3,3 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 32
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorNXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationVishay Siliconix
Serie
-PowerTrench®TrenchFET®
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im Beutel
Produktstatus
AktivNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
N-KanalP-Kanal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V100 V
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0,9V, 4,5V1,5V, 4,5V1,8V, 10V1,8V, 4,5V2,5V, 10V2,5V, 4,5V4,5V, 10V15V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
32mOhm bei 3,3A, 4,5V33mOhm bei 4,4A, 10V40mOhm bei 1,5A, 4,5V40mOhm bei 4,2A, 4,5V44mOhm bei 1,5A, 4,5V45mOhm bei 4,4A, 10V48mOhm bei 4A, 10V50mOhm bei 3,3A, 4,5V55mOhm bei 6A, 4,5V60mOhm bei 3,3A, 4,5V68mOhm bei 1,6A, 10V71mOhm bei 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
650mV bei 250µA900mV bei 250µA1V bei 250µA1V bei 270µA1,2V bei 250µA1,3V bei 250µA1,4V bei 250µA2V bei 250µA2,1V bei 250µA2,2V bei 250µA2,5V bei 250µA3V bei 250µA-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2 nC @ 10 V3 nC @ 5 V4.2 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V6.1 nC @ 10 V7.3 nC @ 4.5 V7.3 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V9 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-6V±8V+10V, -20V±10V±12V±16V±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
182 pF @ 10 V241 pF @ 20 V270 pF @ 10 V300 pF @ 10 V350 pF @ 6 V353 pF @ 15 V360 pF @ 15 V435 pF @ 15 V450 pF @ 50 V470 pF @ 10 V540 pF @ 10 V555 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Schottky-Diode (isoliert)
Verlustleistung (max.)
380mW (Ta)700mW (Ta)720mW770mW (Ta)780mW (Ta)800mW (Ta)820mW (Ta)900mW (Ta)1W (Ta)1,1W (Ta)1,25W (Ta)1,4W (Ta)2W (Ta)2,4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)150°C (TJ)
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-MPAK4-MICRO FOOT® (1x1)6-MicroFET (2x2)6-MLP (2x2)6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOPChipFET™SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-23SOT-23 (TO-236AB)SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle
4-UFBGA4-UFBGA, WLBGA6-PowerUDFN6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-WDFN mit freiliegendem Pad8-SMD, flache Anschlüsse8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)SC-74, SOT-457SOT-23-6TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
168.527
Vorrätig
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07018 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
1,8V, 10V
72mOhm bei 4,2A, 10V
1,3V bei 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
53.251
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16614 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
33mOhm bei 4,4A, 10V
2,2V bei 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1382 pF @ 20 V
-
700mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
U-DFN2020-6 (Typ E)
6-PowerUDFN
SOT-363
NTJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
onsemi
22.726
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09733 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
1,8V, 4,5V
60mOhm bei 3,3A, 4,5V
1,2V bei 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
850 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI8410DB-T2-E1
SI8472DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Vishay Siliconix
11.183
Vorrätig
1 : 0,50000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16779 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
1,5V, 4,5V
44mOhm bei 1,5A, 4,5V
900mV bei 250µA
18 nC @ 8 V
±8V
630 pF @ 10 V
-
780mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
4-MICRO FOOT® (1x1)
4-UFBGA
MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
DMN2044UCB4-7
MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
2.758
Vorrätig
39.000
Fabrik
1 : 0,54000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,18251 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
1,5V, 4,5V
40mOhm bei 1,5A, 4,5V
900mV bei 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
1400 pF @ 10 V
-
720mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
U-WLB1010-4
4-UFBGA, WLBGA
8-SOIC
SI4447DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Vishay Siliconix
4.930
Vorrätig
1 : 0,74000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,27903 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nur verfügbar bis
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3,3 A (Ta)
15V, 10V
72mOhm bei 4,5A, 15V
2,2V bei 250µA
14 nC @ 4.5 V
±16V
805 pF @ 20 V
-
1,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
SI4447DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Vishay Siliconix
7.375
Vorrätig
1 : 0,74000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,27903 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nur verfügbar bis
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3,3 A (Ta)
15V, 10V
72mOhm bei 4,5A, 15V
2,2V bei 250µA
14 nC @ 4.5 V
±16V
805 pF @ 20 V
-
1,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
6-WFDFN Exposed Pad
FDMA86151L
MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
onsemi
11.059
Vorrätig
1 : 1,09000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,45056 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
88mOhm bei 3,3A, 10V
3V bei 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 50 V
-
2,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-MicroFET (2x2)
6-WDFN mit freiliegendem Pad
SOT 26
DMN2100UDM-7
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Diodes Incorporated
4.790
Vorrätig
1 : 0,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13031 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
1,5V, 4,5V
55mOhm bei 6A, 4,5V
1V bei 250µA
-
±8V
555 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-3
DMP3165L-13
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
Diodes Incorporated
9.984
Vorrätig
20.000
Fabrik
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,06518 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
90mOhm bei 2,7A, 10V
2,1V bei 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3165L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2.033
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07527 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
90mOhm bei 2,7A, 10V
2,1V bei 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3165LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2.790
Vorrätig
108.000
Fabrik
1 : 0,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07957 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
90mOhm bei 2,7A, 10V
2,1V bei 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-ChipFET
NTHS4111PT1G
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
onsemi
0
Vorrätig
2.177
Marktplatz
3.000 : 0,35638 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
1.480 : 0,18464 €
Lose im Beutel
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
Obsolet
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
45mOhm bei 4,4A, 10V
3V bei 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 24 V
-
700mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
ChipFET™
8-SMD, flache Anschlüsse
8 SOIC
NTMD4884NFR2G
MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
onsemi
0
Vorrätig
43.322
Marktplatz
1.268 : 0,22157 €
Lose im Beutel
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
48mOhm bei 4A, 10V
2,5V bei 250µA
4.2 nC @ 4.5 V
±20V
360 pF @ 15 V
Schottky-Diode (isoliert)
770mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8 SOIC
NTMS4N01R2G
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
onsemi
0
Vorrätig
4.168
Marktplatz
1.158 : 0,24003 €
Lose im Beutel
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
40mOhm bei 4,2A, 4,5V
1,2V bei 250µA
16 nC @ 4.5 V
±10V
1200 pF @ 10 V
-
770mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
TEXTISLM3671TLX-1.2/NOPB
FDFMA3P029Z
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Fairchild Semiconductor
2.319
Marktplatz
1.110 : 0,24926 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
-
87mOhm bei 3,3A, 10V
3V bei 250µA
10 nC @ 10 V
-
435 pF @ 15 V
Schottky-Diode (isoliert)
1,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-MLP (2x2)
6-WDFN mit freiliegendem Pad
8-SOIC
FDFS2P102
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
14.802
Marktplatz
650 : 0,42468 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Obsolet
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
125mOhm bei 3,3A, 10V
2V bei 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 10 V
Schottky-Diode (isoliert)
900mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
GSFR0603
GSFR0603
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Good-Ark Semiconductor
11.985
Vorrätig
1 : 0,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09903 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
96mOhm bei 2A, 10V
2,5V bei 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 30 V
-
2W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6L
SOT-23-6
8-SOIC
FDFS2P102A
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
193.757
Marktplatz
278 : 0,99705 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Obsolet
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
125mOhm bei 3,3A, 10V
3V bei 250µA
3 nC @ 5 V
±20V
182 pF @ 10 V
Schottky-Diode (isoliert)
900mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SOT-23-3
DMP3068L-13
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
40.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
10.000 : 0,05803 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
1,8V, 10V
72mOhm bei 4,2A, 10V
1,3V bei 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3165LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
70.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
10.000 : 0,06579 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
90mOhm bei 2,7A, 10V
2,1V bei 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOP
PJL9452A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Panjit International Inc.
0
Vorrätig
2.500 : 0,15349 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
115mOhm bei 3,3A, 10V
2,5V bei 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1413 pF @ 25 V
-
2,5W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOP
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
FDFS2P102A
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
onsemi
0
Vorrätig
2.500 : 0,21260 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
125mOhm bei 3,3A, 10V
3V bei 250µA
3 nC @ 5 V
±20V
182 pF @ 10 V
Schottky-Diode (isoliert)
900mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
6-TSOP
AO6415
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
23
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,12550 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
2,5V, 10V
75mOhm bei 3,3A, 10V
1,4V bei 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
620 pF @ 10 V
-
1,25W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSOP
SC-74, SOT-457
8 SO
DMS2085LSD-13
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SO
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
87.500
Fabrik
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,08828 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
85mOhm bei 3,05A, 10V
2,2V bei 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
353 pF @ 15 V
Schottky-Diode (isoliert)
1,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SO
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Angezeigt werden
von 32

3,3 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.