	55mOhm bei 40A, 20V	4V bei 10mA	142 nC @ 20 V	+25V, -10V	2946 pF @ 1000 V	-	330W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-4	TO-247-4

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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