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Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
BSS123IXTMA1
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 0,41000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07198 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V190mA (Ta)4,5V, 10V6Ohm bei 190mA, 10V1,8V bei 13µA0.63 nC @ 10 V±20V15 pF @ 50 V-500mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-SOT23-3-U01TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
BSS139IXTMA1
250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 0,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13882 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)250 V100mA (Ta)0V, 10V14Ohm bei 100mA, 10V1V bei 56µA2.3 nC @ 5 V±20V60 pF @ 25 V-360mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-SOT23-3-U01TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
0
Vorrätig
1 : 3,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 2,10276 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V51 A (Ta)7V, 10V0,8mOhm bei 100A, 10V3V bei 90µA109 nC @ 10 V±20V7088 pF @ 25 V-172W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontagePG-HSOF-5-15-PowerSFN
0
Vorrätig
1 : 4,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 2,79395 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V62 A (Ta)7V, 10V0,55mOhm bei 100A, 10V3V bei 145µA170 nC @ 10 V±20V11144 pF @ 25 V-250W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontagePG-HSOF-5-55-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 6,78000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 4,26474 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V36A (Ta), 242A (Tc)6V, 10V1,5mOhm bei 50A, 10V3,3V bei 95µA89 nC @ 10 V±20V5200 pF @ 30 V-3,8W (Ta), 167W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontagePG-HSOF-5-15-PowerSFN
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
IPP030N06NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 1,65000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V-6V, 10V3.05mOhm @ 70A, 10V3.3V @ 80µA102 nC @ 10 V±20V4600 pF @ 30 V-3,8W (Ta), 150W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Durchkontaktierung-TO-220-3
0
Vorrätig
1 : 5,51000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V180 A (Tc)10V4,5mOhm bei 75A, 10V4V bei 250µA210 nC @ 10 V±20V9620 pF @ 50 V-370W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247ACTO-247-3
0
Vorrätig
1 : 9,28000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)150 V171 A (Tc)10V5,9mOhm bei 103A, 10V5V bei 250µA227 nC @ 10 V±30V10470 pF @ 50 V-517W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247ACTO-247-3
HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
IPP60R040S7XKSA1
HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 10,52000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V13 A (Tc)12V40mOhm bei 13A, 12V4,5V bei 790µA83 nC @ 12 V±20V3127 pF @ 300 V-245W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungPG-TO220-3TO-220-3
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
IPDQ60R040S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 12,42000 €
Gurtabschnitt (CT)
750 : 10,28929 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V14 A (Tc)12V40mOhm bei 13A, 12V4,5V bei 790µA83 nC @ 12 V±20V3127 pF @ 300 V-272W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-HDSOP-22-122-PowerBSOP-Modul
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
IPP014N06NF2SAKMA2
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 3,95000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V-6V, 10V1,4mOhm bei 100A, 10V3.3V @ 246µA305 nC @ 10 V±20V13800 pF @ 30 V-3,8W (Ta), 300W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Durchkontaktierung-TO-220-3
0
Vorrätig
1 : 10,20000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)200 V130 A (Tc)10V9,7mOhm bei 81A, 10V5V bei 250µA241 nC @ 10 V±30V10720 pF @ 50 V-520W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247ACTO-247-3
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
IPP019N06NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 2,26000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V-6V, 10V1,9mOhm bei 100A, 10V-162 nC @ 10 V±20V7300 pF @ 30 V---55°C bis 175°C (TJ)Durchkontaktierung-TO-220-3
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
IPDQ60R065S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 10,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
750 : 7,77888 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V9 A (Tc)12V65mOhm bei 8A, 12V4,5V bei 490µA51 nC @ 12 V±20V1932 pF @ 300 V-195W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-HDSOP-22-122-PowerBSOP-Modul
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
IPP016N06NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 3,95000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V-6V, 10V1,6mOhm bei 100A, 10V3.3V @ 186µA233 nC @ 10 V±20V10500 pF @ 30 V-3,8W (Ta), 250W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Durchkontaktierung-TO-220-3
0
Vorrätig
1 : 10,20000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V-10V2,6mOhm bei 180A, 10V4V bei 250µA540 nC @ 10 V±20V19860 pF @ 50 V-520W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247ACTO-247-3
Angezeigt werden
1 - 16
von 16

Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.