2 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
DMN6075S-7 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Diodes Incorporated	23.786 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05983 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	4,5V, 10V	85mOhm bei 3,2A, 10V	3V bei 250µA	12.3 nC @ 10 V	±20V	606 pF @ 20 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K339R,LF MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	3.199 Vorrätig	1 : 0,32000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06608 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	2 A (Ta)	1,8V, 8V	185mOhm bei 1A, 8V	1,2V bei 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	86.232 Vorrätig	1 : 0,36000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07643 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	4V, 10V	300mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Infineon Technologies	58.217 Vorrätig	1 : 0,38000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08337 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2 A (Ta)	4,5V, 10V	80mOhm bei 2A, 10V	2V bei 11µA	5 nC @ 10 V	±20V	500 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4503NT1G MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 onsemi	9.416 Vorrätig Für dieses Produkt gilt eine maximale Einkaufsmenge	1 : 0,48000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10790 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2 A (Ta)	4,5V, 10V	110mOhm bei 2,5A, 10V	3V bei 250µA	7 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 24 V	-	420mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2230UQ-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Diodes Incorporated	35.114 Vorrätig 411.000 Fabrik	1 : 0,49000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10634 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	110mOhm bei 2,5A, 4,5V	1V bei 250µA	2.3 nC @ 10 V	±12V	188 pF @ 10 V	-	600mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN340P MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 onsemi	83.351 Vorrätig	1 : 0,52000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11673 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	2,5V, 4,5V	70mOhm bei 2A, 4,5V	1,5V bei 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	779 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN327N MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3 onsemi	32.214 Vorrätig	1 : 0,52000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11770 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	70mOhm bei 2A, 4,5V	1,5V bei 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	423 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN360P MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 onsemi	47.377 Vorrätig	1 : 0,56000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12759 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2 A (Ta)	4,5V, 10V	80mOhm bei 2A, 10V	3V bei 250µA	9 nC @ 10 V	±20V	298 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AOSS62934 MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	141.957 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12867 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	AlphaSGT™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	2 A (Ta)	4,5V, 10V	140mOhm bei 2A, 10V	2,7V bei 250µA	3.8 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 50 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
SSM3K2615R,LF MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	51.879 Vorrätig	1 : 0,61000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13858 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	π-MOSV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	3,3V, 10V	300mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	-	±20V	150 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
MIC94052YC6-TR MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 Microchip Technology	8.732 Vorrätig	1 : 0,65000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,52712 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	6 V	2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	84mOhm bei 100mA, 4,5V	1,2V bei 250µA	-	-6V	-	-	270mW (Ta)	-40°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
IRLL014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Infineon Technologies	27.108 Vorrätig	1 : 0,71000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,17222 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	2 A (Ta)	4V, 10V	140mOhm bei 2A, 10V	2V bei 250µA	14 nC @ 10 V	±16V	230 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
2SK3065T100 MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 Rohm Semiconductor	7.278 Vorrätig	1 : 1,04000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 0,29980 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	2,5V, 4V	320mOhm bei 1A, 4V	1,5V bei 1mA	-	±20V	160 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	MPT3	TO-243AA
ZXMN10A08GTA MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 Diodes Incorporated	201 Vorrätig	1 : 1,06000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 0,30751 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	2 A (Ta)	6V, 10V	250mOhm bei 3,2A, 10V	2V bei 250µA	7.7 nC @ 10 V	±20V	405 pF @ 50 V	-	2W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
PJA3430_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	6.670 Vorrätig	1 : 0,23000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04729 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	150mOhm bei 2A, 4,5V	1V bei 250µA	1.8 nC @ 4.5 V	±8V	92 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J375F,LF MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	6.008 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06077 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	1,5V, 4,5V	150mOhm bei 1A, 4,5V	1V bei 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	270 pF @ 10 V	-	600mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2110UW-7 MOSFET P-CH 20V 2A SOT323 Diodes Incorporated	1.787 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07448 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	100mOhm bei 1,5A, 4,5V	900mV bei 250µA	6 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 6 V	-	490mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-323	SC-70, SOT-323
SSM3J353F,LF MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	8.179 Vorrätig	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07000 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2 A (Ta)	4V, 10V	150mOhm bei 2A, 10V	2,2V bei 250µA	3.4 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	159 pF @ 15 V	-	600mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3423 MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	51.163 Vorrätig	1 : 0,40000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08851 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	2,5V, 10V	92mOhm bei 2A, 10V	1,4V bei 250µA	6.6 nC @ 4.5 V	±12V	620 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
SSM3J117TU,LF MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	27.273 Vorrätig	1 : 0,43000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09268 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2 A (Ta)	4V, 10V	117mOhm bei 1A, 10V	2,6V bei 1mA	-	±20V	280 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	UFM	3-SMD, flache Anschlüsse
SSM3K127TU,LF MOSFET N-CH 30V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	11.128 Vorrätig	1 : 0,43000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09268 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	2 A (Ta)	1,8V, 4V	123mOhm bei 1A, 4V	1V bei 1mA	1.5 nC @ 4 V	±12V	123 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	UFM	3-SMD, flache Anschlüsse
SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN Toshiba Semiconductor and Storage	2.830 Vorrätig	1 : 0,43000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09268 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	2 A (Ta)	1,8V, 8V	185mOhm bei 1A, 8V	1,2V bei 1mA	2.2 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-UDFN (2x2)	6-UDFN mit freiliegendem Pad
SSM3K122TU,LF MOSFET N-CH 20V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	5.698 Vorrätig	1 : 0,44000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09390 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2 A (Ta)	1,5V, 4V	123mOhm bei 1A, 4V	1V bei 1mA	3.4 nC @ 4 V	±10V	195 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	UFM	3-SMD, flache Anschlüsse
SSM3J356R,LXHF AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	1.052 Vorrätig	1 : 0,52000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11546 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2 A (Ta)	4V, 10V	300mOhm bei 1A, 10V	2V bei 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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