Einzelne FETs, MOSFETs

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Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
DFN1110D-3
2N7002KQBZ
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Nexperia USA Inc.
25.882
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,06311 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
720mA (Ta)
4,5V, 10V
850mOhm bei 720mA, 10V
2,6V bei 250µA
0.92 nC @ 10 V
±16V
28 pF @ 30 V
-
420mW (Ta), 4,2W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
DFN1110D-3
3-XDFN mit freiliegendem Pad
PG-TO263-3-2
IPB156N22NFDATMA1
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Infineon Technologies
0
Vorrätig
1 : 7,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,59312 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nur verfügbar bis
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
220 V
72 A (Tc)
10V
15,6mOhm bei 50A, 10V
4V bei 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
6930 pF @ 110 V
-
300W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.