Einzelne FETs, MOSFETs

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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
PG-SOT223
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Infineon Technologies
8.906
Vorrätig
1 : 0,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,26278 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
950 V
2 A (Tc)
10V
3,7Ohm bei 800mA, 10V
3,5V bei 40µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 400 V
-
6W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
10.679
Vorrätig
1 : 1,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,49244 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
18 A (Tc)
10V
180mOhm bei 5,6A, 10V
4V bei 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO-220
IPP60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Infineon Technologies
703
Vorrätig
1 : 2,05000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
18 A (Tc)
10V
180mOhm bei 5,6A, 10V
4V bei 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO263-3
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
743
Vorrätig
1 : 2,13000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 0,66934 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm bei 3,8A, 10V
4V bei 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PG-TO252-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Infineon Technologies
2.772
Vorrätig
1 : 2,59000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,83511 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
950 V
14 A (Tc)
10V
450mOhm bei 7,2A, 10V
3,5V bei 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
104W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO263-3
IPB60R099P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Infineon Technologies
661
Vorrätig
1 : 3,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,39042 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
31 A (Tc)
10V
99mOhm bei 10,5A, 10V
4V bei 530µA
45 nC @ 10 V
±20V
1952 pF @ 400 V
-
117W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Infineon Technologies
1.872
Vorrätig
1 : 4,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 2,01697 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
48 A (Tc)
10V
60mOhm bei 15,9A, 10V
4V bei 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PG-TO247-3
IPW60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Infineon Technologies
709
Vorrätig
1 : 5,36000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
48 A (Tc)
10V
60mOhm bei 15,9A, 10V
4V bei 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3
TO-247-3
IPW65R099CFD7AXKSA1
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
1.085
Vorrätig
1 : 6,53000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
61 A (Tc)
10V
45mOhm bei 22,5A, 10V
4V bei 1,08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Infineon Technologies
3.994
Vorrätig
1 : 7,32000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
76 A (Tc)
10V
37mOhm bei 29,5A, 10V
4V bei 1,48mA
121 nC @ 10 V
±20V
5243 pF @ 400 V
-
255W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3
TO-247-3
IPW65R099CFD7AXKSA1
IPW60R024P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Infineon Technologies
980
Vorrätig
1 : 10,54000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
101 A (Tc)
10V
24mOhm bei 42,4A, 10V
4V bei 2,03mA
164 nC @ 10 V
±20V
7144 pF @ 400 V
-
291W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
94.612
Vorrätig
1 : 0,47000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,28238 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
12,5 A (Tc)
10V
360mOhm bei 3A, 10V
3,5V bei 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59,4W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Infineon Technologies
6.568
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,18581 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
6 A (Tc)
10V
900mOhm bei 1,1A, 10V
3,5V bei 60µA
6.8 nC @ 10 V
±16V
211 pF @ 400 V
-
30,5W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-3
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Infineon Technologies
3.726
Vorrätig
1 : 0,50000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,16258 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
4 A (Tc)
10V
1,4Ohm bei 700mA, 10V
3,5V bei 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
23W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-SOT223
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Infineon Technologies
8.056
Vorrätig
1 : 0,52000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,19385 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
6,5 A (Tc)
10V
750mOhm bei 1,4A, 10V
3,5V bei 70µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
306 pF @ 400 V
-
6,7W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
4.284
Vorrätig
1 : 0,59000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,41833 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
9 A (Tc)
10V
360mOhm bei 2,7A, 10V
4V bei 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-SOT223
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Infineon Technologies
12.042
Vorrätig
1 : 0,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17073 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
4 A (Tc)
10V
1,4Ohm bei 700mA, 10V
3,5V bei 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
6,2W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
PG-TO252-3
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Infineon Technologies
9.639
Vorrätig
1 : 0,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,23048 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
8,5 A (Tc)
10V
600mOhm bei 1,8A, 10V
3,5V bei 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-SOT223
IPN70R900P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Infineon Technologies
4.824
Vorrätig
1 : 0,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17598 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
6 A (Tc)
10V
900mOhm bei 1,1A, 10V
3,5V bei 60µA
6.8 nC @ 10 V
±16V
211 pF @ 400 V
-
6,5W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Infineon Technologies
15.672
Vorrätig
1 : 0,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,15722 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
3 A (Tc)
10V
2Ohm bei 500mA, 10V
3,5V bei 30µA
3.8 nC @ 10 V
±16V
130 pF @ 400 V
-
6W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Infineon Technologies
5.133
Vorrätig
1 : 0,67000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,19832 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
800 V
1,5 A (Tc)
10V
4,5Ohm bei 400mA, 10V
3,5V bei 20µA
4 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 500 V
-
6W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
10.482
Vorrätig
1 : 0,71000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,21172 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
800 V
1,9 A (Tc)
10V
3,3Ohm bei 590mA, 10V
3,5V bei 30µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 500 V
-
6,1W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Infineon Technologies
22.552
Vorrätig
1 : 0,79000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,24538 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
6 A (Tc)
10V
600mOhm bei 1,7A, 10V
4V bei 80µA
9 nC @ 10 V
±20V
363 pF @ 400 V
-
30W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-SOT223
IPN60R600P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Infineon Technologies
4.181
Vorrätig
1 : 0,82000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,24204 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
6 A (Tc)
10V
600mOhm bei 1,7A, 10V
4V bei 80µA
9 nC @ 10 V
±20V
363 pF @ 400 V
-
7W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Infineon Technologies
5.392
Vorrätig
1 : 0,94000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,27961 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
9 A (Tc)
10V
360mOhm bei 2,7A, 10V
4V bei 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
7W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
Angezeigt werden
von 188

Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.