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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Leistung - Max.
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
Eingang
NTC-Thermistor
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
IXDN75N120
IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
IXYS
329
Vorrätig
1 : 37,40000 €
Stange
-
Stange
AktivNPTEinzeln1200 V150 A660 W2,7V bei 15V, 75A4 mA5.5 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungSOT-227-4, miniBLOCSOT-227B
IXGN320N60A3
IXGN320N60A3
IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
IXYS
1.938
Vorrätig
1 : 39,87000 €
Stange
Stange
AktivPTEinzeln600 V320 A735 W1,25V bei 15V, 100A150 µA18 nF @ 25 VStandardNein-55°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungSOT-227-4, miniBLOCSOT-227B
771
Vorrätig
1 : 49,60000 €
Stange
Stange
AktivTrench FeldstoppEinzeln1200 V281 A1087 W2,05V bei 15V, 100A100 µA9.35 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungSOT-227-4, miniBLOCSOT-227
IXYK1x0xNxxxx
IXYN82N120C3H1
IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
IXYS
252
Vorrätig
1 : 50,00000 €
Stange
Stange
Aktiv-Einzeln1200 V105 A500 W3,2V bei 15V, 82A50 µA4.06 nF @ 25 VStandardNein-55°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungSOT-227-4, miniBLOCSOT-227B
IGBT Module
FZ800R12KE3HOSA1
IGBT MOD 1200V 800A 3550W
Infineon Technologies
87
Vorrätig
1 : 236,03000 €
Tablett
Tablett
Nur verfügbar bisTrench FeldstoppEinzeln1200 V800 A3550 W2,15V bei 15V, 800A5 mA56 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 125°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
IGBT MODULE C SERIES
FF400R12KE3HOSA1
IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Infineon Technologies
43
Vorrätig
1 : 236,03000 €
Tablett
Tablett
AktivTrench FeldstoppHalbbrücke1200 V580 A2000 W2,15V bei 15V, 400A5 mA28 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 125°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
FS820R08A6P2BHybridPACK
FS820R08A6P2BBPSA1
IGBT MODULE PACK DRV HYBRIDD-1
Infineon Technologies
28
Vorrätig
1 : 711,30000 €
Tablett
Tablett
AktivTrench FeldstoppDreiphasiger Umrichter750 V450 A714 W1,35V bei 15V, 450A1 mA80 nF @ 50 VStandardJa-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulAG-HYBRIDD-2
APT2X60D60J
APT100GT120JU2
IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
Microchip Technology
162
Vorrätig
1 : 40,33000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivTrench FeldstoppEinzeln1200 V140 A480 W2,1V bei 15V, 100A5 mA7.2 nF @ 25 VStandardNein-55°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungISOTOPSOT-227
157
Vorrätig
1 : 63,87000 €
Tablett
-
Tablett
AktivTrench FeldstoppHalbbrücke1200 V50 A285 W2,15V bei 15V, 50A1 mA2.8 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
26
Vorrätig
1 : 124,76000 €
Tablett
Tablett
AktivTrench FeldstoppHalbbrücke600 V260 A680 W1,9V bei 15V, 200A5 mA-StandardNein-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
EconoDUAL
FF225R12ME4BOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Infineon Technologies
30
Vorrätig
1 : 156,73000 €
Tablett
Tablett
AktivTrench Feldstopp2 unabhängig1200 V320 A1050 W2,15V bei 15V, 225A3 mA13 nF @ 25 VStandardJa-40°C bis 150°CChassisbefestigungModulModul
26
Vorrätig
1 : 201,37000 €
Tablett
Tablett
Aktiv-Halbbrücke1700 V-----StandardNein-25°C bis 85°CDurchkontaktierungModulModul
73
Vorrätig
1 : 259,67000 €
Tablett
-
Tablett
AktivTrench FeldstoppDreiphasiger Umrichter1200 V150 A750 W2,1V bei 15V, 150A1 mA-StandardJa-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
116
Vorrätig
1 : 44,51000 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
AktivSchlitzEinzeln1200 V187 A890 W2,55V bei 15V, 100A100 µA6.15 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungSOT-227-4, miniBLOCSOT-227
APT2X60D60J
APT45GP120JDQ2
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Microchip Technology
128
Vorrätig
1 : 47,73000 €
Stange
Stange
AktivPTEinzeln1200 V75 A329 W3,9V bei 15V, 45A750 µA4 nF @ 25 VStandardNein-55°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungISOTOPISOTOP®
48
Vorrätig
1 : 199,50000 €
Tablett
-
Tablett
AktivTrench FeldstoppDreiphasiger Umrichter1200 V75 A385 W2,15V bei 15V, 75A1 mA4.3 nF @ 25 VStandardJa-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
34
Vorrätig
1 : 215,05000 €
Tablett
-
Tablett
Nicht für NeukonstruktionenNPTEinzeln1200 V140 A480 W2,15V bei 15V, 100A5 mA7.1 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 125°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
FS MODULE
FS450R12KE3BOSA1
IGBT MOD 1200V 600A 2100W
Infineon Technologies
40
Vorrätig
1 : 919,18000 €
Tablett
-
Tablett
Nicht für NeukonstruktionenTrench FeldstoppDreiphasiger Umrichter1200 V600 A2100 W2,15V bei 15V, 450A5 mA32 nF @ 25 VStandardJa-40°C bis 125°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
138
Vorrätig
1 : 40,64000 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
AktivSchlitzEinzeln1200 V139 A658 W2,55V bei 15V, 80A100 µA4.4 nF @ 25 VStandardNein-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungSOT-227-4, miniBLOCSOT-227
FD450R12KE4PHOSA1
FD450R12KE4PHOSA1
IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1
Infineon Technologies
56
Vorrätig
1 : 208,87000 €
Tablett
Tablett
AktivTrench FeldstoppEinzelchopper1200 V450 A-2,15V bei 15V, 450A5 mA-StandardNein-40°C bis 150°CChassisbefestigungModulAG-62MM-1
720
Vorrätig
1 : 9,08000 €
Stange
Stange
Aktiv-Dreiphasiger Umrichter600 V-9 W1,78V bei 15V, 500mA--StandardJa-40°C bis 150°C (TJ)Durchkontaktierung-23-DIP
718
Vorrätig
1 : 9,08000 €
Stange
Stange
Aktiv-Dreiphasiger Umrichter600 V-13 W1,58V bei 15V, 1A--StandardJa-40°C bis 150°C (TJ)Durchkontaktierung-23-DIP
715
Vorrätig
1 : 9,08000 €
Stange
Stange
Aktiv-Dreiphasiger Umrichter600 V-13 W1,58V bei 15V, 1A--StandardJa-40°C bis 150°C (TJ)Durchkontaktierung-23-DIP
439
Vorrätig
1 : 9,92000 €
Stange
Stange
Aktiv-Dreiphasiger Umrichter600 V-15 W1,62V bei 15V, 2A--StandardJa-40°C bis 150°C (TJ)Durchkontaktierung-23-DIP
2.076
Marktplatz
12 : 27,18083 €
Stange
Stange
Obsolet-Halbbrücke600 V50 A250 W2,8V bei 15V, 50A250 µA2.92 nF @ 30 VStandardNein-40°C bis 125°C (TJ)ChassisbefestigungEPM7EPM7
Angezeigt werden
1 - 25
von 2.866

Transistoren - IGBTs - Module


IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind Leistungshalbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die hohe Effizienz und kurze Schaltzeiten bieten und in erster Linie als elektronische Schalter eingesetzt werden. Als Module sind die IGBTs in Form von asymmetrischen Brücken, Aufwärts-, Abwärts- und Brems-Chopper, Vollbrücken-, Drei-Ebenen- und Drei-Phasen-Wechselrichter konfiguriert. Einige verfügen über integrierte NTC-Thermistoren zur Temperaturüberwachung. Die Unterscheidung der IGBT-Module erfolgt nach maximaler Leistung, Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung und -Konfiguration.