Einzelne FETs, MOSFETs

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Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
CSD25483F4
CSD13381F4
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
433.468
Vorrätig
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05315 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
12 V
2,1 A (Ta)
1,8V, 4,5V
180mOhm bei 500mA, 4,5V
1,1V bei 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 6 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
3-PICOSTAR
3-XFDFN
CSD25483F4
CSD17483F4
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Texas Instruments
70.378
Vorrätig
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06783 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
1,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
240mOhm bei 500mA, 8V
1,1V bei 250µA
1.3 nC @ 4.5 V
12V
190 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
3-PICOSTAR
3-XFDFN
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.