JFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	Strom, Drain (Id) - max.	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Widerstand - RDS(On)	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

IJW120R070T1FKSA1 JFET PWR FIELD EFFECT Infineon Technologies	330 Marktplatz	10 : 30,06100 € Lose im Beutel	CoolSiC™	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	1.2 kV	1.2 kV	3.3 µA @ 1.2 kV	35 A	2000pF bei 19,5V (VGS)	70 mOhms	238 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3
IJW120R070T1FKSA1 JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig	Obsolet	CoolSiC™	Stange	Obsolet	N-Kanal	1200 V	1200 V	3.3 µA @ 1200 V	35 A	2000pF bei 19,5V (VGS)	70 mOhms	238 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3
IJW120R100T1FKSA1 JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Infineon Technologies	0 Vorrätig 6.860 Marktplatz	15 : 19,08133 € Stange	CoolSiC™	Stange Stange	Obsolet	N-Kanal	1200 V	1200 V	1.5 µA @ 1200 V	26 A	1550pF bei 19,5V (VGS)	100 mOhms	190 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3

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Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.