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Gehäuse
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Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
Leistung - Max.
Frequenz - Übergang
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT23
BC817-16,235
TRANS NPN 45V 0.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
47.387
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02525 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivNPN500 mA45 V700mV bei 50mA, 500mA100 nA (ICBO)100 bei 100mA, 1V250 mW100MHz150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB
SOT223
BCP53-16,115
TRANS PNP 80V 1A SOT223
Nexperia USA Inc.
11.948
Vorrätig
1 : 0,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 0,12069 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivPNP1 A80 V500mV bei 50mA, 500mA100 nA (ICBO)100 bei 150mA, 2V1 W145MHz150°C (TJ)OberflächenmontageTO-261-4, TO-261AASOT-223
SOT89-3
FCX790ATA
TRANS PNP 40V 2A SOT89-3
Diodes Incorporated
12.806
Vorrätig
1 : 0,61000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 0,23646 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivPNP2 A40 V450mV bei 50mA, 2A100 nA (ICBO)300 bei 10mA, 2V2 W100MHz-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-243AASOT-89-3
SOT-323
BC817-40W,115
TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
Nexperia USA Inc.
0
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03765 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivNPN500 mA45 V700mV bei 50mA, 500mA100 nA (ICBO)250 bei 100mA, 1V200 mW100MHz150°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323SOT-323
SOT-23-3
MMBT5401LT1G
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
onsemi
0
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03913 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Lose im Beutel
AktivPNP500 mA150 V500mV bei 5mA, 50mA50 nA (ICBO)60 bei 10mA, 5V300 mW300MHz-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln


Diskrete Bipolartransistoren (BJTs) werden häufig zur Verstärkung analoger Signale in Audio-, Funk- und anderen Anwendungen verwendet. Es handelt sich hierbei um eine der ersten serienmäßig hergestellten Halbleiterkomponenten. Sie eignen sich weniger gut als andere Komponententypen für Anwendungen mit hochfrequenten Schaltvorgängen und hohen Strömen oder Spannungen. Sie stellen jedoch nach wie vor eine gute Wahl für Anwendungen dar, bei denen analoge Signale mit minimalem zusätzlichen Rauschen und möglichst wenig Verzerrungen reproduziert werden müssen.