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Gehäuse
Product Status
FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
0
Vorrätig
Obsolet
Stange
ObsoletN-Kanal1.2 V1.2 V3.3 µA @ 1.2 V35 A2000pF bei 19,5V (VGS)70 mOhms238 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3PG-TO247-3
0
Vorrätig
6.877
Marktplatz
17 : 18,23529 €
Stange
Stange
Stange
ObsoletN-Kanal1.2 V1.2 V1.5 µA @ 1.2 V26 A1550pF bei 19,5V (VGS)100 mOhms190 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3PG-TO247-3
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Transistoren - JFETs


Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.