53 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle

EPC2015C GANFET N-CH 40V 53A DIE EPC	19.017 Vorrätig	1 : 4,27000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 2,14479 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	eGaN®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	GaNFET (Galliumnitrid)	40 V	53 A (Ta)	5V	4mOhm bei 33A, 5V	2,5V bei 9mA	8.7 nC @ 5 V	+6V, -4V	1180 pF @ 20 V	-	-	-40°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Einsatz	Einsatz
PSMN012-60MSX MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	6.000 Vorrätig	1 : 0,77000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,32733 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	53 A (Ta)	10V	12mOhm bei 15A, 10V	4V bei 1mA	24.8 nC @ 10 V	±20V	1625 pF @ 25 V	-	75W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Anschlüsse)
GT55N06D5 N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@ Goford Semiconductor	39 Vorrätig 10.000 Marktplatz	5.000 : 0,22945 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1 : 0,84000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,30164 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	53 A (Ta)	4,5V, 10V	9mOhm bei 14A, 10V	2,5V bei 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	1988 pF @ 30 V	-	70W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-DFN (4,9x5,75)	8-PowerTDFN
PSMN018-100ESFQ NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100 NXP Semiconductors	4.976 Marktplatz	814 : 0,34232 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	53 A (Ta)	7V, 10V	18mOhm bei 15A, 10V	4V bei 1mA	21.4 nC @ 10 V	±20V	1482 pF @ 50 V	-	111W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	I2PAK	TO-262-3, lange Anschlüsse, I²Pak, TO-262AA
PSMN018-100PSFQ MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB Nexperia USA Inc.	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	53 A (Ta)	7V, 10V	18mOhm bei 15A, 10V	4V bei 1mA	21.4 nC @ 10 V	±20V	1482 pF @ 50 V	-	111W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
PSMN018-100ESFQ MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK Nexperia USA Inc.	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	53 A (Ta)	7V, 10V	18mOhm bei 15A, 10V	4V bei 1mA	21.4 nC @ 10 V	±20V	1482 pF @ 50 V	-	111W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	I2PAK	TO-262-3, lange Anschlüsse, I²Pak, TO-262AA

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.