Einzelne FETs, MOSFETs

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	Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
	CSD13381F4 MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Texas Instruments	433.468 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05315 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	2,1 A (Ta)	1,8V, 4,5V	180mOhm bei 500mA, 4,5V	1,1V bei 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	8V	200 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	3-PICOSTAR	3-XFDFN
	CSD17483F4 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	70.378 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06783 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	240mOhm bei 500mA, 8V	1,1V bei 250µA	1.3 nC @ 4.5 V	12V	190 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	3-PICOSTAR	3-XFDFN

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.