Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	992.188 Vorrätig	1 : 0,14000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02242 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2,5V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFU6522 MOSFET, N-CH, SINGLE, 20A, 650V, Good-Ark Semiconductor	744 Vorrätig	1 : 2,94000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	20 A (Tc)	10V	190mOhm bei 10A, 10V	4V bei 250µA	70 nC @ 10 V	±30V	2100 pF @ 100 V	-	45W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220F	TO-220-3 voller Pack
TSM60NB380CF 600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE Taiwan Semiconductor Corporation	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	4.000 : 1,98611 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	11 A (Tc)	10V	380mOhm bei 2,7A, 10V	4V bei 250µA	21 nC @ 10 V	±30V	810 pF @ 100 V	-	62,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	ITO-220S	TO-220-3 voller Pack

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.