Rohm Semiconductor Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 1.216
Serie
-*Automotive, AEC-Q100OptiMOS®
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablettTasche
Produktstatus
AktivNicht für NeukonstruktionenObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V20 V30 V40 V45 V50 V60 V80 V100 V150 V190 V200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100mA (Ta)115mA (Ta)150mA (Ta)180mA (Ta)200mA (Ta)210mA (Ta)230mA (Ta)250mA (Ta)300mA (Ta)310mA (Ta)380mA (Ta)400mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0,9V, 4,5V1,2V, 2,5V1,2V, 4,5V1,5V, 4,5V1,8V, 4,5V1,8V, 4V2,5V, 10V2,5V, 4,5V2,5V, 4V4V, 10V4,5V4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,34mOhm bei 90A, 10V1,47mOhm bei 90A, 10V1,64mOhm bei 90A, 10V1,7mOhm bei 35A, 10V1,84mOhm bei 90A, 10V1,86mOhm bei 50A, 10V1,9mOhm bei 32A, 10V2,1mOhm bei 32A, 10V2,2mOhm bei 30A, 10V2,3mOhm bei 28A, 10V2,3mOhm bei 70A, 10V2,5mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
800mV bei 1mA1V bei 100µA1V bei 1mA1,2V bei 1mA1,3V bei 1mA1,5V bei 100µA1,5V bei 10mA1,5V bei 11mA1,5V bei 1mA1,5V bei 2mA2V bei 10µA2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1.4 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 5 V1.8 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 5 V2 nC @ 4.5 V2 nC @ 5 V2.1 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 5 V2.2 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-8V-8V, 0V+6V, -10V+7V, -0,2V±8V10V±10V12V±12V20V±20V+21V, -4V21V±21V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V12 pF @ 10 V13 pF @ 5 V15 pF @ 10 V15 pF @ 25 V15 pF @ 30 V18 pF @ 10 V20 pF @ 10 V24 pF @ 10 V25 pF @ 10 V26 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Schottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)Standard
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)150mW (Ta)200mW (Ta)200mW225mW (Ta)300mW (Ta)320mW (Ta)350mW (Ta)350mW (Tc)400mW (Ta)500mW (Ta)540mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-40°C bis 150°C (TJ)150°C (TJ)150°C175°C (TJ)175°C-
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-WEMT8-HSMT (3,2x3)8-HSOP8-PSOP8-SOIC8-SOP8-SOP-J8-TSST-CPT3DFN1006-3DFN1010-3W
Gehäuse / Hülle
3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, ohne Anschlüsse3-XFDFN6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-PowerWFDFN6-SMD (5 Anschlüsse), flache Anschlüsse6-SMD, flache Anschlüsse8-PowerDFN8-PowerTDFN8-PowerUDFN8-PowerVDFN
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.538.541
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03460 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm bei 100mA, 2,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
881.739
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03867 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageUMT3FSC-85
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
625.119
Vorrätig
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04680 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-200mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
727.924
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,05622 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm bei 200mA, 2,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageVMT3SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
816.545
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,06303 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageVMT3SOT-723
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
930.316
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,07251 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageVMT3SOT-723
RV2C001ZPT2L
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Rohm Semiconductor
166.107
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,07735 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V1 A (Ta)1,2V, 4,5V470mOhm bei 500mA, 4,5V1V bei 1mA-±8V40 pF @ 10 V-400mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageVML1006SC-101, SOT-883
TSMT3
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
31.145
Vorrätig
1 : 0,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,22700 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V4 A (Ta)1,5V, 4,5V35mOhm bei 4A, 4,5V1,3V bei 1mA8 nC @ 4.5 V±10V680 pF @ 10 V-1W (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageTSMT3SC-96
TUMT3
RTF025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
Rohm Semiconductor
29.046
Vorrätig
1 : 0,62000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,23619 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V2,5 A (Ta)2,5V, 4,5V67mOhm bei 2,5A, 4,5V1,5V bei 1mA5.2 nC @ 4.5 V±12V270 pF @ 10 V-800mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageTUMT33-SMD, flache Anschlüsse
8-HSMT
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
21.744
Vorrätig
1 : 0,67000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,25587 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V12 A (Ta)4,5V, 10V8mOhm bei 12A, 10V2,5V bei 1mA62 nC @ 10 V±20V3200 pF @ 15 V-2W (Ta)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-HSMT (3,2x3)8-PowerVDFN
TSMT6_TSMT6 Pkg
RSQ015P10HZGTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
23.815
Vorrätig
1 : 0,71000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,27031 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V1,5 A (Ta)4V, 10V470mOhm bei 1,5A, 10V2,5V bei 1mA17 nC @ 5 V±20V950 pF @ 25 V-950mW (Ta)150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTSMT6 (SC-95)SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
HSOP8
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Rohm Semiconductor
47.614
Vorrätig
1 : 0,83000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,31361 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V28 A (Ta)4,5V, 10V2,3mOhm bei 28A, 10V2,5V bei 1mA94 nC @ 10 V±20V5100 pF @ 15 V-3W (Ta), 30W (Tc)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-HSOP8-PowerTDFN
8-HSMT
RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Rohm Semiconductor
5.842
Vorrätig
1 : 0,77000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,31674 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V10A (Ta), 31A (Tc)4,5V, 10V11,4mOhm bei 10A, 10V2,5V bei 1mA42 nC @ 10 V±20V1900 pF @ 15 V-2W (Ta)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-HSMT (3,2x3)8-PowerVDFN
RB098BM-40FNSTL
RD3L080SNTL1
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Rohm Semiconductor
2.552
Vorrätig
1 : 0,97000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,40096 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V8 A (Ta)4V, 10V80mOhm bei 8A, 10V2,5V bei 1mA9.4 nC @ 10 V±20V380 pF @ 10 V-15W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-252TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
8-HSMT
RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Rohm Semiconductor
10.039
Vorrätig
1 : 1,05000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,43238 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V30 A (Tc)4,5V6,7mOhm bei 15A, 4,5V1,2V bei 1mA60 nC @ 4.5 V±8V4800 pF @ 10 V-20W (Tc)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-HSMT (3,2x3)8-PowerVDFN
RB098BM-40FNSTL
RD3L220SNTL1
MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Rohm Semiconductor
10.645
Vorrätig
1 : 1,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,67113 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V22 A (Ta)4V, 10V26mOhm bei 22A, 10V3V bei 1mA30 nC @ 10 V±20V1500 pF @ 10 V-20W (Tc)150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-252TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
8-SOIC
RSH070P05TB1
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Rohm Semiconductor
7.595
Vorrätig
1 : 1,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,74951 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)45 V7 A (Ta)4V, 10V27mOhm bei 7A, 10V2,5V bei 1mA47.6 nC @ 5 V±20V4100 pF @ 10 V-2W (Ta)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-SOP8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RB098BM-40FNSTL
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
10.375
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,93688 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V70 A (Ta)4,5V, 10V7,1mOhm bei 70A, 10V2,5V bei 1mA105 nC @ 10 V±20V5550 pF @ 20 V-101W (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-252TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
8-SOIC
RS3G160ATTB1
PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
4.839
Vorrätig
Für dieses Produkt gilt eine maximale Einkaufsmenge
1 : 2,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,98220 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V16 A (Ta)4,5V, 10V6,2mOhm bei 16A, 10V2,5V bei 1mA120 nC @ 10 V±20V6250 pF @ 20 V-1,4W (Ta)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-SOP8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
11.772
Vorrätig
1 : 2,41000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,08507 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V22 A (Ta), 76 A (Tc)4,5V, 10V4,1mOhm bei 22A, 10V2,5V bei 2mA130 nC @ 10 V±20V5850 pF @ 15 V-3W (Ta)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-HSOP8-PowerTDFN
HP8KE6TB1
RS1G201ATTB1
MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Rohm Semiconductor
4.926
Vorrätig
1 : 2,51000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,13038 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V20 A (Ta), 78 A (Tc)-5,2mOhm bei 20A, 10V2,5V bei 1mA130 nC @ 10 V±20V6890 pF @ 20 V-3W (Ta), 40W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-HSOP8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Rohm Semiconductor
15.131
Vorrätig
1 : 2,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,26269 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V26 A (Ta), 80 A (Tc)4,5V, 10V3,1mOhm bei 26A, 10V2,5V bei 1mA175 nC @ 10 V±20V7850 pF @ 15 V-3W (Ta)150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-HSOP8-PowerTDFN
LPTS
R6020ENJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Rohm Semiconductor
9.113
Vorrätig
1 : 2,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,26404 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)600 V20 A (Tc)10V196mOhm bei 9,5A, 10V4V bei 1mA60 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-40W (Tc)150°C (TJ)--OberflächenmontageLPTSTO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
TO-3PFM
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Rohm Semiconductor
2.506
Vorrätig
1 : 6,57000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1700 V3,7 A (Tc)18V1,5Ohm bei 1,1A, 18V4V bei 900µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-35W (Tc)175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-3PFMTO-3PFM, SC-93-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
3.666
Vorrätig
1 : 9,20000 €
Stange
-
Stange
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V17 A (Tc)18V208mOhm bei 5A, 18V5,6V bei 2,5mA42 nC @ 18 V+22V, -4V398 pF @ 800 V-103W (Tc)175°C (TJ)--DurchkontaktierungTO-247NTO-247-3
Angezeigt werden
von 1.216

Rohm Semiconductor Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.