Einzelne FETs, MOSFETs

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Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
15 V80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1,7 A (Ta)3,4 A (Ta)18 A (Ta)29 A (Ta)60 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,2mOhm bei 25A, 5V6mOhm bei 16A, 5V17mOhm bei 11A, 5V26mOhm bei 1,5A, 5V80mOhm bei 1A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1mA2,5V bei 3mA2,5V bei 4mA2,5V bei 600µA2,5V bei 7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.83 nC @ 5 V1.1 nC @ 5 V4 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V13.6 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+5.75V, -4V+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
88 pF @ 50 V118 pF @ 7.5 V415 pF @ 50 V851 pF @ 50 V1570 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-Standard
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
65.486
Vorrätig
1 : 2,69000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,23278 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V18 A (Ta)5V17mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2203
EPC2203
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
EPC
23.153
Vorrätig
1 : 0,80000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,34001 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V1,7 A (Ta)5V80mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.83 nC @ 5 V+5.75V, -4V88 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2216
EPC2216
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
EPC
46.665
Vorrätig
1 : 1,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,51682 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)15 V3,4 A (Ta)5V26mOhm bei 1,5A, 5V2,5V bei 1mA1.1 nC @ 5 V+6V, -4V118 pF @ 7.5 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
33.839
Vorrätig
1 : 2,78000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,27475 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2218A
EPC2218A
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
EPC
29.392
Vorrätig
1 : 5,04000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 2,66569 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V60 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA13.6 nC @ 5 V+6V, -4V1570 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
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Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.