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Gehäusetyp vom Lieferanten
PDV-P8103
PDV-P8103
CDS PHOTORESISTOR 16-33KOHM
Advanced Photonix
17.609
Vorrätig
1 : 1,20000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms500 kOhms @ 10 s16 bis 33kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV-P8104
PDV-P8104
CDS PHOTORESISTOR 27-60KOHM
Advanced Photonix
8.837
Vorrätig
1 : 1,44000 €
Tasche
-
Tasche
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms2 MOhms @ 10 s27 bis 60kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
16.194
Vorrätig
1 : 1,71000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm100Vpk--20 MOhms @ 10 s20 bis 100kOhm bei 10 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9203
CDS PHOTORES 10K-30KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
6.131
Vorrätig
1 : 1,99000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk70 ms15 ms5 MOhms @ 10 s10 bis 30kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
Plastic-TO-18-Photocell
NSL-6112
CDS PHOTORESISTOR
Advanced Photonix
12.074
Vorrätig
1 : 2,73000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv690nm100Vpk--1.3 MOhms @ 5 s0,17 bis 2kOhm bei 21 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9008
CDS PHOTORES 520NM 10K-200KOHM
Advanced Photonix
25.014
Vorrätig
1 : 2,93000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms20 MOhms @ 10 s10 bis 200kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
NORPS-12
NORPS-12
CDS PHOTORESISTOR
Advanced Photonix
3.485
Vorrätig
1 : 3,59000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm250Vpk--1 MOhms @ 15 s5,4 bis 12,6kOhm bei 10 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadialTO-18
NSL-06S53, NSL-x1x0
NSL-5110
CDS PHOTORESISTOR
Advanced Photonix
3.226
Vorrätig
1 : 5,01000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm100Vpk--670 kOhms @ 5 s0,7 bis 10kOhm bei 10 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadialTO-18
8.056
Vorrätig
1 : 5,16000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm100Vpk--20 MOhms @ 10 s20 bis 100kOhm bei 10 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadialTO-18
NSL-06S53, NSL-x1x0
NSL-4140
CDS PHOTORESISTOR 250OHM TO-18
Advanced Photonix
1.384
Vorrätig
1 : 6,30000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm100Vpk--800 kOhms @ 5 s8,4 bis 19,6kOhm bei 10 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadialTO-18
NSL-x9x0
NSL-4960
CDS PHOTORESISTOR
Advanced Photonix
4.756
Vorrätig
1 : 8,21000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv515nm320Vpk--1 MOhms @ 5 s0,5 bis 17kOhm bei 10 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadialTO-8
NSL-5910
NSL-5910
CDS PHOTORESISTOR TO-8 HERMETIC
Advanced Photonix
5.915
Vorrätig
1 : 9,11000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm170Vpk--100 kOhms @ 5 s1 bis 2kOhm bei 21 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadialTO-8
NSL-x9x0
NSL-6910
CDS PHOTORESISTOR
Advanced Photonix
1.712
Vorrätig
1 : 10,34000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv690nm170Vpk--67 kOhms @ 5 s25 bis 250Ohm bei 21 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadialTO-8
NSL Type
NSL-5112
CDS PHOTORESISTOR 700OHM TO-18
Advanced Photonix
5.106
Vorrätig
1 : 1,44000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm100Vpk--670 kOhms @ 5 s6 bis 14kOhm bei 21 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
NSL Type
NSL-5152
CDS PHOTORESISTOR 400OHM TO-18
Advanced Photonix
2.103
Vorrätig
1 : 1,44000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm100Vpk--5 MOhms @ 5 s10 bis 20kOhm bei 21 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
Plastic-TO-18-Photocell
NSL-5162
CDS PHOTORESISTOR
Advanced Photonix
19.506
Vorrätig
1 : 1,81000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv550nm100Vpk--67 MOhms @ 5 s3 bis 100kOhm bei 10 lux-60°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9006
CDS PHOTORES 80K-200KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
5.262
Vorrätig
1 : 1,99000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms5 MOhms @ 10 s80 bis 200kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9004
CDS PHOTORES 27K-60KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
2.699
Vorrätig
1 : 1,99000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms2 MOhms @ 10 s27 bis 60kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9005-1
CDS PHOTORES 48K-140KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
1.621
Vorrätig
1 : 1,99000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms20 MOhms @ 10 s48 bis 140kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9003-1
CDS PHOTORES 23K-33KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
5.826
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms1 MOhms @ 10 s23 bis 33kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9003
CDS PHOTORES 16K-33KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
1.710
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms1 MOhms @ 10 s16 bis 33kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9002-1
CDS PHOTORES 11K-27KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
1.010
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms500 kOhms @ 10 s11 bis 27kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9002
CDS PHOTORESIST 9K-20KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
20.494
Vorrätig
1 : 2,19000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms500 kOhms @ 10 s9 bis 20kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV-P9001
PDV-P9001
CDS PHOTORESIST 4K-11KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
6.525
Vorrätig
1 : 2,23000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms300 kOhms @ 10 s4 bis 11kOhm bei 10 lux-25°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
PDV Series
PDV-P9007
CDS PHOTORES 10K-100KOHM 4.20MM
Advanced Photonix
4.646
Vorrätig
1 : 2,31000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv520nm150Vpk60 ms25 ms1 MOhms @ 10 s10 bis 100kOhm bei 10 lux-30°C bis 75°C (TA)DurchkontaktierungRadial-
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1 - 25
von 49

Optische Sensoren - Fotodetektoren - CdS-Zellen


Kadmiumsulfid(CdS)-Fotodetektoren, auch bekannt als Fotowiderstände, lichtabhängige Widerstände (LDRs) oder fotoleitende Zellen, sind Hochwiderstandshalbleiter, die als lichtgesteuerte veränderliche Widerstände operieren. Der Widerstand eines Fotowiderstands nimmt mit zunehmender Intensität des einfallenden Lichts ab. Die Auswahl von Fotowiderständen erfolgt nach Zellenwiderstand, max. Spannung und Anstiegs- und Abfallzeiten.