Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 3.216
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark Semiconductor
Serie
-AlphaSGT™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ VIDual Cool™Dual Cool™, PowerTrench®e-GaN®eGaN®FETKY™
Verpackung
Band & Box (TB)Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
50mA50mA (Ta)160mA (Tj)175mA (Tj)250mA (Tj)350mA (Tj)430mA (Tj)450mA (Ta)630mA (Tj)700mA (Tj)890mA (Tj)1,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1,5V, 4,5V1,8V, 4,5V1,8V, 8V2,5V, 10V2,5V, 4,5V2,8V, 10V3V, 10V3,3V, 10V4V, 10V4,3V, 10V4,5V4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,3mOhm bei 200A, 10V0,39mOhm bei 100A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,47mOhm bei 50A, 10V0.47mOhm @ 100A, 10V0,48 mOhm bei 50A, 10V0,49mOhm bei 50A, 10V0,51mOhm bei 100A, 10V0,52mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
900mV bei 250µA1V bei 250µA1V bei 250µA (Min)1,2V bei 1mA1,4V bei 1mA1,4V bei 250µA1,5V bei 1mA1,5V bei 250µA1,6V bei 1mA1,6V bei 250µA1,6V bei 500µA1,8V bei 130µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.45 nC @ 5 V1.1 nC @ 4.2 V1.8 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.2 V2.5 nC @ 5 V2.8 nC @ 5 V3.5 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 10 V3.6 nC @ 10 V3.8 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-6,5V+5V, -16V+5V, -20V+6V, -4V+6V, -5V±8V+10V, -20V±10V±12V±15V+16V, -10V±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V52 pF @ 20 V60 pF @ 25 V65 pF @ 25 V70 pF @ 20 V113 pF @ 20 V125 pF @ 20 V130 pF @ 10 V150 pF @ 20 V150 pF @ 25 V160 pF @ 20 V170 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-Schottky-Diode (isoliert)Schottky-Diode (Körper)StrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
350mW360mW (Ta)375mW375mW (Ta)460mW (Ta), 5W (Tc)480mW (Ta), 6,25W (Tc)490mW (Ta), 6,25W (Tc)500mW (Ta)610mW (Ta), 61W (Tc)615mW (Ta), 7,5W (Tc)630mW (Ta), 104W (Tc)630mW (Ta), 86W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 100°C-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 185°C (TJ)-55°C bis 200°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SMD5-DFN (5x6) (8-SOFL)5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)5-SMD6-DFN (2x2)6-MicroFET (2x2)6-PQFN Dual (2x2)6-QFN (2x2)6-TSOP6-TSOP-F6-UDFN (2x2)6-UDFNB (2x2)
Gehäuse / Hülle
3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-SMD, ohne Anschlüsse3-WDSON4-SMD, ohne Anschlüsse5-PowerSFN5-SMD, ohne Anschlüsse6-PowerUDFN6-PowerVDFN6-PowerWDFN6-SMD, flache Anschlüsse6-UDFN mit freiliegendem Pad6-WDFN mit freiliegendem Pad
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
36.995
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09139 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3 A (Ta)
4,5V, 10V
75mOhm bei 3A, 10V
2,5V bei 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 20 V
-
615mW (Ta), 7,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D120-40EX
MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
44.257
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09911 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
2,9A (Ta), 5,7A (Tc)
4,5V, 10V
120mOhm bei 2,9A, 10V
2,5V bei 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
113 pF @ 20 V
-
2W (Ta), 7,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
DFN2020MD-6
6-UDFN mit freiliegendem Pad
334.758
Vorrätig
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,18184 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
12 A (Tc)
4,5V, 10V
44mOhm bei 12A, 10V
3V bei 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
31.432
Vorrätig
1 : 0,41000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,11055 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
5,6 A (Tc)
4,5V, 10V
42mOhm bei 4,3A, 10V
2,5V bei 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
35.500
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,14448 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
12 A (Tc)
2,5V, 10V
26mOhm bei 9A, 10V
1,4V bei 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3,5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
20.188
Vorrätig
1 : 0,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,14787 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
43mOhm bei 6A, 10V
2,7V bei 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
DFN2020MD-6
6-UDFN mit freiliegendem Pad
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
38.864
Vorrätig
1 : 0,45000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,12086 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3,6 A (Ta)
4,5V, 10V
56mOhm bei 3,6A, 10V
2,5V bei 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2318DS-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
50.414
Vorrätig
1 : 0,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,15976 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3 A (Ta)
4,5V, 10V
45mOhm bei 3,9A, 10V
3V bei 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 20 V
-
750mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
20.251
Vorrätig
1 : 0,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16283 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3,3 A (Ta)
4,5V, 10V
33mOhm bei 4,4A, 10V
2,2V bei 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1382 pF @ 20 V
-
700mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
U-DFN2020-6 (Typ E)
6-PowerUDFN
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
32.763
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,16726 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
3,4 A (Ta)
4,5V, 10V
112mOhm bei 3,4A, 10V
3V bei 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
41.711
Vorrätig
1 : 0,51000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17365 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
4,4 A (Tc)
4,5V, 10V
77mOhm bei 3,1A, 10V
2,5V bei 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-252-2
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
29.287
Vorrätig
1.775.000
Fabrik
1 : 0,52000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,17671 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
7,2 A (Ta)
4,5V, 10V
51mOhm bei 12A, 10V
3V bei 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2,14W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
8-SOIC
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Vishay Siliconix
5.498
Vorrätig
1 : 0,53000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,20132 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
7,2 A (Tc)
4,5V, 10V
45mOhm bei 5A, 10V
2,5V bei 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 20 V
-
4,2W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
122.924
Vorrätig
1 : 0,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,20937 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
20 A (Tc)
4,5V, 10V
30mOhm bei 12A, 10V
3V bei 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 37W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
36.401
Vorrätig
1 : 0,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,18615 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
40 A (Tc)
4,5V, 10V
22mOhm bei 12A, 10V
3V bei 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 62,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
173.580
Vorrätig
1 : 0,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,19171 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
10 A (Ta)
4,5V, 10V
10mOhm bei 10A, 10V
3V bei 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1,7W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN014-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
30.925
Vorrätig
1 : 0,59000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,25091 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
46 A (Tc)
10V
14mOhm bei 5A, 10V
4V bei 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
702 pF @ 20 V
-
56W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
TO-252, (D-Pak)
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
235.181
Vorrätig
1 : 0,61000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,23084 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
13 A (Ta), 50 A (Tc)
4,5V, 10V
7mOhm bei 20A, 10V
2,6V bei 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2,3W (Ta), 50W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
8-DFN
AON6236
MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
201.432
Vorrätig
1 : 0,61000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,20049 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
19 A (Ta), 30 A (Tc)
4,5V, 10V
7mOhm bei 20A, 10V
2,4V bei 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1225 pF @ 20 V
-
4,2W (Ta), 39W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, flache Anschlüsse
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
44.054
Vorrätig
1 : 0,62000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,20699 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
12 A (Tc)
4,5V, 10V
47mOhm bei 4,4A, 10V
2,2V bei 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
10.171
Vorrätig
1 : 0,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,24829 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
14 A (Ta)
4,5V, 10V
11,5mOhm bei 14A, 10V
3V bei 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
3,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SOT-23-3
SI2319DS-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
127.236
Vorrätig
1 : 0,67000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,25500 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
2,3 A (Ta)
4,5V, 10V
82mOhm bei 3A, 10V
3V bei 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MBRD6100CT-TP
MCU60N04A-TP
N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
6.493
Vorrätig
1 : 0,70000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,26721 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
60A
-
7mOhm bei 20A, 10V
2V bei 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 20 V
-
70W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
8 SO
DMP4015SSS-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
10.041
Vorrätig
110.000
Fabrik
1 : 0,74000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,27933 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
9,1 A (Ta)
4,5V, 10V
11mOhm bei 9,8 A, 10V
2,5V bei 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1,45W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SO
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
50.504
Vorrätig
1 : 0,75000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,26752 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
13 A (Ta), 49 A (Tc)
4,5V, 10V
9,3mOhm bei 40A, 10V
2V bei 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 35W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
Angezeigt werden
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.