ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Einzelne FETs, MOSFETs

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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
2N7002E
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
72.840
Vorrätig
1 : 0,11000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02256 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5Ohm bei 300mA, 10V
2,5V bei 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
43.260
Vorrätig
1 : 0,11000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02220 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5Ohm bei 200mA, 10V
2,5V bei 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
104.987
Vorrätig
1 : 0,13000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02561 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
220mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm bei 500mA, 10V
1,6V bei 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
106.873
Vorrätig
1 : 0,15000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02874 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
4,5V, 10V
8Ohm bei 150mA, 10V
2,5V bei 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS2302
AS2302
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
11.169
Vorrätig
1 : 0,15000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02874 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
55mOhm bei 3A, 4,5V
1,25V bei 250µA
3.81 nC @ 4.5 V
±10V
220 pF @ 10 V
-
700mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS2324
AS2324
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
17.839
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04174 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
2 A (Ta)
4,5V, 10V
280mOhm bei 2A, 10V
3V bei 250µA
5.3 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 50 V
-
1,2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS3401
AS3401
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
13.427
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04174 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
4,4 A (Ta)
2,5V, 10V
55mOhm bei 4,4A, 10V
1,4V bei 250µA
7.2 nC @ 10 V
±12V
680 pF @ 15 V
-
1,2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS2312
AS2312
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
10.831
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04112 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
6,8 A (Ta)
1,8V, 4,5V
18mOhm bei 6,8A, 4,5V
1V bei 250µA
11.05 nC @ 4.5 V
±10V
888 pF @ 10 V
-
1,2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS3400
AS3400
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
5.631
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
-
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
5,6 A (Ta)
2,5V, 10V
27mOhm bei 5,6A, 10V
1,5V bei 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
535 pF @ 15 V
-
1,2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS6004
AS6004
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
7.820
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09605 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
4 A (Ta)
4,5V, 10V
120mOhm bei 4A, 10V
3V bei 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
930 pF @ 30 V
-
1,5W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3L
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AS1M025120P
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
124
Vorrätig
1 : 27,49000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
90 A (Tc)
20V
34mOhm bei 50A, 20V
4V bei 15mA
195 nC @ 20 V
+25V, -10V
3600 pF @ 1000 V
-
463W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
TO-247-3
ASZM040120T
ASZM040120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
17
Vorrätig
1 : 9,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
-
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
N-Kanal
SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
1200 V
68 A (Tc)
18V, 20V
32mOhm bei 40A, 20V
3,6V bis 9,5mA
87 nC @ 18 V
+25V, -10V
2820 pF @ 1000 V
-
340W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-4
TO-247-4
AS1M080120P
AS1M080120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
34
Vorrätig
1 : 11,83000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
36 A (Tc)
20V
98mOhm bei 20A, 20V
4V bei 5mA
79 nC @ 20 V
+25V, -10V
1475 pF @ 1000 V
-
192W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
TO-247-3
AS2M040120P
AS2M040120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
50
Vorrätig
1 : 19,95000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
60 A (Tc)
20V
55mOhm bei 40A, 20V
4V bei 10mA
142 nC @ 20 V
+25V, -10V
2946 pF @ 1000 V
-
330W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
TO-247-3
AS1M025120T
AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
13
Vorrätig
1 : 32,36000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
65 A (Tc)
20V
34mOhm bei 50A, 20V
4V bei 15mA
195 nC @ 20 V
+25V, -10V
4200 pF @ 1000 V
-
370W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-4
TO-247-4
AS1M040120T
AS1M040120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
1
Vorrätig
1 : 19,97000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
60 A (Tc)
20V
55mOhm bei 40A, 20V
4V bei 10mA
142 nC @ 20 V
+25V, -10V
2946 pF @ 1000 V
-
330W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-4
TO-247-4
Angezeigt werden
von 16

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.