Einzelne FETs, MOSFETs

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	Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
	BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	201.790 Vorrätig 5.583.000 Fabrik	1 : 0,32000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05806 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm bei 100mA, 5V	2V bei 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
	CSD23280F3 MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR Texas Instruments	38.706 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05306 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	FemtoFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	1,8 A (Ta)	1,5V, 4,5V	116mOhm bei 400mA, 4,5V	950mV bei 250µA	1.23 nC @ 4.5 V	-6V	234 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	3-PICOSTAR	3-XFDFN

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.