Einzelne FETs, MOSFETs

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Hersteller
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes Incorporated
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
200mA (Ta)220mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3Ohm bei 500mA, 10V3,5Ohm bei 220mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,5V bei 250µA1,6V bei 250µA
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
27 pF @ 25 V50 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)150°C (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23SOT-323
Gehäuse / Hülle
SC-70, SOT-323TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
846.266
Vorrätig
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04679 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA±20V50 pF @ 10 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
125.703
Vorrätig
1 : 0,15000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02573 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V220mA (Ta)4,5V, 10V3Ohm bei 500mA, 10V1,6V bei 250µA±20V27 pF @ 25 V-350mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.