Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
AO4421 MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	289.179 Vorrätig	1 : 1,18000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,29984 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6,2 A (Ta)	4,5V, 10V	40mOhm bei 6,2A, 10V	3V bei 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 30 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
DMG3406L-13 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Diodes Incorporated	97.972 Vorrätig 10.000 Fabrik	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,06063 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,6 A (Ta)	4,5V, 10V	50mOhm bei 3,6A, 10V	2V bei 250µA	11.2 nC @ 10 V	±20V	495 pF @ 15 V	-	770mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IPP034N08N5AKSA1 MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Infineon Technologies	914 Vorrätig	1 : 3,22000 € Stange	OptiMOS™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	120 A (Tc)	6V, 10V	3,4mOhm bei 100A, 10V	3,8V bei 108µA	87 nC @ 10 V	±20V	6240 pF @ 40 V	-	167W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO220-3	TO-220-3
STD100N3LF3 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK STMicroelectronics	0 Vorrätig	1 : 1,77000 € Gurtabschnitt (CT)	STripFET™ II	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	80 A (Tc)	5V, 10V	5,5mOhm bei 40A, 10V	2,5V bei 250µA	27 nC @ 5 V	±20V	2060 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.