Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 19
Hersteller
Diodes IncorporatedonsemiSTMicroelectronics
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Lose im BeutelStange
Produktstatus
AktivObsolet
FET-Typ
N-KanalP-Kanal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V40 V60 V80 V100 V600 V650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
115mA (Ta)1,5 A (Ta)7 A (Ta), 28 A (Tc)7,7 A (Tc)8,5 A (Ta)9,4 A (Ta)11 A (Ta), 35 A (Tc)11 A (Ta), 55 A (Tc)37 A (Tc)46 A (Ta), 300 A (Tc)50 A (Tc)53 A (Ta), 378 A (Tc)56 A (Tc)240 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V5V, 10V6V, 10V10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,53mOhm bei 50A, 10V0,7mOhm bei 50A, 10V0,92mOhm bei 50A, 10V1,6mOhm bei 25A, 10V12mOhm bei 11,5A, 10V13mOhm bei 20A, 10V18mOhm bei 10A, 10V21mOhm bei 10A, 10V30mOhm bei 10A, 10V42mOhm bei 28A, 10V63mOhm bei 25A, 10V97mOhm bei 18,5A, 10V250mOhm bei 3,2A, 10V1,4Ohm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 1mA2V bei 250µA2,1V bei 250µA3V bei 250µA3,5V bei 250µA3,7V bei 1,4mA4V bei 250µA4,75V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7.7 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V11.3 nC @ 10 V13.2 nC @ 10 V15.3 nC @ 10 V25.2 nC @ 10 V51 nC @ 10 V52.6 nC @ 10 V77 nC @ 10 V80 nC @ 10 V86 nC @ 10 V98 nC @ 10 V128 nC @ 10 V485 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V±20V±25V±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V405 pF @ 50 V697 pF @ 15 V740 pF @ 25 V886 pF @ 50 V925 pF @ 30 V1680 pF @ 25 V2147 pF @ 15 V2211 pF @ 100 V3344 pF @ 100 V4444 pF @ 100 V5000 pF @ 15 V6100 pF @ 25 V8400 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)1W (Ta)1,06W (Ta)1,1W (Ta)1,2W (Ta), 136W (Tc)3,5W (Ta), 56W (Tc)3,8W (Ta), 94W (Tc)3,9W (Ta), 166W (Tc)3,9W (Ta), 200W (Tc)125W (Tc)320W (Tc)390W (Tc)391W (Tc)-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
DurchkontaktierungOberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)EinsatzPOWERDI3333-8PowerDI3333-8 (Typ UX)PowerDI5060-8 (Typ K)SOT-26SOT-323TO-220AB (Typ TH)TO-247 lange AnschlüsseU-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
Gehäuse / Hülle
6-UDFN mit freiliegendem Pad8-PowerTDFN8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse8-PowerVDFNEinsatzSC-70, SOT-323SOT-23-6TO-220-3TO-247-3
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Preis
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Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
0
Vorrätig
17.360
Marktplatz
17.360 : 0,04458 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
80 V
620A (Ta)
10V
0,53mOhm bei 50A, 10V
3,7V bei 1,4mA
485 nC @ 10 V
±20V
31000 pF @ 48 V
-
-
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
Einsatz
Einsatz
PowerDI3333-8
DMN3018SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
15.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
3.000 : 0,14326 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
8,5 A (Ta)
4,5V, 10V
21mOhm bei 10A, 10V
2,1V bei 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3018SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
18.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
2.000 : 0,15044 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
8,5 A (Ta)
4,5V, 10V
21mOhm bei 10A, 10V
2,1V bei 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
U-DFN2020-6
DMTH6016LFDFWQ-13
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
30.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
10.000 : 0,23928 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
9,4 A (Ta)
4,5V, 10V
18mOhm bei 10A, 10V
3V bei 250µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
925 pF @ 30 V
-
1,06W (Ta)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
6-UDFN mit freiliegendem Pad
U-DFN2020-6
DMTH6016LFDFWQ-7
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
18.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
3.000 : 0,24967 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
9,4 A (Ta)
4,5V, 10V
18mOhm bei 10A, 10V
3V bei 250µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
925 pF @ 30 V
-
1,06W (Ta)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
6-UDFN mit freiliegendem Pad
SOT 26
ZXMN10A08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
117.000
Fabrik
Informationen zur Lieferzeit
3.000 : 0,28029 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
1,5 A (Ta)
6V, 10V
250mOhm bei 3,2A, 10V
4V bei 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 50 V
-
1,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
SOT-26
SOT-23-6
PowerDI5060-8
DMTH3002LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
2.500 : 0,44513 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
240 A (Tc)
4,5V, 10V
1,6mOhm bei 25A, 10V
2V bei 1mA
77 nC @ 10 V
±16V
5000 pF @ 15 V
-
1,2W (Ta), 136W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
PowerDI5060-8 (Typ K)
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B75NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 7A/28A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
1.500 : 0,57241 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
7 A (Ta), 28 A (Tc)
4,5V, 10V
30mOhm bei 10A, 10V
3V bei 250µA
11.3 nC @ 10 V
±16V
740 pF @ 25 V
-
3,5W (Ta), 56W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
600 : 3,23650 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
37 A (Tc)
10V
97mOhm bei 18,5A, 10V
4,75V bei 250µA
52.6 nC @ 10 V
±25V
2211 pF @ 100 V
-
320W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Durchkontaktierung
TO-247 lange Anschlüsse
TO-247-3
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
600 : 3,77593 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
50 A (Tc)
10V
63mOhm bei 25A, 10V
4,75V bei 250µA
80 nC @ 10 V
±25V
3344 pF @ 100 V
-
391W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Durchkontaktierung
TO-247 lange Anschlüsse
TO-247-3
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
600 : 7,53960 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
56 A (Tc)
10V
42mOhm bei 28A, 10V
4,75V bei 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4444 pF @ 100 V
-
390W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Durchkontaktierung
TO-247 lange Anschlüsse
TO-247-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B14NLWFT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
Aktiv
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
11 A (Ta), 55 A (Tc)
4,5V, 10V
13mOhm bei 20A, 10V
3V bei 250µA
8 nC @ 4.5 V
±16V
1680 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 94W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
TO-220-3
DMG7N65SCT
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
Obsolet
Stange
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
7,7 A (Tc)
10V
1,4Ohm bei 2,5A, 10V
4V bei 250µA
25.2 nC @ 10 V
±30V
886 pF @ 50 V
-
125W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Durchkontaktierung
TO-220AB (Typ TH)
TO-220-3
SOT-323
2N7002WKX-13
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
Obsolet
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
2N7002WKX-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
Obsolet
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
PowerDI3333-8
DMP3018SFVQ-13
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
Obsolet
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
11 A (Ta), 35 A (Tc)
4,5V, 10V
12mOhm bei 11,5A, 10V
3V bei 250µA
51 nC @ 10 V
±25V
2147 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
PowerDI3333-8 (Typ UX)
8-PowerVDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C410NWFT1G-M
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
Obsolet
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
46 A (Ta), 300 A (Tc)
10V
0,92mOhm bei 50A, 10V
3,5V bei 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 25 V
-
3,9W (Ta), 166W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C404NWFT1G-M
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
Obsolet
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
53 A (Ta), 378 A (Tc)
10V
0,7mOhm bei 50A, 10V
4V bei 250µA
128 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 25 V
-
3,9W (Ta), 200W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C404NWFT1G-K
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
Obsolet
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Obsolet
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
53 A (Ta), 378 A (Tc)
10V
0,7mOhm bei 50A, 10V
4V bei 250µA
128 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 25 V
-
3,9W (Ta), 200W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Oberflächenmontage
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Angezeigt werden
von 19

Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.