TO-220-3 voller Pack Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 2.000
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.Central Semiconductor CorpDiotec SemiconductorEVVOFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.
Serie
-*AlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V100 V105 V120 V150 V200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100mA (Ta)900mA (Tc)1 A (Tj)1,03 A (Tc)1,2A (Ta), 7A (Tc)1,27A (Tc)1,3 A (Tc)1,3A (Ta), 9A (Tc)1,34 A (Tc)1,4 A (Tc)1,5 A (Tc)1,5A (Ta), 11A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 4V4V, 10V4V, 5V4,5V, 10V5V5V, 10V6V, 10V7V, 10V7,5V, 10V8V, 10V10V10V, 12V10V, 15V13V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,9mOhm bei 20A, 10V2,3mOhm bei 100A, 10V2,3mOhm bei 20A, 10V2,4mOhm bei 40A, 10V2,44mOhm bei 50A, 10V2,5mOhm bei 20A, 10V2,5mOhm bei 57A, 10V2,6mOhm bei 20A, 10V2,7mOhm bei 50A, 10V2,8mOhm bei 20A, 10V2,8mOhm bei 45A, 10V2,8mOhm bei 89A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 250µA2V bei 1mA2V bei 250µA2,2V bei 250µA2,3V bei 250µA2,4V bei 250µA2,4V bei 500µA2,5V bei 1,5mA2,5V bei 1mA2,5V bei 250µA2,5V bei 300µA2,5V bei 350µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V4.2 nC @ 10 V4.4 nC @ 10 V4.5 nC @ 10 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.2 nC @ 10 V5.3 nC @ 10 V5.5 nC @ 10 V5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+10V, -20V±10V±16V±18V±20V20V±25V+30V, -20V±30V30V±45V-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
80 pF @ 30 V95 pF @ 100 V102 pF @ 100 V105 pF @ 100 V122 pF @ 100 V130 pF @ 25 V130 pF @ 100 V140 pF @ 100 V150 pF @ 25 V160 pF @ 25 V165 pF @ 25 V165 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
620mW (Ta), 77W (Tc)1,04W (Ta), 45W (Tc)1,04W (Ta), 53W (Tc)1,04W (Ta), 68W (Tc)1,8W (Ta), 105W (Tc)1,8W (Ta), 143W (Tc)1,8W (Ta), 176W (Tc)1,9W (Ta), 41W (Tc)1,9W (Ta), 46,5W (Tc)1,9W (Ta), 57,5W (Tc)1,92W (Ta), 31,2W (Tc)1,92W (Ta), 31,3W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)150°C150°C (TA)150°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101
Gehäusetyp vom Lieferanten
ITO-220ITO-220 (MP-45F)ITO-220ABITO-220FITO-220SITO-220TLPG-TO220 voller PackPG-TO220-3-111PG-TO220-3-31PG-TO220-3-312PG-TO220-3-313PG-TO220-3-FP
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
2.000Resultate
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von 2.000
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-220AB Full Pack
IRFI1310NPBF
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Infineon Technologies
4.023
Vorrätig
1 : 1,82000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
24 A (Tc)
10V
36mOhm bei 13A, 10V
4V bei 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
56W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220AB voller Pack
TO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
onsemi
3.738
Vorrätig
1 : 2,06000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
39 A (Tc)
10V
66mOhm bei 19,5A, 10V
5V bei 250µA
49 nC @ 10 V
±30V
2130 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F-3
TO-220-3 voller Pack
TO-220FP
STF3NK80Z
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
STMicroelectronics
5.187
Vorrätig
1 : 2,15000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
800 V
2,5 A (Tc)
10V
4,5Ohm bei 1,25A, 10V
4,5V bei 50µA
19 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
25W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220FP
TO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF51N25
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
onsemi
825
Vorrätig
1 : 2,27000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
250 V
51 A (Tc)
10V
60mOhm bei 25,5A, 10V
5V bei 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
3410 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F-3
TO-220-3 voller Pack
598
Vorrätig
1 : 2,44000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
25 A (Tc)
10V
125mOhm bei 7,8A, 10V
4,5V bei 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
32W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO220-FP
TO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFI3205PBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
Infineon Technologies
1.998
Vorrätig
1 : 2,65000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
55 V
64 A (Tc)
10V
8mOhm bei 34A, 10V
4V bei 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
63W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220AB voller Pack
TO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF18N50
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
onsemi
5.296
Vorrätig
1 : 2,90000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
500 V
18 A (Tc)
10V
265mOhm bei 9A, 10V
5V bei 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2860 pF @ 25 V
-
38,5W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F-3
TO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFI4227PBF
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Infineon Technologies
2.188
Vorrätig
1 : 3,08000 €
Stange
Stange
Nur verfügbar bis
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
26 A (Tc)
10V
25mOhm bei 17A, 10V
5V bei 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
46W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220AB voller Pack
TO-220-3 voller Pack
TO-220F
FQPF47P06
MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
onsemi
1.141
Vorrätig
1 : 3,17000 €
Stange
Stange
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
30 A (Tc)
10V
26mOhm bei 15A, 10V
4V bei 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
3600 pF @ 25 V
-
62W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F-3
TO-220-3 voller Pack
TO-220-F
STF13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STMicroelectronics
1.021
Vorrätig
1 : 3,47000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
800 V
12 A (Tc)
10V
450mOhm bei 6A, 10V
5V bei 100µA
29 nC @ 10 V
±30V
870 pF @ 100 V
-
35W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220FP
TO-220-3 voller Pack
TO-220FP
STP20NM60FP
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STMicroelectronics
260
Vorrätig
1 : 6,21000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
20 A (Tc)
10V
290mOhm bei 10A, 10V
5V bei 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220FP
TO-220-3 voller Pack
TO-220-F
STF45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
STMicroelectronics
609
Vorrätig
1 : 6,60000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm bei 19,5A, 10V
5V bei 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220FP
TO-220-3 voller Pack
TO-220F
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
20.843
Vorrätig
1 : 1,03000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
22 A (Tc)
4,5V, 10V
24mOhm bei 20A, 10V
2,7V bei 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
2,1W (Ta), 27W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F
TO-220-3 voller Pack
906
Vorrätig
1 : 1,09000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
50 A (Tc)
4,5V, 10V
11,4mOhm bei 8A, 4,5V
2,5V bei 300µA
28.4 nC @ 10 V
±20V
1990 pF @ 25 V
-
36W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220SIS
TO-220-3 voller Pack
TO-220F
AOTF2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
705
Vorrätig
1 : 1,18000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4,5V, 10V
19mOhm bei 20A, 10V
2,5V bei 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 30 V
-
2,1W (Ta), 23,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F
TO-220-3 voller Pack
4.984
Vorrätig
1 : 1,22000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
9 A (Tc)
10V
360mOhm bei 2,7A, 10V
4V bei 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
22W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO220-FP
TO-220-3 voller Pack
305
Vorrätig
1 : 1,23000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
40 A (Tc)
10V
10,4mOhm bei 20A, 10V
4V bei 300µA
23 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 30 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220SIS
TO-220-3 voller Pack
TO-220FP
STF7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STMicroelectronics
1.594
Vorrätig
1 : 1,27000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
5 A (Tc)
10V
950mOhm bei 2,5A, 10V
4V bei 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
271 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220FP
TO-220-3 voller Pack
PG-TO220 Full Pack
IPA70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Infineon Technologies
493
Vorrätig
1 : 1,29000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
700 V
12,5 A (Tc)
10V
360mOhm bei 3A, 10V
3,5V bei 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
26,4W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO220 voller Pack
TO-220-3 voller Pack
TO-220F
FDPF3860T
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F
onsemi
700
Vorrätig
1 : 1,41000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
20 A (Tc)
10V
38,2mOhm bei 5,9A, 10V
4,5V bei 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
33,8W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F-3
TO-220-3 voller Pack
PG-TO220-FP
IPA60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Infineon Technologies
1.005
Vorrätig
1 : 1,42000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm bei 3,8A, 10V
4V bei 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
24W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO220-FP
TO-220-3 voller Pack
TO-220AB Full Pack
IRFI530NPBF
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Infineon Technologies
6.032
Vorrätig
1 : 1,46000 €
Stange
Stange
Nur verfügbar bis
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
12 A (Tc)
10V
110mOhm bei 6,6A, 10V
4V bei 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 25 V
-
41W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220AB voller Pack
TO-220-3 voller Pack
TO-220-F
STF10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STMicroelectronics
492
Vorrätig
1 : 1,48000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
600mOhm bei 4A, 10V
4V bei 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220FP
TO-220-3 voller Pack
TO-220-F
STF3LN80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
STMicroelectronics
1.784
Vorrätig
1 : 1,51000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
800 V
2 A (Tc)
10V
3,25Ohm bei 1A, 10V
5V bei 100µA
2.63 nC @ 10 V
±30V
102 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220FP
TO-220-3 voller Pack
281
Vorrätig
1 : 1,52000 €
Stange
Stange
Nur verfügbar bis
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
900 V
3 A (Ta)
10V
4,3Ohm bei 1,5A, 10V
4V bei 1mA
17 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220SIS
TO-220-3 voller Pack
Angezeigt werden
von 2.000

TO-220-3 voller Pack Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.