Einzelne bipolare transistoren

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Hersteller
Micro Commercial CoNexperia USA Inc.
Serie
-BC817
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V45 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
700mV bei 50mA, 500mA1V bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 150mA, 10V250 bei 100mA, 1V
Leistung - Max.
250 mW350 mW
Frequenz - Übergang
100MHz300MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)150°C (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23TO-236AB
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
Leistung - Max.
Frequenz - Übergang
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT 23
MMBT2222A-TP
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
Micro Commercial Co
1.425.852
Vorrätig
1 : 0,09000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,01608 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
NPN
600 mA
40 V
1V bei 50mA, 500mA
-
100 bei 150mA, 10V
350 mW
300MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23
TO-236AB
BC817-40,215
TRANS NPN 45V 0.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
678.518
Vorrätig
1 : 0,16000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02698 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
NPN
500 mA
45 V
700mV bei 50mA, 500mA
100 nA (ICBO)
250 bei 100mA, 1V
250 mW
100MHz
150°C (TJ)
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
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Diskrete Bipolartransistoren


Diskrete Bipolartransistoren (BJTs) werden häufig zur Verstärkung analoger Signale in Audio-, Funk- und anderen Anwendungen verwendet. Es handelt sich hierbei um eine der ersten serienmäßig hergestellten Halbleiterkomponenten. Sie eignen sich weniger gut als andere Komponententypen für Anwendungen mit hochfrequenten Schaltvorgängen und hohen Strömen oder Spannungen. Sie stellen jedoch nach wie vor eine gute Wahl für Anwendungen dar, bei denen analoge Signale mit minimalem zusätzlichen Rauschen und möglichst wenig Verzerrungen reproduziert werden müssen. BJTs gibt es in zwei Varianten - NPN und PNP - die sich auf die Reihenfolge der Halbleiterschichten beziehen, aus denen der Transistor besteht. NPN-Transistoren bestehen aus einem dünnen P-Halbleiter zwischen zwei N-Materialien, während bei PNP-Transistoren ein N-Halbleiter zwischen zwei P-Typen liegt. Dadurch arbeiten die beiden Typen mit entgegengesetzter Polarität. NPN-Transistoren sind Stromsenken, während PNP-Transistoren Stromquellen sind.