Einsatz Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 129
Hersteller
Central Semiconductor CorpEPCFairchild SemiconductorGaNPowerInfineon TechnologiesIXYSonsemiWolfspeed, Inc.
Serie
-Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, eGaN®eGaN®HiPerFET™OptiMOS®OptiMOS™OptiMOS™ 3OptiMOS™3PolarHV™PowerTrench®Z-FET™
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenObsolet
FET-Typ
N-KanalP-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
15 V20 V30 V40 V50 V60 V65 V80 V100 V120 V150 V170 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
130mA (Ta)500mA (Ta)1 A (Tj)1,4 A (Tc)1,7 A (Ta)2 A (Ta)2 A (Tc)2,4 A (Ta)3 A (Ta)3 A (Tc)3,4 A (Ta)3,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 4,5V4,5V4,5V, 10V5V6V10V20V-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,53mOhm bei 50A, 10V1,1mOhm bei 50A, 5V1,3mOhm bei 40A, 5V1,5mOhm bei 37A, 5V1,55mOhm bei 37A, 5V2,2mOhm bei 29A, 5V2,2mOhm bei 30A, 5V2,2mOhm bei 31A, 5V2,4mOhm bei 30A, 5V2,5mOhm bei 29A, 5V2,6mOhm bei 30A, 5V3,2mOhm bei 25A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,2V bei 250µA1,2V bei 3,5mA1,4V bei 1,75mA1,4V bei 250µA1,4V bei 3,5mA1,5V bei 250µA2,1V bei 12µA2,1V bei 33µA2,2V bei 250µA2,5V bei 1,2mA2,5V bei 1,5mA2,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.45 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V0.83 nC @ 5 V0.91 nC @ 5 V0.93 nC @ 5 V1.1 nC @ 5 V1.15 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V1.8 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+5.75V, -4V+6V, -4V+6V, -5V+7,5V, -12V±8V12V±20V+25V, -15V+25V, -5V±30V-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8.4 pF @ 50 V10 pF @ 32.5 V14 pF @ 50 V21 pF @ 32.5 V45 pF @ 400 V52 pF @ 20 V52 pF @ 32.5 V55 pF @ 50 V73 pF @ 25 V88 pF @ 50 V90 pF @ 50 V105 pF @ 6 V
FET-Merkmal
-Standard
Verlustleistung (max.)
225mW (Ta)313mW (Tj)500mW (Ta)1,15W (Ta)2,5W (Ta)2,5W50W (Tc)56W (Tc)70W (Tc)100W (Tc)178W (Tc)202W (Tj)348W (Tc)535W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)150°C (TJ)-
Montagetyp
-Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
EinsatzGeschnitten auf Folie
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Preis
Serie
Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1.071.389
Vorrätig
1 : 1,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50322 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm bei 100mA, 5V2,5V bei 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
217.802
Vorrätig
1 : 1,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50322 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
26.183
Vorrätig
1 : 1,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50322 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
13.460
Vorrätig
1 : 1,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,51682 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V25mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1,5mA2.1 nC @ 5 V+6V, -4V258 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
154.607
Vorrätig
1 : 1,46000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,66885 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
72.707
Vorrätig
1 : 1,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,65904 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
30.692
Vorrätig
1 : 1,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,82343 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V3 A (Ta)5V43mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
41.688
Vorrätig
1 : 1,98000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,90492 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
18.918
Vorrätig
1 : 1,98000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,90492 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
24.369
Vorrätig
1 : 2,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,07241 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
24.726
Vorrätig
1 : 2,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,07541 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
26.794
Vorrätig
1 : 2,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,16721 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
65.486
Vorrätig
1 : 2,69000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,23278 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V18 A (Ta)5V17mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
156.044
Vorrätig
1 : 2,75000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,25901 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
24.538
Vorrätig
1 : 2,99000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,49877 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14 A (Ta)5V22mOhm bei 14A, 5V2,5V bei 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
5.905
Vorrätig
1 : 3,09000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,63205 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V60 A (Ta)5V3,6mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
108.103
Vorrätig
1 : 3,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,79526 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V42mOhm bei 7A, 5V2,5V bei 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
46.574
Vorrätig
1 : 3,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,82608 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
32.089
Vorrätig
1 : 4,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,06727 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)170 V24 A (Ta)5V9mOhm @ 10A, 5V2,5V bei 3mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V836 pF @ 85 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
19.017
Vorrätig
1 : 4,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,14479 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm bei 33A, 5V2,5V bei 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
101.120
Vorrätig
1 : 4,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,18355 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36 A (Ta)5V7mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
19.906
Vorrätig
1 : 5,75000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,85541 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V32 A (Ta)5V8mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
9.901
Vorrätig
1 : 6,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 3,20426 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V22 A (Ta)5V25mOhm bei 12A, 5V2,5V bei 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
7.721
Vorrätig
1 : 5,78000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,27868 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V90 A (Ta)5V1,1mOhm bei 50A, 5V2,5V bei 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
63.841
Vorrätig
1 : 5,84000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,30990 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V60 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
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von 129

Einsatz Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.