Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 26.889
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorDiotec Semiconductor AGEPCEPC Space, LLC
Serie
-*18N20AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®Automotive, AEC-Q100, NexFET™
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsoletVorläufig
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)50mA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V0,47mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)600mV bei 250µA (Min)600mV bei 500µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)170mW (Ta)178mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, flacher Anschluss
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
545.797
Vorrätig
2.382.000
Fabrik
1 : 0,16000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02857 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V310mA (Ta)5V, 10V3Ohm bei 115mA, 10V2V bei 250µA0.87 nC @ 10 V±20V22 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
48.272
Vorrätig
590.000
Fabrik
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02915 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
24.138
Vorrätig
1 : 0,16000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02931 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
363.572
Vorrätig
130.000
Fabrik
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02964 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.419.331
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02997 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
684.877
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03140 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V190mA (Ta)5V, 10V4,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1.390.599
Vorrätig
1 : 0,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03214 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
17.211
Vorrätig
1 : 0,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03285 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
37.058
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03459 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V310mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-280mW (Tj)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSC-70-3 (SOT323)SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
827.945
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03620 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
188.117
Vorrätig
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,03749 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1,1Ohm bei 150mA, 4,5V1V bei 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
107.246
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03790 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,6V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
181.608
Vorrätig
570.000
Fabrik
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,03843 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V310mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
533.992
Vorrätig
279.000
Fabrik
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03790 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
987.981
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03980 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TA)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.325.392
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04054 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
412.177
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03895 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V130mA (Ta)5V10Ohm bei 100mA, 5V2V bei 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.040.228
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04298 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
522.261
Vorrätig
1 : 0,14000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04369 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V200mA (Ta)4,5V, 10V3,9Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.35 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-320mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
879.595
Vorrätig
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04507 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Tc)10V5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1.198.755
Vorrätig
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04509 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C bis 150°C (TA)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
10.514
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,04821 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V4,2 A (Ta)1,8V, 4,5V52mOhm bei 4,2A, 4,5V900mV bei 250µA10.2 nC @ 4.5 V±8V808 pF @ 15 V-1,4W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
188.646
Vorrätig
9.810.000
Fabrik
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,04966 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V400mA (Ta)1,8V, 5V2Ohm bei 50mA, 5V1V bei 250µA0.4 nC @ 4.5 V±20V28.5 pF @ 30 V-440mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
196.924
Vorrätig
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04996 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V130mA (Ta)10V10Ohm bei 130mA, 10V2V bei 1mA-±20V45 pF @ 25 V-250mW (Tc)-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
1.022.829
Vorrätig
156.000
Fabrik
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04806 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 10 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
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Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.