3,3 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	138.786 Vorrätig	1 : 0,32000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06437 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 10V	72mOhm bei 4,2A, 10V	1,3V bei 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP4047LFDE-7 MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN Diodes Incorporated	8.899 Vorrätig 1.857.000 Fabrik	1 : 0,54000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14346 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	33mOhm bei 4,4A, 10V	2,2V bei 250µA	23.2 nC @ 10 V	±20V	1382 pF @ 20 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	U-DFN2020-6 (Typ E)	6-PowerUDFN
DMP3165LQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	2.334 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07405 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mOhm bei 2,7A, 10V	2,1V bei 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3165L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R Diodes Incorporated	1.728 Vorrätig 264.000 Fabrik	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07405 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mOhm bei 2,7A, 10V	2,1V bei 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDMA86151L MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET onsemi	9.840 Vorrätig 57.000 Fabrik	1 : 1,07000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,39485 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	88mOhm bei 3,3A, 10V	3V bei 250µA	7.3 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 50 V	-	2,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-MicroFET (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
DMN2100UDM-7 MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 Diodes Incorporated	4.280 Vorrätig 54.000 Fabrik	1 : 0,52000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12874 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	55mOhm bei 6A, 4,5V	1V bei 250µA	-	±8V	555 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-26	SOT-23-6
SI2301DS-EV P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F EVVO	2.355 Vorrätig	1 : 0,17000 € Gurtabschnitt (CT)	-	Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	70mOhm bei 3A, 4,5V	1V bei 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±12V	503 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTHS4111PT1G MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET onsemi	0 Vorrätig 2.177 Marktplatz	3.000 : 0,34361 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1.214 : 0,21895 € Lose im Beutel	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Lose im Beutel	Obsolet	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	45mOhm bei 4,4A, 10V	3V bei 250µA	28 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 24 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	ChipFET™	8-SMD, flache Anschlüsse
NTMD4884NFR2G MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC onsemi	0 Vorrätig 43.322 Marktplatz	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	48mOhm bei 4A, 10V	2,5V bei 250µA	4.2 nC @ 4.5 V	±20V	360 pF @ 15 V	Schottky-Diode (isoliert)	770mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
NTMS4N01R2G MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC onsemi	0 Vorrätig 4.168 Marktplatz	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	40mOhm bei 4,2A, 4,5V	1,2V bei 250µA	16 nC @ 4.5 V	±10V	1200 pF @ 10 V	-	770mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FDFMA3P029Z MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET Fairchild Semiconductor	2.319 Marktplatz	910 : 0,28901 € Lose im Beutel	PowerTrench®	Lose im Beutel	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	-	87mOhm bei 3,3A, 10V	3V bei 250µA	10 nC @ 10 V	-	435 pF @ 15 V	Schottky-Diode (isoliert)	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-MLP (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
GSFR0603 MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60 Good-Ark Semiconductor	12.292 Vorrätig	1 : 0,44000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09625 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	96mOhm bei 2A, 10V	2,5V bei 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	1080 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6L	SOT-23-6
FDFS2P102 MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC Fairchild Semiconductor	14.802 Marktplatz	533 : 0,49045 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mOhm bei 3,3A, 10V	2V bei 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 10 V	Schottky-Diode (isoliert)	900mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SI4447DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO Vishay Siliconix	3.545 Vorrätig	1 : 1,06000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,27531 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Obsolet	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	3,3 A (Ta)	5V, 10V	72mOhm bei 4,5A, 15V	2,2V bei 250µA	14 nC @ 4.5 V	±16V	805 pF @ 20 V	-	1,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FDFS2P102A MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC Fairchild Semiconductor	185.654 Marktplatz	228 : 1,15605 € Lose im Beutel	PowerTrench®	Lose im Beutel	Obsolet	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mOhm bei 3,3A, 10V	3V bei 250µA	3 nC @ 5 V	±20V	182 pF @ 10 V	Schottky-Diode (isoliert)	900mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FDFMA3P029Z MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET onsemi	15.000 Marktplatz	Nicht verfügbar Nicht in der gewählten Währung verfügbar.	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	-	87mOhm bei 3,3A, 10V	3V bei 250µA	10 nC @ 10 V	-	435 pF @ 15 V	Schottky-Diode (isoliert)	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-MLP (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
SI8472DB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Vishay Siliconix	277 Vorrätig	1 : 0,28000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14382 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	44mOhm bei 1,5A, 4,5V	900mV bei 250µA	18 nC @ 8 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	780mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	4-MICRO FOOT® (1x1)	4-UFBGA
SI4447DY-T1-E3 MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO Vishay Siliconix	58 Vorrätig	1 : 1,06000 € Gurtabschnitt (CT)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Obsolet	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	3,3 A (Ta)	5V, 10V	72mOhm bei 4,5A, 15V	2,2V bei 250µA	14 nC @ 4.5 V	±16V	805 pF @ 20 V	-	1,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
NTJS4151PT1G MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6 onsemi	0 Vorrätig 6.088 Marktplatz Informationen zur Lieferzeit	1 : 0,37000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10207 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® Lose im Beutel	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	60mOhm bei 3,3A, 4,5V	1,2V bei 250µA	10 nC @ 4.5 V	±12V	850 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SC-88/SC70-6/SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DMN2044UCB4-7 MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 Diodes Incorporated	0 Vorrätig 45.000 Fabrik Informationen zur Lieferzeit	1 : 0,76000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,17810 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	40mOhm bei 1,5A, 4,5V	900mV bei 250µA	47 nC @ 8 V	±8V	1400 pF @ 10 V	-	720mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	U-WLB1010-4	4-UFBGA, WLBGA
DMP3165L-13 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R Diodes Incorporated	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,05518 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mOhm bei 2,7A, 10V	2,1V bei 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3068L-13 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	10.000 : 0,05242 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 10V	72mOhm bei 4,2A, 10V	1,3V bei 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3165LQ-13 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	0 Vorrätig 60.000 Fabrik Informationen zur Lieferzeit	10.000 : 0,06136 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mOhm bei 2,7A, 10V	2,1V bei 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJL9452A_R2_00001 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Panjit International Inc.	0 Vorrätig	2.500 : 0,16301 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	115mOhm bei 3,3A, 10V	2,5V bei 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1413 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SI2301ADS-EV P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F EVVO	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	Aktiv	-		Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	70mOhm bei 3A, 4,5V	1V bei 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±12V	503 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.

3,3 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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