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Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SOT-23-3
TP0610K-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
32.638
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13697 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V185mA (Ta)4,5V, 10V6Ohm bei 500mA, 10V3V bei 250µA1.7 nC @ 15 V±20V23 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
148.944
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13697 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V185mA (Ta)4,5V, 10V6Ohm bei 500mA, 10V3V bei 250µA1.7 nC @ 15 V±20V23 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9310TRPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Vishay Siliconix
3.792
Vorrätig
1 : 1,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,74463 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)400 V1,8 A (Tc)10V7Ohm bei 1,1A, 10V4V bei 250µA13 nC @ 10 V±20V270 pF @ 25 V-50W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageD-PakTO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TO-263AB
IRF9510STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Vishay Siliconix
6.845
Vorrätig
1 : 1,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 0,98491 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V4 A (Tc)10V1,2Ohm bei 2,4A, 10V4V bei 250µA8.7 nC @ 10 V±20V200 pF @ 25 V-3,7W (Ta), 43W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
7.599
Vorrätig
1 : 1,09000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V5,6 A (Tc)10V540mOhm bei 3,4A, 10V4V bei 250µA8.3 nC @ 10 V±20V180 pF @ 25 V-43W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Vishay Siliconix
14.945
Vorrätig
1 : 1,37000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V14 A (Tc)10V160mOhm bei 8,4A, 10V4V bei 250µA26 nC @ 10 V±20V670 pF @ 25 V-88W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-220ABTO-220-3
4-DIP
IRFD9020PBF
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Vishay Siliconix
6.090
Vorrätig
1 : 1,63000 €
Stange
-
Stange
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V1,6 A (Ta)10V280mOhm bei 960mA, 10V4V bei 1µA19 nC @ 10 V±20V570 pF @ 25 V-1,3W (Ta)-55°C bis 175°C (TJ)Durchkontaktierung4-HVMDIP4-DIP (0,300", 7,62mm)
4-DIP
IRFD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
27.849
Vorrätig
1 : 1,65000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V1 A (Ta)10V540mOhm bei 600mA, 10V4V bei 250µA8.3 nC @ 10 V±20V180 pF @ 25 V-1,3W (Ta)-55°C bis 175°C (TJ)Durchkontaktierung4-HVMDIP4-DIP (0,300", 7,62mm)
8-SOIC
SI4838DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Vishay Siliconix
2.500
Vorrätig
1 : 3,04000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,72382 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)12 V17 A (Ta)2,5V, 4,5V3mOhm bei 25A, 4,5V600mV bei 250µA (Min)60 nC @ 4.5 V±8V--1,6W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
4-DIP
IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
17.134
Vorrätig
1 : 1,79000 €
Stange
-
Stange
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V1 A (Ta)10V600mOhm bei 600mA, 10V4V bei 250µA18 nC @ 10 V±20V390 pF @ 25 V-1,3W (Ta)-55°C bis 175°C (TJ)Durchkontaktierung4-HVMDIP4-DIP (0,300", 7,62mm)
TO-263 (D2Pak)
SUM45N25-58-E3
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Vishay Siliconix
5.585
Vorrätig
1 : 4,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 2,74741 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)250 V45 A (Tc)6V, 10V58mOhm bei 20A, 10V4V bei 250µA140 nC @ 10 V±30V5000 pF @ 25 V-3,75W (Ta), 375W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-263 (D²Pak)TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
TO-247-3 AC EP
SUG90090E-GE3
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Vishay Siliconix
608
Vorrätig
1 : 4,29000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)200 V100 A (Tc)7,5V, 10V9,5mOhm bei 20A, 10V4V bei 250µA129 nC @ 10 V±20V5220 pF @ 100 V-395W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Vishay Siliconix
3.876
Vorrätig
1 : 4,95000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)400 V23 A (Tc)10V200mOhm bei 14A, 10V4V bei 250µA210 nC @ 10 V±20V4500 pF @ 25 V-280W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG018N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Vishay Siliconix
478
Vorrätig
1 : 16,82000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V99 A (Tc)10V23mOhm bei 25A, 10V5V bei 250µA228 nC @ 10 V±30V7612 pF @ 100 V-524W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247ACTO-247-3
SC-70-6
SQ1464EEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Vishay Siliconix
8.500
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13967 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V440mA (Tc)1,5V1,41Ohm bei 2A, 1,5V1V bei 250µA4.1 nC @ 4.5 V±8V140 pF @ 25 V-430mW (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageSC-70-66-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pkg 5549
SI1302DL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,15109 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V600mA (Ta)4,5V, 10V480mOhm bei 600mA, 10V3V bei 250µA1.4 nC @ 10 V±20V--280mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSC-70-3SC-70, SOT-323
Pkg 5549
SI1330EDL-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Vishay Siliconix
11.990
Vorrätig
1 : 0,51000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,18290 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V240mA (Ta)3V, 10V2,5Ohm bei 250mA, 10V2,5V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V--280mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSC-70-3SC-70, SOT-323
SOT-23(TO-236)
SI2318DS-T1-BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
487
Vorrätig
1 : 0,51000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,18290 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3 A (Ta)4,5V, 10V45mOhm bei 3,9A, 10V3V bei 250µA15 nC @ 10 V±20V540 pF @ 20 V-750mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
D-PAK (TO-252AA)
IRLR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
4.821
Vorrätig
1 : 0,91000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,41495 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V4,3 A (Tc)4V, 5V540mOhm bei 2,6A, 5V2V bei 250µA6.1 nC @ 5 V±10V250 pF @ 25 V-2,5W (Ta), 25W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageD-PakTO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
PowerPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Vishay Siliconix
5.900
Vorrätig
1 : 1,42000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,64643 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V10,9 A (Ta), 38,7 A (Tc)7,5V, 10V17,4mOhm @ 10A, 10V4V bei 250µA30 nC @ 10 V±20V1470 pF @ 50 V-5W (Ta), 62,5W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
D-PAK (TO-252AA)
IRFR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Vishay Siliconix
10.217
Vorrätig
1 : 1,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,70492 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V7,7 A (Tc)10V270mOhm bei 4,6A, 10V4V bei 250µA16 nC @ 10 V±20V360 pF @ 25 V-2,5W (Ta), 42W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageD-PakTO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
8-SOIC
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Vishay Siliconix
7.489
Vorrätig
1 : 1,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,84652 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V20 A (Tc)4,5V, 10V6mOhm bei 10A, 10V2,1V bei 250µA95 nC @ 10 V±16V3700 pF @ 10 V-2,5W (Ta), 5,7W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
PowerPAK SO-8
SIR404DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
18.000
Vorrätig
1 : 1,97000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 1,00043 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V60 A (Tc)2,5V, 10V1,6mOhm bei 20A, 10V1,5V bei 250µA97 nC @ 4.5 V±12V8130 pF @ 10 V-6,25W (Ta), 104W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9010PBF
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Vishay Siliconix
3.211
Vorrätig
1 : 1,04000 €
Stange
-
Stange
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V5,3 A (Tc)10V500mOhm bei 2,8A, 10V4V bei 250µA9.1 nC @ 10 V±20V240 pF @ 25 V-25W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageD-PakTO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TO-220AB
IRF9510PBF
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
3.865
Vorrätig
1 : 1,08000 €
Stange
-
Stange
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V4 A (Tc)10V1,2Ohm bei 2,4A, 10V4V bei 250µA8.7 nC @ 10 V±20V200 pF @ 25 V-43W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-220ABTO-220-3
Angezeigt werden
1 - 25
von 4.726

Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln


Discrete Field Effect Transistors (FETs) are widely used in power conversion, motor control, solid-state lighting, and other applications where their characteristic ability to be switched on & off at high frequencies while carrying substantial amounts of current is advantageous. They are used almost universally for applications requiring voltage ratings of a few hundred volts or less, above which other device types such as IGBTs become more competitive.