- Konto
- Meine Bestellungen und Warenkörbe
- Listen
- myLists
- Angebotsmanager
Transistoren - JFETs
Resultate : 2
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
2Resultate
Angewandte Filter Alle entfernen
Angezeigt werden von 2
1 - 2
Vergleichen | Herst.-Teilenr. | Verfügbare Menge | Preis | Serie | Gehäuse | Product Status | FET-Typ | Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS) | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0) | Strom, Drain (Id) - max. | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | Widerstand - RDS(On) | Leistung - Max. | Betriebstemperatur | Montagetyp | Gehäuse / Hülle | Gehäusetyp vom Lieferanten |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0 Vorrätig | Obsolet | Stange | Obsolet | N-Kanal | 1.2 V | 1.2 V | 3.3 µA @ 1.2 V | 35 A | 2000pF bei 19,5V (VGS) | 70 mOhms | 238 W | -55°C bis 175°C (TJ) | Durchkontaktierung | TO-247-3 | PG-TO247-3 | |||
0 Vorrätig 6.877 Marktplatz | 17 : 18,23529 € Stange | Stange Stange | Obsolet | N-Kanal | 1.2 V | 1.2 V | 1.5 µA @ 1.2 V | 26 A | 1550pF bei 19,5V (VGS) | 100 mOhms | 190 W | -55°C bis 175°C (TJ) | Durchkontaktierung | TO-247-3 | PG-TO247-3 |
Angezeigt werden von 2
1 - 2
Transistoren - JFETs
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.