8,8 A (Ta), 41 A (Tc) Einzelne FETs, MOSFETs

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FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
I-PAK
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
onsemi
0
Vorrätig
19.225
Marktplatz
1.069 : 0,23977 €
Stange
-
Stange
Stange
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
8,8 A (Ta), 41 A (Tc)
4,5V, 10V
8mOhm bei 30A, 10V
2,2V bei 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1314 pF @ 15 V
-
1,37W (Ta), 29,4W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
IPAK
TO-251-3 mit Stummelpins, IPAK
MJD44H11-1G
NTD4909N-1G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
onsemi
0
Vorrätig
6.000
Marktplatz
75 : 0,28840 €
Stange
1.069 : 0,23977 €
Stange
-
Stange
Stange
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
8,8 A (Ta), 41 A (Tc)
4,5V, 10V
8mOhm bei 30A, 10V
2,2V bei 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1314 pF @ 15 V
-
1,37W (Ta), 29,4W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
IPAK
TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
I-PAK
NTD4909NA-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
onsemi
0
Vorrätig
23.773
Marktplatz
75 : 0,40000 €
Stange
751 : 0,34252 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Stange
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
8,8 A (Ta), 41 A (Tc)
-
8mOhm bei 30A, 10V
2,2V bei 250µA
17.5 nC @ 10 V
-
1314 pF @ 15 V
-
-
-
-
-
Durchkontaktierung
IPAK
TO-251-3 mit Stummelpins, IPAK
TO-252-3
NTD4909NT4G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK
onsemi
0
Vorrätig
14.145
Marktplatz
Aktiv
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
8,8 A (Ta), 41 A (Tc)
4,5V, 10V
8mOhm bei 30A, 10V
2,2V bei 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1314 pF @ 15 V
-
1,37W (Ta), 29,4W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-3
NTD4909NAT4G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK
onsemi
0
Vorrätig
Obsolet
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
8,8 A (Ta), 41 A (Tc)
-
8mOhm bei 30A, 10V
2,2V bei 250µA
17.5 nC @ 10 V
-
1314 pF @ 15 V
-
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-
-
-
Oberflächenmontage
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

  • Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
  • Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

  1. Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
  2. Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
  3. Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.