Einsatz Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 133
Hersteller
Central Semiconductor CorpEPCGaNPowerInfineon TechnologiesIXYSonsemiWolfspeed, Inc.
Serie
-Automotive, AEC-Q101eGaN®HiPerFET™OptiMOS™OptiMOS™ 3OptiMOS™3Z-FET™
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenObsolet
FET-Typ
N-KanalP-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
15 V30 V40 V60 V65 V75 V80 V100 V120 V150 V170 V200 V250 V300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
500mA (Ta)1 A (Tj)1,7 A (Ta)2 A (Ta)2 A (Tj)2,4 A (Ta)3 A (Ta)3 A (Tj)3,4 A (Ta)3,6 A (Ta)4 A (Ta)5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 4,5V4,5V4,5V, 10V5V6V10V20V-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,53mOhm bei 50A, 10V1,1mOhm bei 50A, 5V1,3mOhm bei 40A, 5V1,5mOhm bei 37A, 5V1,55mOhm bei 37A, 5V2,2mOhm bei 29A, 5V2,2mOhm bei 30A, 5V2,2mOhm bei 31A, 5V2,4mOhm bei 30A, 5V2,5mOhm bei 29A, 5V2,6mOhm bei 30A, 5V3,2mOhm bei 25A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,2V bei 250µA1,2V bei 3,5mA1,4V bei 1,75mA1,4V bei 250µA2,1V bei 12µA2,1V bei 33µA2,2V bei 250µA2,5V bei 1,2mA2,5V bei 1,5mA2,5V bei 100µA2,5V bei 11mA2,5V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.45 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V0.83 nC @ 5 V0.91 nC @ 5 V0.93 nC @ 5 V1.1 nC @ 5 V1.15 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V1.8 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+5.75V, -4V+6V, -4V+6V, -5V+7,5V, -12V12V±20V+25V, -15V+25V, -5V-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8.4 pF @ 50 V10 pF @ 32.5 V14 pF @ 50 V21 pF @ 32.5 V45 pF @ 400 V52 pF @ 20 V52 pF @ 32.5 V55 pF @ 50 V88 pF @ 50 V90 pF @ 50 V105 pF @ 6 V115 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-Standard
Verlustleistung (max.)
313mW (Tj)1,15W (Ta)2,5W (Ta)2,5W178W (Tc)202W (Tj)348W (Tc)535W (Tc)-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)150°C (TJ)-
Montagetyp
-Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
EinsatzGeschnitten auf Folie
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
10.785
Vorrätig
1 : 1,16000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,47883 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V25mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1,5mA2.1 nC @ 5 V+6V, -4V258 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
91.507
Vorrätig
1 : 1,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,51664 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
60.893
Vorrätig
1 : 1,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,51664 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm bei 100mA, 5V2,5V bei 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
EPC
24.900
Vorrätig
1 : 1,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,51664 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)60 V1,7 A (Ta)5V45mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 800µA1.15 nC @ 5 V+6V, -4V115 pF @ 30 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
22.922
Vorrätig
1 : 1,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,51664 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
95.539
Vorrätig
1 : 1,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,62617 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
19.893
Vorrätig
1 : 1,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,65072 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
60.244
Vorrätig
1 : 1,46000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,60484 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V10 A (Ta)5V16mOhm bei 10A, 5V2,5V bei 2mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V300 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
17.500
Vorrätig
1 : 1,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,81346 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V3 A (Ta)5V43mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
27.904
Vorrätig
1 : 2,07000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,93311 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
10.971
Vorrätig
1 : 2,07000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,93311 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
69.155
Vorrätig
1 : 2,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,99450 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
29.097
Vorrätig
1 : 2,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,00678 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
146.675
Vorrätig
1 : 2,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,06817 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V16mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V420 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
58.343
Vorrätig
1 : 2,52000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,22658 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V18 A (Ta)5V17mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
169.492
Vorrätig
1 : 2,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,26230 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
30.309
Vorrätig
1 : 2,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,19340 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
10.313
Vorrätig
1 : 2,67000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,20322 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
8.640
Vorrätig
1 : 2,92000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,41711 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V4 A (Ta)5V110mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.45 nC @ 5 V+6V, -4V52 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
17.481
Vorrätig
1 : 3,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,65528 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14 A (Ta)5V22mOhm bei 14A, 5V2,5V bei 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
52.535
Vorrätig
1 : 3,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,66719 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
96.226
Vorrätig
1 : 3,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,83381 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V42mOhm bei 7A, 5V2,5V bei 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
926
Vorrätig
1 : 3,79000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,96029 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal-100 V60 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA17.8 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
28.786
Vorrätig
1 : 3,91000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,90536 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)170 V24 A (Ta)5V9mOhm bei 10A, 5V2,5V bei 3mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V836 pF @ 85 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2067
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
EPC
4.529
Vorrätig
1 : 4,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 2,21323 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V69A (Ta)5V1,55mOhm bei 37A, 5V2,5V bei 18mA22.3 nC @ 5 V+6V, -4V3267 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageEinsatzEinsatz
Angezeigt werden
von 133

Einsatz Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.