Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
SIHB068N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK Vishay Siliconix	3.412 Vorrätig	1 : 5,43000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	41 A (Tc)	10V	68mOhm bei 16A, 10V	5V bei 250µA	77 nC @ 10 V	±30V	2628 pF @ 100 V	-	250W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SIHH240N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8 Vishay Siliconix	1.480 Vorrätig	1 : 3,27000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 1,08826 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	EF	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	12 A (Tc)	10V	240mOhm bei 5,5A, 10V	5V bei 250µA	23 nC @ 10 V	±30V	783 pF @ 100 V	-	89W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® 8 x 8	8-PowerTDFN
SIHD186N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A DPAK Vishay Siliconix	6.065 Vorrätig	1 : 2,99000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	19 A (Tc)	10V	201mOhm bei 9,5A, 10V	5V bei 250µA	32 nC @ 10 V	±30V	1118 pF @ 100 V	-	156W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SIHB186N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK Vishay Siliconix	3.274 Vorrätig	1 : 3,41000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	8,4 A (Tc)	10V	193mOhm bei 9,5A, 10V	5V bei 250µA	32 nC @ 10 V	±30V	1081 pF @ 100 V	-	156W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SIHB105N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Vishay Siliconix	5.303 Vorrätig	1 : 3,51000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	29 A (Tc)	10V	102mOhm bei 13A, 10V	5V bei 250µA	53 nC @ 10 V	±30V	1804 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SIHG21N80AEF-GE3 E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	229 Vorrätig	1 : 3,75000 € Lose im Beutel	EF	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	800 V	16,3 A (Tc)	10V	250mOhm bei 8,5A, 10V	4V bei 250µA	71 nC @ 10 V	±30V	1511 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SIHA22N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A TO220 Vishay Siliconix	761 Vorrätig	1 : 3,82000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	19 A (Tc)	10V	182mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	96 nC @ 10 V	±30V	1423 pF @ 100 V	-	33W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220 voller Pack	TO-220-3 voller Pack
SIHG105N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC Vishay Siliconix	315 Vorrätig	1 : 4,51000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	29 A (Tc)	10V	102mOhm bei 13A, 10V	5V bei 250µA	53 nC @ 10 V	±30V	1804 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SIHH186N60EF-T1GE3 MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8 Vishay Siliconix	4.548 Vorrätig	1 : 5,05000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 1,94980 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	EF	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	16 A (Tc)	10V	193mOhm bei 9,5A, 10V	5V bei 250µA	32 nC @ 10 V	±30V	1081 pF @ 100 V	-	114W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® 8 x 8	8-PowerTDFN
SIHP052N60EF-GE3 MOSFET EF SERIES TO-220AB Vishay Siliconix	916 Vorrätig	1 : 6,44000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	48 A (Tc)	10V	52mOhm bei 23A, 10V	5V bei 250µA	101 nC @ 10 V	±30V	3380 pF @ 100 V	-	278W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
SIHG052N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC Vishay Siliconix	123 Vorrätig	1 : 6,82000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	48 A (Tc)	10V	52mOhm bei 23A, 10V	5V bei 250µA	101 nC @ 10 V	±30V	3380 pF @ 100 V	-	278W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SIHG80N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC Vishay Siliconix	405 Vorrätig	1 : 14,29000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	80 A (Tc)	10V	32mOhm bei 40A, 10V	4V bei 250µA	400 nC @ 10 V	±30V	6600 pF @ 100 V	-	520W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SIHP15N80AEF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	1.991 Vorrätig	1 : 2,86000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	800 V	13 A (Tc)	10V	350mOhm bei 6,5A, 10V	4V bei 250µA	54 nC @ 10 V	±30V	1128 pF @ 100 V	-	156W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
SIHP17N80AEF-GE3 E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	923 Vorrätig	1 : 3,11000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	800 V	15 A (Tc)	10V	305mOhm bei 8,5A, 10V	4V bei 250µA	63 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
SIHP21N80AEF-GE3 E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	910 Vorrätig	1 : 3,33000 € Lose im Beutel	EF	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	800 V	16,3 A (Tc)	10V	250mOhm bei 8,5A, 10V	4V bei 250µA	71 nC @ 10 V	±30V	1511 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
SIHP155N60EF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	1.993 Vorrätig	1 : 3,46000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	21 A (Tc)	10V	155mOhm bei 10A, 10V	5V bei 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	1465 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
SIHG15N80AEF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	238 Vorrätig	1 : 3,47000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	800 V	13 A (Tc)	10V	350mOhm bei 6,5A, 10V	4V bei 250µA	54 nC @ 10 V	±30V	1128 pF @ 100 V	-	156W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SIHG17N80AEF-GE3 E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	149 Vorrätig	1 : 3,62000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	800 V	15 A (Tc)	10V	305mOhm bei 8,5A, 10V	4V bei 250µA	63 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SIHA155N60EF-GE3 E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD Vishay Siliconix	1.820 Vorrätig	1 : 3,98000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	9 A (Tc)	10V	89mOhm bei 3,7A, 10V	5V bei 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	1465 pF @ 100 V	-	33W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220 voller Pack	TO-220-3 voller Pack
SIHA105N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Vishay Siliconix	983 Vorrätig	1 : 4,22000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	12 A (Tc)	10V	102mOhm bei 13A, 10V	5V bei 250µA	53 nC @ 10 V	±30V	1804 pF @ 100 V	-	35W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220 voller Pack	TO-220-3 voller Pack
SIHP24N80AEF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	640 Vorrätig	1 : 4,33000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	800 V	20 A (Tc)	10V	195mOhm bei 10A, 10V	4V bei 250µA	90 nC @ 10 V	±30V	1889 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
SIHG22N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC Vishay Siliconix	790 Vorrätig	1 : 4,46000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	19 A (Tc)	10V	182mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	96 nC @ 10 V	±30V	1423 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SIHA125N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Vishay Siliconix	980 Vorrätig	1 : 4,58000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	11 A (Tc)	10V	125mOhm bei 12A, 10V	5V bei 250µA	47 nC @ 10 V	±30V	1533 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220 voller Pack	TO-220-3 voller Pack
SIHB125N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK Vishay Siliconix	671 Vorrätig	1 : 4,58000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	25 A (Tc)	10V	125mOhm bei 12A, 10V	5V bei 250µA	47 nC @ 10 V	±30V	1533 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SIHG155N60EF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	922 Vorrätig	1 : 4,69000 € Stange	EF	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	21 A (Tc)	10V	149mOhm bei 2A, 10V	5V bei 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	1465 pF @ 100 V	-	179W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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