220mA (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

Angezeigt werden

von 25

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	161.517 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04658 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm bei 400mA, 4,5V	1,06V bei 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138K MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	121.774 Vorrätig	1 : 0,27000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05629 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	1,8V, 2,5V	1,6Ohm bei 50mA, 5V	1,2V bei 250µA	2.4 nC @ 10 V	±12V	58 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMFTN138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Diotec Semiconductor	85.562 Vorrätig	1 : 0,18000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03556 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,6V bei 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT323 MCC (Micro Commercial Components)	26.285 Vorrätig	1 : 0,20000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03962 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	-	±20V	27 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS138-G FET 50V 3.5 OHM SOT23 onsemi	34.538 Vorrätig	1 : 0,42000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09449 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN31D5UFZ-7B MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN Diodes Incorporated	4.656 Vorrätig	1 : 0,44000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,08130 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	220mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,5Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±12V	22.2 pF @ 15 V	-	393mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	X2-DFN0606-3	3-XFDFN
MMFTN138W MOSFET, SOT-323, 50V, 0.22A, 150 Diotec Semiconductor	2.644 Vorrätig	1 : 0,17000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03509 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,6V bei 1mA	1.1 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 30 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	49.248 Vorrätig	1 : 0,13000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02516 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3Ohm bei 500mA, 10V	1,6V bei 250µA	-	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV301N 25V 220MA 350MW 5@2.7V,0.2A 1.5V Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.	2.770 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT)	-	Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm bei 400mA, 4,5V	1,5V bei 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTNS0K8N021ZTCG MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN onsemi	7.196 Vorrätig	1 : 0,88000 € Gurtabschnitt (CT) 8.000 : 0,20232 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	220mA (Ta)	1,5V, 4,5V	1,5Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 250µA	-	±8V	12.3 pF @ 15 V	-	125mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	3-XDFN (0,42x0,62)	3-XFDFN
FMOSBSS138K2-Q1-H 0.22A 50V N-Channel Enhancement Formosa Microsemi Co., Ltd.	300.000 Marktplatz	3.000 : 0,01804 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	*	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	-	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 250µA	-	±20V	-	Logikpegel-Gatter, 4V	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23	SOT-23-3
BSS138AHE3-TP N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 MCC (Micro Commercial Components)	686 Vorrätig	1 : 0,18000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03729 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	2,5V, 10V	1,6Ohm bei 500mA, 10V	1,45V bei 250µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	29 pF @ 25 V	-	620mW (Tj)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138KV-TP DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-563 MCC (Micro Commercial Components)	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : 0,09000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03058 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm bei 300mA, 10V	1,5V bei 1mA	1.65 nC @ 10 V	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX3020NAKW-QX NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70 Nexperia USA Inc.	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : 0,10000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05448 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	220mA (Ta)	2,5V, 10V	3Ohm bei 100mA, 10V	1,5V bei 250µA	315 pC @ 10 V	±20V	9 pF @ 15 V	-	270mW (Ta), 1,3W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS138-13P Interface MCC (Micro Commercial Components)	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	10.000 : 0,02910 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm bei 300mA, 10V	1,5V bei 1mA	1.65 nC @ 10 V	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMFTN138-AQ MOSFET SOT-23 N 50V 0.3A Diotec Semiconductor	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	3.000 : 0,03445 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,6V bei 1mA	-	±20V	20 pF @ 30 V	-	360mW (Ta)	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV301N_D87Z MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	0 Vorrätig	10.000 : 0,05041 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm bei 400mA, 4,5V	1,06V bei 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138_L99Z MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	0 Vorrätig	3.000 : 0,05444 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS100 MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3 onsemi	0 Vorrätig	2.000 : 0,09368 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	220mA (Ta)	-	6Ohm bei 220mA, 10V	2V bei 1mA	2 nC @ 10 V	-	60 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Durchkontaktierung	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
BSS138-F085 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 onsemi	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-T MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	0 Vorrätig	Obsolet	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	EFCP1313-4CC-037	4-XFBGA
2N7000-AP MOSFET N-CH 60V 200MA TO92 MCC (Micro Commercial Components)	0 Vorrätig	Obsolet	-	Band & Box (TB)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	220mA (Ta)	10V	5Ohm bei 500mA, 10V	3V bei 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	625mW (Ta)	-55°C bis 150°C	-	-	Durchkontaktierung	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
FDV301N-F169 MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm bei 400mA, 4,5V	1,06V bei 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
9G85-BSS138 MOSFET N-CH SOT23 onsemi	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-F169 MOSFET N-CH SOT23 onsemi	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Angezeigt werden

von 25

FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

INFORMATION

HILFE

KONTAKT

FOLGEN SIE UNS