Einzelne IGBTs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	IGBT-Typ	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Leistung - Max.	Schaltenergie	Eingangstyp	Gate-Ladung	Td (on/off) bei 25°C	Testbedingung	Umkehrerholungszeit (trr)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

IGW30N60TPXKSA1 IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 Infineon Technologies	2.414 Vorrätig	1 : 2,37000 € Stange	TrenchStop™	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	Trench Feldstopp	600 V	53 A	90 A	1,8V bei 15V, 30A	200 W	710µJ (Ein), 420µJ (Aus)	Standard	130 nC	15ns/179ns	400V, 30A, 10,5Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3
IGW30N60H3FKSA1 IGBT 600V 60A 187W TO247-3 Infineon Technologies	2.137 Vorrätig	1 : 3,24000 € Stange	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	600 V	60 A	120 A	2,4V bei 15V, 30A	187 W	1,38 mJ	Standard	165 nC	21ns/207ns	400V, 30A, 10,5Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
IHW20N120R5XKSA1 IGBT 1200V 40A TO247-3 Infineon Technologies	451 Vorrätig	1 : 4,06000 € Stange	TrenchStop®	Stange	Aktiv	-	1200 V	40 A	60 A	1,75V bei 15V, 20A	288 W	750µJ (Aus)	Standard	170 nC	-/260ns	600V, 20A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3
IGW25N120H3FKSA1 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 Infineon Technologies	292 Vorrätig	1 : 5,57000 € Stange	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	50 A	100 A	2,4V bei 15V, 25A	326 W	2,65 mJ	Standard	115 nC	27ns/277ns	600V, 25A, 23Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
APT25GT120BRG IGBT 1200V 54A 347W TO247 Microchip Technology	430 Vorrätig	1 : 6,02000 € Stange	Thunderbolt IGBT®	Stange	Aktiv	NPT	1200 V	54 A	75 A	3,7V bei 15V, 25A	347 W	930µJ (Ein), 720µJ (Aus)	Standard	170 nC	14ns/150ns	800V, 25A, 5Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 [B]
IGW40N120H3FKSA1 IGBT 1200V 80A 483W TO247-3 Infineon Technologies	323 Vorrätig	1 : 6,60000 € Stange	TrenchStop®	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	Trench Feldstopp	1200 V	80 A	160 A	2,4V bei 15V, 40A	483 W	3,16 mJ	Standard	185 nC	30ns/290ns	600V, 40A, 12Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
IKW40T120FKSA1 IGBT 1200V 75A 270W TO247-3 Infineon Technologies	1.435 Vorrätig	1 : 7,51000 € Stange	TrenchStop®	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	NPT, Trench Feldstopp	1200 V	75 A	105 A	2,3V bei 15V, 40A	270 W	6,5 mJ	Standard	203 nC	48ns/480ns	600V, 40A, 15Ohm, 15V	240 ns	-40°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
RGS30TSX2DHRC11 IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N Rohm Semiconductor	543 Vorrätig	1 : 7,64000 € Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	30 A	45 A	2,1V bei 15V, 15A	267 W	740µJ (Ein), 600µJ (Aus)	Standard	41 nC	30ns/70ns	600V, 15A, 10Ohm, 15V	157 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
IKW40N120T2FKSA1 IGBT 1200V 75A 480W TO247-3 Infineon Technologies	1.517 Vorrätig	1 : 8,60000 € Stange	TrenchStop®	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	Schlitz	1200 V	75 A	160 A	2,2V bei 15V, 40A	480 W	5,25 mJ	Standard	192 nC	33ns/314ns	600V, 40A, 12Ohm, 15V	258 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
IXYH16N170C IGBT 1.7KV 40A TO247 IXYS	1.759 Vorrätig	1 : 10,06000 € Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	1700 V	40 A	100 A	3,8V bei 15V, 16A	310 W	2,1mJ (Ein), 1,5mJ (Aus)	Standard	56 nC	11ns/140ns	850V, 16A, 10Ohm, 15V	19 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 (IXYH)
IKQ75N120CS6XKSA1 IGBT 1200V 75A TO247-3-46 Infineon Technologies	172 Vorrätig	1 : 10,14000 € Stange	TrenchStop™	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	150 A	300 A	2,15V bei 15V, 75A	880 W	5,15mJ (Ein), 2,95mJ (Aus)	Standard	530 nC	34ns/300ns	600V, 75A, 4Ohm, 15V	440 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-46
APT50GS60BRDQ2G IGBT 600V 93A 415W TO247 Microchip Technology	4.295 Vorrätig	1 : 12,12000 € Stange	Thunderbolt IGBT®	Stange	Aktiv	NPT	600 V	93 A	195 A	3,15V bei 15V, 50A	415 W	755µJ (Aus)	Standard	235 nC	16ns/225ns	400V, 40A, 4,7Ohm, 15V	25 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 [B]
IXYH50N120C3D1 IGBT 1200V 90A 625W TO247 IXYS	2.576 Vorrätig	1 : 12,95000 € Stange	GenX3™, XPT™	Stange	Aktiv	-	1200 V	90 A	210 A	4V bei 15V, 50A	625 W	3mJ (Ein), 1mJ (Aus)	Standard	142 nC	28ns/133ns	600V, 50A, 5Ohm, 15V	195 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 (IXTH)
IXYH24N170C IGBT 1.7KV 58A TO247-3 IXYS	437 Vorrätig	1 : 13,07000 € Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	1700 V	58 A	145 A	3,8V bei 15V, 20A	500 W	4,9mJ (Ein), 1,95mJ (Aus)	Standard	96 nC	12ns/160ns	960V, 30A, 15Ohm, 15V	30 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 (IXYH)
IXYH24N170CV1 IGBT 1.7KV 58A TO247 IXYS	235 Vorrätig	1 : 16,04000 € Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	1700 V	58 A	140 A	4V bei 15V, 24A	500 W	3,6mJ (Ein), 1,76mJ (Aus)	Standard	96 nC	16ns/155ns	850V, 24A, 5Ohm, 15V	170 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 (IXYH)
IXGT32N170-TRL IGBT 1700V 75A 350W TO268 IXYS	779 Vorrätig	1 : 22,63000 € Gurtabschnitt (CT) 400 : 17,00260 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	NPT	1700 V	75 A	200 A	3,3V bei 15V, 32A	350 W	11 mJ (Aus)	Standard	155 nC	45ns/270ns	1020V, 32A, 2,7Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA	TO-268AA
IKY75N120CH3XKSA1 IGBT 1200V 150A TO247-4 Infineon Technologies	425 Vorrätig	1 : 17,48000 € Stange	-	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	-	1200 V	150 A	300 A	2,35V bei 15V, 75A	938 W	3,4mJ (Ein), 2,9mJ (Aus)	Standard	370 nC	38ns/303ns	600V, 75A, 6Ohm, 15V	292 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-4	PG-TO247-4
IXYH82N120C3 IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD IXYS	957 Vorrätig 1.020 Factory	1 : 18,42000 € Stange	GenX3™, XPT™	Stange	Aktiv	-	1200 V	200 A	380 A	3,2V bei 15V, 82A	1250 W	4,95mJ (Ein), 2,78mJ (Aus)	Standard	215 nC	29ns/192ns	600V, 80A, 2Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 (IXYH)
IXYK140N90C3 IGBT 900V 310A 1630W TO264 IXYS	1.159 Vorrätig 250 Factory	1 : 19,95000 € Stange	GenX3™, XPT™	Stange	Aktiv	-	900 V	310 A	840 A	2,7V bei 15V, 140A	1630 W	4,3mJ (Ein), 4mJ (Aus)	Standard	330 nC	40ns/145ns	450V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264 (IXYK)
IXGH32N170 IGBT 1700V 75A 350W TO247AD IXYS	221 Vorrätig	1 : 21,90000 € Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	1700 V	75 A	200 A	3,3V bei 15V, 32A	350 W	11 mJ (Aus)	Standard	155 nC	45ns/270ns	1020V, 32A, 2,7Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXYX30N170CV1 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB IXYS	2.388 Vorrätig	1 : 23,50000 € Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	1700 V	108 A	255 A	3,7V bei 15V, 30A	937 W	5,9mJ (Ein), 3,3mJ Aus)	Standard	140 nC	28ns/150ns	850V, 30A, 2,7Ohm, 15V	160 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247 IXYS	1.328 Vorrätig	1 : 26,85000 € Lose im Beutel	BIMOSFET™	Lose im Beutel	Aktiv	-	1700 V	80 A	300 A	2,8V bei 15V, 42A	360 W	-	Standard	188 nC	-	-	1.32 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXBH12N300 IGBT 3000V 30A 160W TO247 IXYS	279 Vorrätig	1 : 31,43000 € Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	3000 V	30 A	100 A	3,2V bei 15V, 12A	160 W	-	Standard	62 nC	-	-	1.4 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXYT25N250CHV IGBT 2500V 235A TO-268HV IXYS	710 Vorrätig	1 : 34,04000 € Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	2500 V	95 A	235 A	4V bei 15V, 25A	937 W	8,3mJ (Ein), 7,3mJ (Aus)	Standard	147 nC	15ns/230ns	1250V, 25A, 5Ohm, 15V	34 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA	TO-268
IXBH42N250 BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A IXYS	683 Vorrätig 240 Factory	1 : 35,50000 € Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	2500 V	104 A	400 A	3V bei 15V, 42A	500 W	-	Standard	200 nC	72ns/445ns	1250V, 42A, 20Ohm, 15V	1.7 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD

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Einzel-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die für hohe Ströme ausgelegt sind und schnelle Schaltvorgänge ermöglichen. Zu den charakteristischen Merkmalen zählen Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, Kollektorstrom, Impulskollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gateladung.

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