Einzelne FETs, MOSFETs

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	Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
	AO4421 MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	245.783 Vorrätig	1 : 1,06000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,26856 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6,2 A (Ta)	4,5V, 10V	40mOhm bei 6,2A, 10V	3V bei 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 30 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
	IRF4905STRLPBF MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Infineon Technologies	12.041 Vorrätig	1 : 2,97000 € Gurtabschnitt (CT) 800 : 1,01956 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	42 A (Tc)	10V	20mOhm bei 42A, 10V	4V bei 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	3500 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.