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Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
444.199
Vorrätig
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04852 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 0,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16282 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V3,7 A (Ta)2,5V, 4,5V65mOhm bei 3,7A, 4,5V1,2V bei 250µA12 nC @ 5 V±12V633 pF @ 10 V-1,3W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageMicro3™/SOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.