32 A (Ta), 100 A (Tc) Einzelne FETs, MOSFETs

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FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
8-Power TDFN
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Infineon Technologies
5.149
Vorrätig
1 : 1,85000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,43950 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
32 A (Ta), 100 A (Tc)
4,5V, 10V
1,4mOhm bei 50A, 10V
2V bei 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 96W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SuperSO8
8-PowerTDFN
CSD17559Q5T
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
2.910
Vorrätig
7.687
Marktplatz
1 : 2,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,69877 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
192 : 1,33583 €
Lose im Beutel
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
32 A (Ta), 100 A (Tc)
3V, 8V
2mOhm bei 30A, 8V
1,6V bei 250µA
31 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
4280 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSON-CLIP (5x6)
8-PowerTDFN
IRFH3707TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Infineon Technologies
557
Vorrätig
1 : 1,67000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,38740 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
32 A (Ta), 100 A (Tc)
4,5V, 10V
2,1mOhm bei 50A, 10V
2,35V bei 100µA
76 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 15 V
-
3,6W (Ta), 100W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PQFN (5 x 6) Einzelguss
8-PowerVDFN
CSD17559Q5T
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
4.448
Vorrätig
1 : 2,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,62448 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
32 A (Ta), 100 A (Tc)
3V, 8V
2,4mOhm bei 25A, 8V
1,6V bei 250µA
23 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
3420 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSON-CLIP (5x6)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
Vorrätig
8.554
Marktplatz
5.000 : 0,59631 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
254 : 1,01043 €
Lose im Beutel
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
32 A (Ta), 100 A (Tc)
4,5V, 10V
1,6mOhm bei 30A, 10V
2,2V bei 250µA
131 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta), 125W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TEXTISCSD86336Q3DT
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
Texas Instruments
1.490
Marktplatz
218 : 1,18170 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
32 A (Ta), 100 A (Tc)
3V, 8V
2,4mOhm bei 25A, 8V
1,6V bei 250µA
23 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
3420 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSON-CLIP (5x6)
8-PowerTDFN
Angezeigt werden
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FETs, MOSFETs


Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

  • Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
  • Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

  1. Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
  2. Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
  3. Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.