Einzelne bipolare transistoren

Angezeigt werden

von 2

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	Transistor-Typ	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Leistung - Max.	Frequenz - Übergang	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

2N3904PH TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	0 Vorrätig	Obsolet	-	Lose im Beutel	Obsolet	NPN	200 mA	40 V	300mV bei 5mA, 50mA	-	100 bei 10mA, 1V	625 mW	300MHz	-	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
MPSA42PH TRANS NPN 300V 0.5A TO92-3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	0 Vorrätig	Obsolet	-	Lose im Beutel	Obsolet	NPN	500 mA	300 V	500mV bei 2mA, 20mA	100 nA (ICBO)	40 bei 30mA, 10V	625 mW	50MHz	-	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3

Angezeigt werden

von 2

Diskrete Bipolartransistoren (BJTs) werden häufig zur Verstärkung analoger Signale in Audio-, Funk- und anderen Anwendungen verwendet. Es handelt sich hierbei um eine der ersten serienmäßig hergestellten Halbleiterkomponenten. Sie eignen sich weniger gut als andere Komponententypen für Anwendungen mit hochfrequenten Schaltvorgängen und hohen Strömen oder Spannungen. Sie stellen jedoch nach wie vor eine gute Wahl für Anwendungen dar, bei denen analoge Signale mit minimalem zusätzlichen Rauschen und möglichst wenig Verzerrungen reproduziert werden müssen.