Einzelne FETs, MOSFETs

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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
PG-TDSON-8-7
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
5.719
Vorrätig
1 : 3,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 1,26651 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
381A (Tc)
4,5V, 10V
0,7mOhm bei 50A, 10V
2,3V bei 250µA
94 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
188W
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
348.183
Vorrätig
48.405.000
Fabrik
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02714 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm bei 100mA, 5V
2V bei 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.