EPC Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 86
Serie
-Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, eGaN®eGaN®
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenObsolet
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
15 V30 V40 V60 V65 V80 V100 V150 V170 V200 V300 V350 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
500mA (Ta)1,7 A (Ta)2 A (Ta)3 A (Ta)3,4 A (Ta)4 A (Ta)5 A (Ta)6 A (Ta)6,3 A (Ta)6,8 A (Ta)8,2 A (Ta)8,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,1mOhm bei 50A, 5V1,3mOhm bei 40A, 5V1,5mOhm bei 37A, 5V1,55mOhm bei 37A, 5V1,8mOhm bei 50A, 5V2,2mOhm bei 29A, 5V2,2mOhm bei 30A, 5V2,2mOhm bei 31A, 5V2,4mOhm bei 30A, 5V2,5mOhm bei 29A, 5V2,6mOhm bei 30A, 5V3,1mOhm bei 32A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1,2mA2,5V bei 1,5mA2,5V bei 100µA2,5V bei 11mA2,5V bei 12mA2,5V bei 13mA2,5V bei 14mA2,5V bei 15mA2,5V bei 16mA2,5V bei 18mA2,5V bei 19mA2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.45 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V0.83 nC @ 5 V0.91 nC @ 5 V0.93 nC @ 5 V1.1 nC @ 5 V1.15 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V1.8 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+5.75V, -4V+6V, -4V+6V, -5V6V-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8.4 pF @ 50 V10 pF @ 32.5 V14 pF @ 50 V21 pF @ 32.5 V52 pF @ 20 V52 pF @ 32.5 V55 pF @ 50 V88 pF @ 50 V90 pF @ 50 V105 pF @ 6 V115 pF @ 30 V118 pF @ 7.5 V
FET-Merkmal
-Standard
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)-
Montagetyp
-Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
7-QFN (3x5)-Einsatz
Gehäuse / Hülle
7-PowerWQFN-Einsatz
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Preis
Serie
Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
7.953
Vorrätig
1 : 1,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,49691 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V25mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1,5mA2.1 nC @ 5 V+6V, -4V258 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
876.678
Vorrätig
1 : 1,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,53614 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm bei 100mA, 5V2,5V bei 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
99.046
Vorrätig
1 : 1,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,53614 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
16.244
Vorrätig
1 : 1,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,53614 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
73.440
Vorrätig
1 : 1,52000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,62767 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V10 A (Ta)5V16mOhm bei 10A, 5V2,5V bei 2mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V300 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
85.324
Vorrätig
1 : 1,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,64980 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
52.308
Vorrätig
1 : 1,50000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,67528 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2214
EPC2214
GANFET N-CH 80V 10A DIE
EPC
25.695
Vorrätig
1 : 1,61000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,72625 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V10 A (Ta)5V20mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V238 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
12.511
Vorrätig
1 : 1,61000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,84417 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V3 A (Ta)5V43mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
33.159
Vorrätig
1 : 2,14000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,96833 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
12.232
Vorrätig
1 : 2,14000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,96833 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
89.858
Vorrätig
1 : 2,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,03204 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
22.973
Vorrätig
1 : 2,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,04478 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
172.252
Vorrätig
1 : 2,46000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,10848 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V16mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V420 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
28.576
Vorrätig
1 : 2,75000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,23844 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
16.419
Vorrätig
1 : 2,77000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,24864 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
58.474
Vorrätig
1 : 2,62000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,27288 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V18 A (Ta)5V17mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
182.535
Vorrätig
1 : 2,69000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,30995 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
5.178
Vorrätig
1 : 3,04000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,57493 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V60 A (Ta)5V3,6mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
27.174
Vorrätig
1 : 3,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,73012 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
8.994
Vorrätig
1 : 3,53000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,71776 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14 A (Ta)5V22mOhm bei 14A, 5V2,5V bei 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
103.235
Vorrätig
1 : 3,68000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,90303 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V42mOhm bei 7A, 5V2,5V bei 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
31.381
Vorrätig
1 : 4,06000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,97728 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)170 V24 A (Ta)5V9mOhm bei 10A, 5V2,5V bei 3mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V836 pF @ 85 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
19.310
Vorrätig
1 : 3,94000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 2,03429 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal-100 V60 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA17.8 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
20.268
Vorrätig
1 : 4,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,26152 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm bei 33A, 5V2,5V bei 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
Angezeigt werden
von 86

EPC Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.