Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 50
Hersteller
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStange
Produktstatus
AktivNicht für NeukonstruktionenObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V30 V40 V60 V80 V100 V600 V650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
115mA (Ta)750mA (Ta)1,5 A (Ta)3,2 A (Ta)3,7A (Ta), 11A (Tc)4,9 A (Ta)5 A (Ta)5,5 A (Tc)6,8 A (Ta)7 A (Ta), 28 A (Tc)7,3A (Ta), 33A (Tc)7,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1,8V, 4,5V2,5V, 4,5V4,5V, 10V5V, 10V6V, 10V10V-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,53mOhm bei 50A, 10V0,67mOhm bei 50A, 10V0,7mOhm bei 50A, 10V0,82mOhm bei 50A, 10V0,92mOhm bei 50A, 10V1,3mOhm bei 50A, 10V1,4mOhm bei 50A, 10V1,6mOhm bei 25A, 10V2,5mOhm bei 50A, 10V4mOhm bei 20A, 10V4,5mOhm bei 35A, 10V6,2mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
950mV bei 250µA1,5V bei 250µA1,8V bei 250µA2V bei 140µA2V bei 1mA2V bei 250µA2V bei 30µA2V bei 90µA2V bei 95µA2,1V bei 250µA2,5V bei 200µA2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1.6 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 10 V5.8 nC @ 10 V6.9 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 4.5 V9.3 nC @ 10 V9.6 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±8V±12V±16V±20V±25V±30V-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V64.3 pF @ 25 V355 pF @ 30 V405 pF @ 50 V452 pF @ 10 V489 pF @ 30 V509 pF @ 15 V623 pF @ 40 V680 pF @ 30 V697 pF @ 15 V740 pF @ 25 V879 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)470mW (Ta)1W (Ta)1,06W (Ta)1,1W (Ta)1,2W (Ta), 136W (Tc)1,4W2,4W (Ta)2,4W (Ta), 23,8W (Tc)2,4W (Ta), 48W (Tc)3,1W (Ta)3,2W (Ta), 77,8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-
Montagetyp
-DurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-SOIC8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)8-WDFN (3,3x3,3)-DFN2020B-6DFN3333-8EinsatzPOWERDI3333-8PowerDI3333-8 (Typ UX)PowerDI5060-8 (Typ K)SOT-223
Gehäuse / Hülle
3-XFDFN6-UDFN mit freiliegendem Pad6-WDFN mit freiliegendem Pad8-PowerTDFN8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)-EinsatzSC-70, SOT-323SOT-23-6TO-220-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-261-4, TO-261AA
PJW5P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
5.082
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,21479 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V5 A (Ta)4,5V, 10V68mOhm bei 5A, 10V2,5V bei 250µA17 nC @ 10 V±20V879 pF @ 30 V-3,1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-223TO-261-4, TO-261AA
DFN3333-8
PJQ4464AP-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
3.169
Vorrätig
1 : 0,71000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,25537 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V7,3A (Ta), 33A (Tc)4,5V, 10V17mOhm bei 16A, 10V2,5V bei 250µA13.5 nC @ 4.5 V±20V1574 pF @ 25 V-2,4W (Ta), 48W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageDFN3333-88-PowerVDFN
DFN3333-8
PJQ4460AP-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4.459
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,13788 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V3,7A (Ta), 11A (Tc)4,5V, 10V72mOhm bei 6A, 10V2,5V bei 250µA9.3 nC @ 10 V±20V509 pF @ 15 V-2,4W (Ta), 23,8W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageDFN3333-88-PowerVDFN
9.952
Vorrätig
1 : 1,09000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,43041 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V20A4,5V, 10V12mOhm bei 10A, 10V2,5V bei 200µA23 nC @ 10 V±20V1100 pF @ 10 V-65W (Tc)-55°C bis 175°COberflächenmontage8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)8-PowerVDFN
X2-DFN1006-3
DMN3730UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
9.695
Vorrätig
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,05223 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V750mA (Ta)1,8V, 4,5V460mOhm bei 200mA, 4,5V950mV bei 250µA1.6 nC @ 4.5 V±8V64.3 pF @ 25 V-470mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageX2-DFN1006-33-XFDFN
SOT-23-3
ZXMN2F30FHQTA
MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Diodes Incorporated
2.632
Vorrätig
39.000
Fabrik
1 : 0,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,10728 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V4,9 A (Ta)2,5V, 4,5V45mOhm bei 2,5A, 4,5V1,5V bei 250µA4.8 nC @ 10 V±12V452 pF @ 10 V-1,4W-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NT1G
MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 1,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,58583 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V14 A (Ta), 50 A (Tc)10V10,7mOhm bei 7A, 10V4V bei 35µA9.6 nC @ 10 V±20V680 pF @ 30 V-3,6W (Ta), 46W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFWS020N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 1,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,60125 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V9 A (Ta), 28 A (Tc)10V19,6mOhm bei 4A, 10V4V bei 20µA5.8 nC @ 10 V±20V355 pF @ 30 V-3,4W (Ta), 31W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
0
Vorrätig
Obsolet
Lose im Beutel
ObsoletN-KanalMOSFET (Metalloxid)80 V620A (Ta)10V0,53mOhm bei 50A, 10V3,7V bei 1,4mA485 nC @ 10 V±20V31000 pF @ 48 V---55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H858NLT1G
MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 0,72000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,30799 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)80 V8,7A (Ta), 30A (Tc)4,5V, 10V19,5mOhm bei 5A, 10V2V bei 30µA12 nC @ 10 V±20V623 pF @ 40 V-3,5W (Ta), 42W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS020N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 1,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,55283 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V9 A (Ta), 28 A (Tc)10V19,6mOhm bei 4A, 10V4V bei 20µA5.8 nC @ 10 V±20V355 pF @ 30 V-3,4W (Ta), 31W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS016N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 1,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,55580 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V10A (Ta), 33A (Tc)10V15,6mOhm bei 5A, 10V4V bei 25µA6.9 nC @ 10 V±20V489 pF @ 30 V-3,4W (Ta), 36W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H836NLWFT1G
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 1,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,55878 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)80 V16A (Ta), 77A (Tc)4,5V, 10V6,2mOhm bei 15A, 10V2V bei 95µA34 nC @ 10 V±20V1950 pF @ 40 V-3,7W (Ta), 89W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage, benetzbare Flanke5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFWS016N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 1,45000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,63857 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V10A (Ta), 33A (Tc)10V15,6mOhm bei 5A, 10V4V bei 25µA6.9 nC @ 10 V±20V489 pF @ 30 V-3,4W (Ta), 36W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
488~511DY~~8-Top
NVTFWS010N10MCLTAG
MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 1,47000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,64655 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V11,7A (Ta), 57,8A (Tc)4,5V, 10V10,6mOhm bei 15A, 10V3V bei 85µA30 nC @ 10 V±20V2150 pF @ 50 V-3,2W (Ta), 77,8W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage8-WDFN (3,3x3,3)8-PowerWDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 1,47000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,69593 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V14 A (Ta), 50 A (Tc)10V10,7mOhm bei 7A, 10V4V bei 35µA9.6 nC @ 10 V±20V680 pF @ 30 V-3,6W (Ta), 46W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage, benetzbare Flanke5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C442NLWFET1G
T6-40V N 2.5 MOHMS LL
onsemi
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 1,82000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,86489 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V28 A (Ta), 130 A (Tc)4,5V, 10V2,5mOhm bei 50A, 10V2V bei 90µA50 nC @ 10 V±20V3100 pF @ 25 V-3,7W (Ta), 83W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage, benetzbare Flanke5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C430NLWFET1G
T6-40V N 1.4 MOHMS LL
onsemi
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 2,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 1,10931 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V38 A (Ta), 200 A (Tc)4,5V, 10V1,4mOhm bei 50A, 10V2V bei 250µA70 nC @ 10 V±20V4300 pF @ 20 V-3,8W (Ta), 110W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage, benetzbare Flanke5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H824NLWFT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
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1 : 2,58000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 1,22264 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)80 V20A (Ta), 110A (Tc)4,5V, 10V4mOhm bei 20A, 10V2V bei 140µA52 nC @ 10 V±20V2900 pF @ 40 V-3,8W (Ta), 116W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage, benetzbare Flanke5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5H600NLT1G
MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 2,81000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 1,44982 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V35 A (Ta), 250 A (Tc)4,5V, 10V1,3mOhm bei 50A, 10V2V bei 250µA89 nC @ 10 V±20V6680 pF @ 30 V-3,3W (Ta), 160W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 3,79000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 1,95949 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V50 A (Ta), 330 A (Tc)4,5V, 10V0,82mOhm bei 50A, 10V2V bei 250µA143 nC @ 10 V±20V8862 pF @ 25 V-3,8W (Ta), 167W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage, benetzbare Flanke5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C404NLWFET1G
T6-40V N 0.67 MOHMS LL
onsemi
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 4,89000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 2,52987 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V52A (Ta), 370A (Tc)4,5V, 10V0,67mOhm bei 50A, 10V2V bei 250µA181 nC @ 10 V±20V12168 pF @ 25 V-3,9W (Ta), 200W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage, benetzbare Flanke5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
PowerDI3333-8
DMN3018SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
15.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
3.000 : 0,15366 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V8,5 A (Ta)4,5V, 10V21mOhm bei 10A, 10V2,1V bei 250µA13.2 nC @ 10 V±25V697 pF @ 15 V-1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePOWERDI3333-88-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3018SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
18.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
2.000 : 0,15366 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V8,5 A (Ta)4,5V, 10V21mOhm bei 10A, 10V2,1V bei 250µA13.2 nC @ 10 V±25V697 pF @ 15 V-1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePOWERDI3333-88-PowerVDFN
U-DFN2020-6
DMTH6016LFDFWQ-13
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Diodes Incorporated
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V9,4 A (Ta)4,5V, 10V18mOhm bei 10A, 10V3V bei 250µA15.3 nC @ 10 V±20V925 pF @ 30 V-1,06W (Ta)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageU-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)6-UDFN mit freiliegendem Pad
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.