3,5 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
SSM3K361R,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	38.774 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12942 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	69mOhm bei 2A, 10V	2,5V bei 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1,2W (Ta)	175°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
DMN2058UW-7 MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 Diodes Incorporated	73.664 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05247 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,5 A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm bei 3A, 10V	1,2V bei 250µA	7.7 nC @ 10 V	±12V	281 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
CSD23382F4 MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	72.065 Vorrätig	1 : 0,37000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08045 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	FemtoFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	3,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	76mOhm bei 500mA, 4,5V	1,1V bei 250µA	1.35 nC @ 6 V	±8V	235 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	3-PICOSTAR	3-XFDFN
SSM6K361NU,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	11.680 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13565 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	69mOhm bei 2A, 10V	2,5V bei 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1,25W (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	6-UDFNB (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
SSM3K361R,LXHF AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	2.284 Vorrätig	1 : 0,87000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,20579 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	69mOhm bei 2A, 10V	2,5V bei 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1,2W (Ta)	175°C	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
FDS9431A MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC onsemi	2.372 Vorrätig	1 : 1,01000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,25870 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	130mOhm bei 3,5A, 4,5V	1V bei 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SI4488DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO Vishay Siliconix	7.426 Vorrätig	1 : 2,70000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,91768 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	3,5 A (Ta)	10V	50mOhm bei 5A, 10V	2V bei 250µA (Min)	36 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,56W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
NTGS4141NT1G MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP onsemi	12.956 Vorrätig	1 : 0,27000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13479 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	25mOhm bei 7A, 10V	3V bei 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	560 pF @ 24 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSOP	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
DMN2058UW-13 MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R Diodes Incorporated	13.146 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,04460 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,5 A (Ta)	1,8V, 10V	42mOhm bei 3A, 10V	1,2V bei 250µA	7.7 nC @ 10 V	±12V	281 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
SSM3J351R,LF MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	41.689 Vorrätig	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10396 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3,5 A (Ta)	4V, 10V	134mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
AO3419 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	148.711 Vorrätig	1 : 0,36000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07908 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,5 A (Ta)	1,8V, 10V	85mOhm bei 3,5A, 10V	1,4V bei 250µA	4.4 nC @ 4.5 V	±12V	400 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
DMP3130LQ-7 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 Diodes Incorporated	26.169 Vorrätig 51.000 Fabrik	1 : 0,46000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10520 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,5 A (Ta)	2,5V, 10V	77mOhm bei 4,2A, 10V	1,3V bei 250µA	24 nC @ 10 V	±12V	864 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RQ5E035ATTCL MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 Rohm Semiconductor	68.742 Vorrätig	1 : 0,47000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09341 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	50mOhm bei 3,5A, 10V	2,5V bei 1mA	10 nC @ 10 V	±20V	475 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT3	SC-96
DMP3130L-7 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Diodes Incorporated	22.507 Vorrätig	1 : 0,49000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10816 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,5 A (Ta)	2,5V, 10V	77mOhm bei 4,2A, 10V	1,3V bei 250µA	12 nC @ 10 V	±12V	432 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K361TU,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	11.854 Vorrätig	1 : 0,60000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14022 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	69mOhm bei 2A, 10V	2,5V bei 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	175°C	-	-	Oberflächenmontage	UFM	3-SMD, flache Anschlüsse
RQ5C035BCTCL MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3 Rohm Semiconductor	17.548 Vorrätig	1 : 0,62000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13127 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,5 A (Ta)	4,5V	59mOhm bei 3,5A, 4,5V	1,2V bei 1mA	6.5 nC @ 4.5 V	±8V	460 pF @ 10 V	-	1W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT3	SC-96
SSM3J351R,LXHF AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	32.959 Vorrätig	1 : 0,70000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,18441 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3,5 A (Ta)	4V, 10V	134mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
TSM2306CX RFG MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23 Taiwan Semiconductor Corporation	55.076 Vorrätig	1 : 0,81000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,20047 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	57mOhm bei 3,5A, 10V	3V bei 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±20V	555 pF @ 15 V	-	1,25W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI4488DY-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO Vishay Siliconix	5.795 Vorrätig	1 : 1,12000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,91768 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	3,5 A (Ta)	10V	50mOhm bei 5A, 10V	2V bei 250µA (Min)	36 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,56W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RQ6L035ATTCR PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ Rohm Semiconductor	1.360 Vorrätig	1 : 1,13000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,29411 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	78mOhm bei 3,5A, 10V	2,5V bei 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	1190 pF @ 30 V	-	950mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT6 (SC-95)	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
DMP2110UQ-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	1.645 Vorrätig	1 : 0,32000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06648 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	80mOhm bei 2,8A, 4,5V	1V bei 250µA	6 nC @ 4.5 V	±10V	443 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RQ5E035BNTCL MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3 Rohm Semiconductor	6.208 Vorrätig	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07242 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	37mOhm bei 3,5A, 10V	2,5V bei 1mA	6 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT3	SC-96
DMP2110U-7 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 Diodes Incorporated	3.936 Vorrätig 180.000 Fabrik	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07298 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	80mOhm bei 2,8A, 4,5V	1V bei 250µA	6 nC @ 4.5 V	±10V	443 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD23382F4T MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	780 Vorrätig 1.604 Marktplatz	1 : 0,51000 € Gurtabschnitt (CT) 250 : 0,35912 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 542 : 0,47151 € Lose im Beutel	FemtoFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® Lose im Beutel	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	3,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	76mOhm bei 500mA, 4,5V	1,1V bei 250µA	1.35 nC @ 4.5 V	±8V	235 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD13306W MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Texas Instruments	2.682 Vorrätig	1 : 0,53000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15375 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	3,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	10,2mOhm bei 1,5A, 4,5V	1,3V bei 250µA	11.2 nC @ 4.5 V	±10V	1370 pF @ 6 V	-	1,9W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-DSBGA (1x1,5)	6-UFBGA, DSBGA

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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