Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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Serie

-CoolMOS™HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 6OptiMOS™5StrongIRFET™

Verpackung

Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Stange

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40 V60 V100 V150 V200 V250 V600 V

Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C

100mA (Ta)190mA (Ta)9 A (Tc)13 A (Tc)14 A (Tc)36A (Ta), 242A (Tc)51 A (Ta)62 A (Ta)130 A (Tc)171 A (Tc)180 A (Tc)

Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))

0V, 10V4,5V, 10V6V, 10V7V, 10V10V12V

Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs

0,55mOhm bei 100A, 10V0,8mOhm bei 100A, 10V1,4mOhm bei 100A, 10V1,5mOhm bei 50A, 10V1,6mOhm bei 100A, 10V1,9mOhm bei 100A, 10V2,6mOhm bei 180A, 10V4,5mOhm bei 75A, 10V5,9mOhm bei 103A, 10V9,7mOhm bei 81A, 10V40mOhm bei 13A, 12V65mOhm bei 8A, 12V6Ohm bei 190mA, 10V14Ohm bei 100mA, 10V

Vgs(th) (max.) bei Id

1V bei 56µA1,8V bei 13µA3V bei 145µA3V bei 90µA3,3V bei 95µA4V bei 250µA4,5V bei 490µA4,5V bei 790µA5V bei 250µA

Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs

0.63 nC @ 10 V2.3 nC @ 5 V51 nC @ 12 V83 nC @ 12 V89 nC @ 10 V102 nC @ 10 V109 nC @ 10 V162 nC @ 10 V170 nC @ 10 V210 nC @ 10 V227 nC @ 10 V233 nC @ 10 V241 nC @ 10 V305 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V±30V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds

15 pF @ 50 V60 pF @ 25 V1932 pF @ 300 V3127 pF @ 300 V4600 pF @ 30 V5200 pF @ 30 V7088 pF @ 25 V7300 pF @ 30 V9620 pF @ 50 V10470 pF @ 50 V10500 pF @ 30 V10720 pF @ 50 V11144 pF @ 25 V13800 pF @ 30 V

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)500mW (Ta)3,8W (Ta), 150W (Tc)3,8W (Ta), 167W (Tc)3,8W (Ta), 250W (Tc)3,8W (Ta), 300W (Tc)172W (Tc)195W (Tc)245W (Tc)250W (Tc)272W (Tc)370W (Tc)517W (Tc)520W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)

Montagetyp

DurchkontaktierungOberflächenmontage

Gehäusetyp vom Lieferanten

PG-HDSOP-22-1PG-HSOF-5-1PG-SOT23-3-U01PG-TO220-3TO-247AC

Gehäuse / Hülle

5-PowerSFN22-PowerBSOP-ModulTO-220-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-247-3

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Product Status	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle

BSS123IXTMA1 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 0,41000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07198 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	190mA (Ta)	4,5V, 10V	6Ohm bei 190mA, 10V	1,8V bei 13µA	0.63 nC @ 10 V	±20V	15 pF @ 50 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PG-SOT23-3-U01	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS139IXTMA1 250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 0,48000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13882 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	250 V	100mA (Ta)	0V, 10V	14Ohm bei 100mA, 10V	1V bei 56µA	2.3 nC @ 5 V	±20V	60 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PG-SOT23-3-U01	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IAUA250N04S6N008AUMA1 OPTIMOS POWER MOSFET Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 3,34000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 2,10276 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™ 6	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	51 A (Ta)	7V, 10V	0,8mOhm bei 100A, 10V	3V bei 90µA	109 nC @ 10 V	±20V	7088 pF @ 25 V	-	172W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	PG-HSOF-5-1	5-PowerSFN
IAUA250N04S6N005AUMA1 OPTIMOS POWER MOSFET Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 4,44000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 2,79395 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™ 6	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	62 A (Ta)	7V, 10V	0,55mOhm bei 100A, 10V	3V bei 145µA	170 nC @ 10 V	±20V	11144 pF @ 25 V	-	250W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	PG-HSOF-5-5	5-PowerSFN
IST015N06NM5AUMA1 OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 6,78000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 4,26474 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™5	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	36A (Ta), 242A (Tc)	6V, 10V	1,5mOhm bei 50A, 10V	3,3V bei 95µA	89 nC @ 10 V	±20V	5200 pF @ 30 V	-	3,8W (Ta), 167W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	PG-HSOF-5-1	5-PowerSFN
IPP030N06NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 1,65000 € Stange	StrongIRFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	-	6V, 10V	3.05mOhm @ 70A, 10V	3.3V @ 80µA	102 nC @ 10 V	±20V	4600 pF @ 30 V	-	3,8W (Ta), 150W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	-	TO-220-3
IRFP4110PBFXKMA1 TRENCH >=100V PG-TO247-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 5,51000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	180 A (Tc)	10V	4,5mOhm bei 75A, 10V	4V bei 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4568PBFXKMA1 TRENCH >=100V PG-TO247-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 9,28000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	171 A (Tc)	10V	5,9mOhm bei 103A, 10V	5V bei 250µA	227 nC @ 10 V	±30V	10470 pF @ 50 V	-	517W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IPP60R040S7XKSA1 HIGH POWER_NEW PG-TO220-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 10,52000 € Stange	CoolMOS™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	13 A (Tc)	12V	40mOhm bei 13A, 12V	4,5V bei 790µA	83 nC @ 12 V	±20V	3127 pF @ 300 V	-	245W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	PG-TO220-3	TO-220-3
IPDQ60R040S7XTMA1 HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 12,42000 € Gurtabschnitt (CT) 750 : 10,28929 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	CoolMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	14 A (Tc)	12V	40mOhm bei 13A, 12V	4,5V bei 790µA	83 nC @ 12 V	±20V	3127 pF @ 300 V	-	272W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PG-HDSOP-22-1	22-PowerBSOP-Modul
IPP014N06NF2SAKMA2 TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 3,95000 € Stange	StrongIRFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	-	6V, 10V	1,4mOhm bei 100A, 10V	3.3V @ 246µA	305 nC @ 10 V	±20V	13800 pF @ 30 V	-	3,8W (Ta), 300W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	-	TO-220-3
IRFP4668PBFXKMA1 TRENCH >=100V PG-TO247-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 10,20000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	130 A (Tc)	10V	9,7mOhm bei 81A, 10V	5V bei 250µA	241 nC @ 10 V	±30V	10720 pF @ 50 V	-	520W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IPP019N06NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 2,26000 € Stange	StrongIRFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	-	6V, 10V	1,9mOhm bei 100A, 10V	-	162 nC @ 10 V	±20V	7300 pF @ 30 V	-	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	-	TO-220-3
IPDQ60R065S7XTMA1 HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 10,65000 € Gurtabschnitt (CT) 750 : 7,77888 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	CoolMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	9 A (Tc)	12V	65mOhm bei 8A, 12V	4,5V bei 490µA	51 nC @ 12 V	±20V	1932 pF @ 300 V	-	195W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PG-HDSOP-22-1	22-PowerBSOP-Modul
IPP016N06NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 3,95000 € Stange	StrongIRFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	-	6V, 10V	1,6mOhm bei 100A, 10V	3.3V @ 186µA	233 nC @ 10 V	±20V	10500 pF @ 30 V	-	3,8W (Ta), 250W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	-	TO-220-3
IRFP4468PBFXKMA1 TRENCH >=100V PG-TO247-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	1 : 10,20000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	-	10V	2,6mOhm bei 180A, 10V	4V bei 250µA	540 nC @ 10 V	±20V	19860 pF @ 50 V	-	520W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3

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