TO-220-3 voller Pack Einzelne FETs, MOSFETs

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Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiotec Semiconductor AGFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSMicro Commercial CoMotorolaNEC Corporation
Serie
-*AlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Cool MOS™CoolMOS E6™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V100 V105 V120 V150 V160 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100mA (Ta)900mA (Tc)1 A (Tj)1,03 A (Tc)1,1 A (Tc)1,2A (Ta), 7A (Tc)1,27A (Tc)1,3 A (Tc)1,3A (Ta), 9A (Tc)1,34 A (Tc)1,4 A (Tc)1,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 4V4V, 10V4V, 5V4,5V, 10V5V5V, 10V6V, 10V7V, 10V7,5V, 10V8V, 10V10V10V, 12V10V, 15V13V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,9mOhm bei 20A, 10V2,3mOhm bei 100A, 10V2,3mOhm bei 20A, 10V2,4mOhm bei 40A, 10V2,44mOhm bei 50A, 10V2,5mOhm bei 20A, 10V2,5mOhm bei 57A, 10V2,5mOhm bei 60A, 10V2,6mOhm bei 20A, 10V2,7mOhm bei 50A, 10V2,8mOhm bei 20A, 10V2,8mOhm bei 45A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 250µA2V bei 1mA2V bei 250µA2,2V bei 250µA2,3V bei 250µA2,4V bei 250µA2,4V bei 500µA2,5V bei 1,5mA2,5V bei 1mA2,5V bei 250µA2,5V bei 300µA2,5V bei 350µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V4.2 nC @ 10 V4.4 nC @ 10 V4.5 nC @ 10 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.5 nC @ 10 V5.6 nC @ 10 V5.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+10V, -20V±10V±15V±16V±18V20V±20V±25V+30V, -20V30V±30V±45V-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
80 pF @ 30 V95 pF @ 100 V102 pF @ 100 V105 pF @ 100 V122 pF @ 100 V130 pF @ 100 V130 pF @ 25 V140 pF @ 100 V150 pF @ 25 V165 pF @ 100 V165 pF @ 25 V170 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-Standard
Verlustleistung (max.)
620mW (Ta), 77W (Tc)1,04W (Ta), 45W (Tc)1,04W (Ta), 53W (Tc)1,04W (Ta), 68W (Tc)1,8W (Ta), 105W (Tc)1,8W (Ta), 143W (Tc)1,8W (Ta), 147W (Tc)1,8W (Ta), 176W (Tc)1,9W (Ta), 41W (Tc)1,9W (Ta), 46,5W (Tc)1,9W (Ta), 57,5W (Tc)1,92W (Ta), 31,3W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 175°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)150°C (TA)150°C (TJ)150°C175°C (TJ)175°C-
Gehäusetyp vom Lieferanten
ITO-220 (MP-45F)ITO-220ITO-220ABITO-220FITO-220SPG-TO220 voller PackPG-TO220-3-111PG-TO220-3-31PG-TO220-3-313PG-TO220-3-FPPG-TO220-FPTO-220 voller Pack
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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
PG-TO-220-FP
IPA60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Infineon Technologies
3.903
Vorrätig
1 : 1,15000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V9 A (Tc)10V360mOhm bei 2,7A, 10V4V bei 140µA13 nC @ 10 V±20V555 pF @ 400 V-22W (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220-FPTO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
onsemi
3.476
Vorrätig
1 : 1,97000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)200 V39 A (Tc)10V66mOhm bei 19,5A, 10V5V bei 250µA49 nC @ 10 V±30V2130 pF @ 25 V-37W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220F-3TO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF33N25T
MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
onsemi
5.413
Vorrätig
1 : 2,25000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)250 V33 A (Tc)10V94mOhm bei 16,5A, 10V5V bei 250µA48 nC @ 10 V±30V2135 pF @ 25 V-37W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220F-3TO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
SPA11N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Infineon Technologies
2.374
Vorrätig
1 : 2,72000 €
Stange
Stange
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)800 V11 A (Tc)10V450mOhm bei 7,1A, 10V3,9V bei 680µA85 nC @ 10 V±20V1600 pF @ 100 V-34W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220-3-31TO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFI3205PBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
Infineon Technologies
2.720
Vorrätig
1 : 2,73000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)55 V64 A (Tc)10V8mOhm bei 34A, 10V4V bei 250µA170 nC @ 10 V±20V4000 pF @ 25 V-63W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220AB voller PackTO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFI4227PBF
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Infineon Technologies
7.197
Vorrätig
1 : 2,89000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)200 V26 A (Tc)10V25mOhm bei 17A, 10V5V bei 250µA110 nC @ 10 V±30V4600 pF @ 25 V-46W (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220AB voller PackTO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
SPA17N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Infineon Technologies
500
Vorrätig
1 : 4,26000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)800 V17 A (Tc)10V290mOhm bei 11A, 10V3,9V bei 1mA177 nC @ 10 V±20V2320 pF @ 25 V-42W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220-3-31TO-220-3 voller Pack
TO-220F
AOTF42S60L
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1.070
Vorrätig
1 : 6,05000 €
Stange
Stange
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V39 A (Tc)10V99mOhm bei 21A, 10V3,8V bei 250µA40 nC @ 10 V±30V2154 pF @ 100 V-37,9W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220FTO-220-3 voller Pack
TO-220FP
STF21N90K5
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
STMicroelectronics
3.098
Vorrätig
1 : 7,28000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)900 V18,5 A (Tc)10V299mOhm bei 9A, 10V5V bei 100µA43 nC @ 10 V±30V1645 pF @ 100 V-40W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220FPTO-220-3 voller Pack
TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A
2SK1835-E
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Renesas Electronics Corporation
19.840
Vorrätig
1 : 8,78000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)1500 V4 A (Ta)15V7Ohm bei 2A, 15V--±20V1700 pF @ 10 V-125W (Tc)150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-3PTO-220-3 voller Pack
TO-220F
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
24.960
Vorrätig
1 : 1,14000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V22 A (Tc)4,5V, 10V24mOhm bei 20A, 10V2,7V bei 250µA15 nC @ 10 V±20V1190 pF @ 50 V-2,1W (Ta), 27W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220FTO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFIZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
Infineon Technologies
4.863
Vorrätig
1 : 1,15000 €
Stange
Stange
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)55 V14 A (Tc)10V70mOhm bei 7,8A, 10V4V bei 250µA20 nC @ 10 V±20V370 pF @ 25 V-29W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220AB voller PackTO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFI530NPBF
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Infineon Technologies
8.131
Vorrätig
1 : 1,29000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V12 A (Tc)10V110mOhm bei 6,6A, 10V4V bei 250µA44 nC @ 10 V±20V640 pF @ 25 V-41W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220AB voller PackTO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF390N15A
MOSFET N-CH 150V 15A TO220F
onsemi
1.045
Vorrätig
1 : 1,54000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)150 V15 A (Tc)10V40mOhm bei 15A, 10V4V bei 250µA18.6 nC @ 10 V±20V1285 pF @ 75 V-22W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220F-3TO-220-3 voller Pack
PG-TO-220-FP
IPA60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Infineon Technologies
1.731
Vorrätig
1 : 1,67000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V18 A (Tc)10V180mOhm bei 5,6A, 10V4V bei 280µA25 nC @ 10 V±20V1081 pF @ 400 V-26W (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220-FPTO-220-3 voller Pack
TO-220-F
STF100N6F7
MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP
STMicroelectronics
1.348
Vorrätig
1 : 1,67000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V46 A (Tc)10V5,6mOhm bei 23A, 10V4V bei 250µA30 nC @ 10 V±20V1980 pF @ 25 V-25W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220FPTO-220-3 voller Pack
PG-TO-220-FP
IPAW60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Infineon Technologies
1.168
Vorrätig
1 : 1,67000 €
Stange
Stange
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)650 V18 A (Tc)10V180mOhm bei 5,6A, 10V4V bei 280µA25 nC @ 10 V±20V1081 pF @ 400 V-26W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220 voller PackTO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
onsemi
5.118
Vorrätig
1 : 1,70000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V55 A (Tc)10V22mOhm bei 27,5A, 10V4V bei 250µA37 nC @ 10 V±25V1510 pF @ 25 V-48W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220F-3TO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFI1310NPBF
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Infineon Technologies
1.302
Vorrätig
1 : 1,72000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V24 A (Tc)10V36mOhm bei 13A, 10V4V bei 250µA120 nC @ 10 V±20V1900 pF @ 25 V-56W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220AB voller PackTO-220-3 voller Pack
PG-TO-220-FP
IPA086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Infineon Technologies
3.544
Vorrätig
1 : 1,74000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V45 A (Tc)6V, 10V8,6mOhm bei 45A, 10V3,5V bei 75µA55 nC @ 10 V±20V3980 pF @ 50 V-37,5W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220-FPTO-220-3 voller Pack
TO-220FP
STF20NF20
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
STMicroelectronics
1.066
Vorrätig
1 : 1,81000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)200 V18 A (Tc)10V125mOhm bei 10A, 10V4V bei 250µA39 nC @ 10 V±20V940 pF @ 25 V-30W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220FPTO-220-3 voller Pack
TO-220FP
STF3NK80Z
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
STMicroelectronics
7.140
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)800 V2,5 A (Tc)10V4,5Ohm bei 1,25A, 10V4,5V bei 50µA19 nC @ 10 V±30V485 pF @ 25 V-25W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220FPTO-220-3 voller Pack
MOSFETTO247
IPAN60R125PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Infineon Technologies
2.229
Vorrätig
1 : 2,49000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)650 V25 A (Tc)10V125mOhm bei 7,8A, 10V4,5V bei 390µA36 nC @ 10 V±20V1503 pF @ 400 V-32W (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220-FPTO-220-3 voller Pack
R6004KNXC7G
R6020KNX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Rohm Semiconductor
399
Vorrätig
1 : 2,59000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V20 A (Tc)10V196mOhm bei 9,5A, 10V5V bei 1mA40 nC @ 10 V±20V1550 pF @ 25 V-68W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-220FMTO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
SPA08N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
Infineon Technologies
3.740
Vorrätig
1 : 2,61000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)800 V8 A (Tc)10V650mOhm bei 5,1A, 10V3,9V bei 470µA60 nC @ 10 V±20V1100 pF @ 100 V-40W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--DurchkontaktierungPG-TO220-3-31TO-220-3 voller Pack
Angezeigt werden
von 2.032

TO-220-3 voller Pack Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.