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Preis
Serie
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Produktstatus
FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
330
Marktplatz
10 : 30,06100 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
AktivN-Kanal1.2 kV1.2 kV3.3 µA @ 1.2 kV35 A2000pF bei 19,5V (VGS)70 mOhms238 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3PG-TO247-3
JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3
IJW120R070T1FKSA1
JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
Obsolet
Stange
ObsoletN-Kanal1200 V1200 V3.3 µA @ 1200 V35 A2000pF bei 19,5V (VGS)70 mOhms238 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3PG-TO247-3
TO-247-3 AC EP
IJW120R100T1FKSA1
JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
6.860
Marktplatz
15 : 19,08133 €
Stange
Stange
Stange
ObsoletN-Kanal1200 V1200 V1.5 µA @ 1200 V26 A1550pF bei 19,5V (VGS)100 mOhms190 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3PG-TO247-3
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JFETs


Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.