FET- und MOSFET-Arrays

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Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
CoolMOS SERIES SP3
APTC60DSKM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
7
Vorrätig
1 : 83,60000 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP3
SP3
ISOPLUS264
LKK47-06C5
MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
IXYS
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
250 : 26,86772 €
Stange
Stange
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
600V
47A
45mOhm bei 44A, 10V
3,9V bei 3mA
190nC bei 10V
6800pF bei 100V
-
-55°C bis 150°C (TJ)
Durchkontaktierung
TO-264-3, TO-264AA
ISOPLUS264™
MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
APTC60AM42F2G
MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
Microsemi Corporation
0
Vorrätig
100 : 32,27750 €
Tablett
Tablett
Obsolet
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (Phasenabschnitt)
-
600V
66A
42mOhm bei 33A, 10V
5V bei 6mA
510nC bei 10V
14600pF bei 25V
416W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP2
SP2
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
APTC90DDA12T1G
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Microsemi Corporation
0
Vorrätig
12 : 45,97250 €
Tablett
Tablett
Obsolet
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)
-
900V
30A
120mOhm bei 26A, 10V
3,5V bei 3mA
270nC bei 10V
6800pF bei 100V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
APTC90DSK12T1G
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Microsemi Corporation
0
Vorrätig
12 : 45,97250 €
Tablett
Tablett
Obsolet
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)
-
900V
30A
120mOhm bei 26A, 10V
3,5V bei 3mA
270nC bei 10V
6800pF bei 100V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
APTC60DDAM70T1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
17 : 53,56059 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)
-
600V
39A
70mOhm bei 39A, 10V
3,9V bei 2,7mA
259nC bei 10V
7000pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
APTC60DDAM45T1G
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
14 : 55,01643 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)
-
600V
49A
45mOhm bei 24,5A, 10V
3,9V bei 3mA
150nC bei 10V
7200pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
APTC60VDAM45T1G
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
14 : 55,01643 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
600V
49A
45mOhm bei 24,5A, 10V
3,9V bei 3mA
150nC bei 10V
7200pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
APTC60AM45BC1G
APTC60AM45B1G
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
12 : 66,43500 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
3 N-Kanal (Phasenabschnitt + Boost-Chopper)
-
600V
49A
45mOhm bei 24,5A, 10V
3,9V bei 3mA
150nC bei 10V
7200pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
APTC60DDAM70CT1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Microsemi Corporation
0
Vorrätig
8 : 67,40125 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Obsolet
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
600V
39A
70mOhm bei 39A, 10V
3,9V bei 2,7mA
259nC bei 10V
7000pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
APTC60AM45BC1G
APTC60AM45BC1G
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
11 : 69,05545 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
3 N-Kanal (Phasenabschnitt + Boost-Chopper)
-
600V
49A
45mOhm bei 24,5A, 10V
3,9V bei 3mA
150nC bei 10V
7200pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP1
SP1
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
APTC90H12T2G
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Microsemi Corporation
0
Vorrätig
8 : 76,47750 €
Tablett
Tablett
Obsolet
MOSFET (Metalloxid)
4 N-Kanal (Vollbrücke)
-
900V
30A
120mOhm bei 26A, 10V
3,5V bei 3mA
270nC bei 10V
6800pF bei 100V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP2
SP2
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
APTC60DHM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
7 : 81,32143 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N-Kanal (zweifach), asymmetrisch
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
APTC60DDAM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
9 : 83,59889 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
APTC60VDAM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
9 : 83,59889 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP3
SP3
APTC60BBM24T3G
APTC60BBM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
9 : 85,27556 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (Halbbrücke)
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
-
SP3
SP3
APTC60HM70RT3G
APTC60HM70RT3G
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
12 : 89,32417 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
4 N-Kanal (Vollbrücke) + Brückengleichrichter
-
600V
39A
70mOhm bei 39A, 10V
3,9V bei 2,7mA
259nC bei 10V
7000pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
-
SP3
SP3
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
APTC60HM70BT3G
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
8 : 105,14375 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
4 N-Kanal (Vollbrücke)
Logikpegel-Gate
600V
39A
70mOhm bei 39A, 10V
3,9V bei 2,7mA
259nC bei 10V
700pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP3
SP3
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
APTC60HM45SCTG
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
6 : 129,28167 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
4 N-Kanal (Vollbrücke)
-
600V
49A
45mOhm bei 22,5A, 10V
3,9V bei 3mA
150nC bei 10V
7200pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP4
SP4
MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
APTC60HM24T3G
MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
6 : 130,18333 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
4 N-Kanal (Vollbrücke)
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
APTC60AM24SCTG
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
6 : 130,41000 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (Phasenabschnitt)
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP4
SP4
APTC60TAM24TPG
APTC60TAM24TPG
MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
4 : 226,56500 €
Tablett
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)
-
600V
95A
24mOhm bei 47,5A, 10V
3,9V bei 5mA
300nC bei 10V
14400pF bei 25V
462W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP6
SP6-P
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
APTC60TAM21SCTPAG
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
Microchip Technology
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
3 : 327,28333 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)
-
600V
116A
21mOhm bei 88A, 10V
3,6V bei 6mA
580nC bei 10V
13000pF bei 100V
625W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
Modul
SP6-P
APTC60AM18SCG
APTC60AM18SCG
MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6
Microchip Technology
0
Vorrätig
Obsolet
Lose im Beutel
Obsolet
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (Halbbrücke)
-
600V
143A
18mOhm bei 71,5A, 10V
3,9V bei 4mA
1036nC bei 10V
28000pF bei 25V
833W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP6
SP6
APTM50HM75STG
APTC60HM70SCTG
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4
Microchip Technology
0
Vorrätig
Obsolet
Lose im Beutel
Obsolet
MOSFET (Metalloxid)
4 N-Kanal (Vollbrücke)
-
600V
39A
70mOhm bei 39A, 10V
3,9V bei 2,7mA
259nC bei 10V
7000pF bei 25V
250W
-40°C bis 150°C (TJ)
Chassisbefestigung
SP4
SP4
Angezeigt werden
von 26

FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.