53 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 2
Hersteller
EPCNXP Semiconductors
Serie
-eGaN®
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im Beutel
Produktstatus
AktivNicht für Neukonstruktionen
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V100 V
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4mOhm bei 33A, 5V18mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 9mA4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.7 nC @ 5 V21.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1180 pF @ 20 V1482 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
111W (Ta)-
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
DurchkontaktierungOberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
EinsatzI2PAK
Gehäuse / Hülle
EinsatzTO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
19.019
Vorrätig
1 : 3,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,11182 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
GaNFET (Galliumnitrid)
40 V
53 A (Ta)
5V
4mOhm bei 33A, 5V
2,5V bei 9mA
8.7 nC @ 5 V
+6V, -4V
1180 pF @ 20 V
-
-
-40°C bis 150°C (TJ)
Oberflächenmontage
Einsatz
Einsatz
HUF75639S3
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
NXP Semiconductors
4.976
Marktplatz
751 : 0,36928 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
53 A (Ta)
7V, 10V
18mOhm bei 15A, 10V
4V bei 1mA
21.4 nC @ 10 V
±20V
1482 pF @ 50 V
-
111W (Ta)
-55°C bis 175°C (TJ)
Durchkontaktierung
I2PAK
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Angezeigt werden
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53 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.