Einzelne FETs, MOSFETs

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	Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
	STL6P3LLH6 MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT STMicroelectronics	2.982 Vorrätig	1 : 1,17000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,38192 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	STripFET™ H6	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6 A (Tc)	4,5V, 10V	30mOhm bei 3A, 10V	1V bei 250µA (Min)	12 nC @ 4.5 V	±20V	1450 pF @ 25 V	-	2,9W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerFlat™ (3,3x3,3)	8-PowerVDFN
	AO4425 MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	11.726 Vorrätig	1 : 1,53000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,41464 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	38 V	14 A (Ta)	10V, 20V	10mOhm bei 14A, 20V	3,5V bei 250µA	63 nC @ 10 V	±25V	3800 pF @ 20 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.