Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	105.381 Vorrätig	1 : 0,17000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03598 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSC072N08NS5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 74A TDSON Infineon Technologies	23.479 Vorrätig	1 : 1,46000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,68955 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	74 A (Tc)	6V, 10V	7,2mOhm bei 37A, 10V	3,8V bei 36µA	29 nC @ 10 V	±20V	2100 pF @ 40 V	-	2,5W (Ta), 69W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PG-TDSON-8-7	8-PowerTDFN
IRFS4321TRLPBF MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Infineon Technologies	28.934 Vorrätig	1 : 3,13000 € Gurtabschnitt (CT) 800 : 1,52993 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	85 A (Tc)	10V	15mOhm bei 33A, 10V	5V bei 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	4460 pF @ 25 V	-	350W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
CSD13202Q2 MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Texas Instruments	6.210 Vorrätig	1 : 0,58000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15365 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	22 A (Ta)	2,5V, 4,5V	9,3mOhm bei 5A, 4,5V	1,1V bei 250µA	6.6 nC @ 4.5 V	±8V	997 pF @ 6 V	-	2,7W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-WSON (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
DMP10H400SEQ-13 MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Diodes Incorporated	10.884 Vorrätig 90.000 Fabrik	1 : 0,67000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,23325 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	2,3 A (Ta), 6 A (Tc)	4,5V, 10V	250mOhm bei 5A, 10V	3V bei 250µA	17.5 nC @ 10 V	±20V	1239 pF @ 25 V	-	2W (Ta), 13,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
SI3499DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP Vishay Siliconix	4.538 Vorrätig	1 : 1,46000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,38539 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Obsolet	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	8 V	5,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	23mOhm bei 7A, 4,5V	750mV bei 250µA	42 nC @ 4.5 V	±5V	-	-	1,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSOP	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.