40 V Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 3.151
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYS
Serie
-*AlphaSGT™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VIAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 6
Verpackung
Band & Box (TB)Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
50mA (Ta)50mA160mA (Tj)175mA (Tj)250mA (Tj)350mA (Tj)430mA (Tj)450mA (Ta)630mA (Tj)700mA (Tj)890mA (Tj)1,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1,5V, 4,5V1,8V, 4,5V1,8V, 8V2,5V, 10V2,5V, 4,5V2,8V, 10V3V, 10V3,3V, 10V4V, 10V4,3V, 10V4,5V4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,3mOhm bei 200A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0.47mOhm @ 50A, 10V0,48 mOhm bei 50A, 10V0,52mOhm bei 50A, 10V0,53mOhm bei 20A, 10V0,55mOhm bei 100A, 10V0,55mOhm bei 25A, 10V0,55mOhm bei 60A, 10V0,55mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
900mV bei 250µA1V bei 250µA (Min)1V bei 250µA1,2V bei 1mA1,4V bei 1mA1,4V bei 250µA1,5V bei 1mA1,5V bei 250µA1,6V bei 1mA1,6V bei 250µA1,6V bei 500µA1,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.45 nC @ 5 V1.1 nC @ 4.2 V1.8 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.2 V2.5 nC @ 5 V2.8 nC @ 5 V3.5 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V3.8 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 10 V4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-6,5V+5V, -16V+6V, -4V+6V, -5V±8V+10V, -20V±10V±12V±15V+16V, -10V±16V±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V9 pF @ 25 V15 pF @ 25 V20.25 pF @ 25 V52 pF @ 20 V60 pF @ 25 V65 pF @ 25 V70 pF @ 20 V113 pF @ 20 V125 pF @ 20 V130 pF @ 10 V150 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-Schottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
350mW360mW (Ta)375mW (Ta)375mW460mW (Ta), 5W (Tc)480mW (Ta), 6,25W (Tc)490mW (Ta), 6,25W (Tc)500mW (Ta)610mW (Ta), 61W (Tc)615mW (Ta), 7,5W (Tc)630mW (Ta), 104W (Tc)630mW (Ta), 86W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 185°C (TJ)-55°C bis 200°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)150°C (TJ)150°C
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-LDPAK5-DFN (5x6) (8-SOFL)5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)6-DFN (2x2)6-MicroFET (2x2)6-PQFN Dual (2x2)6-TSOP6-TSOP-F6-UDFN (2x2)6-UDFNB (2x2)6-WDFNW (2,05x2,05)8-DFN (3,15x3,05)
Gehäuse / Hülle
3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-SMD, ohne Anschlüsse3-WDSON5-PowerSFN6-PowerUDFN6-PowerVDFN6-PowerWDFN6-SMD, flache Anschlüsse6-UDFN mit freiliegendem Pad6-WDFN mit freiliegendem Pad8-PowerBSFN8-PowerDFN
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Serie
Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
24.726
Vorrätig
1 : 2,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,07541 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
19.017
Vorrätig
1 : 4,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,14479 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm bei 33A, 5V2,5V bei 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
7.721
Vorrätig
1 : 5,78000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,27868 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V90 A (Ta)5V1,1mOhm bei 50A, 5V2,5V bei 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2024
GANFET NCH 40V 60A DIE
EPC
4.840
Vorrätig
1 : 7,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 4,63776 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V90 A (Ta)5V1,5mOhm bei 37A, 5V2,5V bei 19mA-+6V, -4V2100 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
SOT-23-3
PJA3441_R1_00001
SOT-23, MOSFET
Panjit International Inc.
118.778
Vorrätig
1 : 0,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08813 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3,1 A (Ta)4,5V, 10V88mOhm bei 3,1A, 10V2,5V bei 250µA6 nC @ 4.5 V±20V505 pF @ 20 V-1,25W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
PJA3441-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
Panjit International Inc.
12.358
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09443 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3,1 A (Ta)4,5V, 10V88mOhm bei 3,1A, 10V2,5V bei 250µA6 nC @ 4.5 V±20V505 pF @ 20 V-1,25W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
5.022
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,10243 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3 A (Ta)4,5V, 10V75mOhm bei 3A, 10V2,5V bei 250µA5 nC @ 10 V±20V180 pF @ 20 V-615mW (Ta), 7,5W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
20.581
Vorrätig
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13718 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3,6 A (Ta)4,5V, 10V56mOhm bei 3,6A, 10V2,5V bei 25µA3.9 nC @ 4.5 V±16V266 pF @ 25 V-1,3W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageMicro3™/SOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
21.047
Vorrätig
1 : 0,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,15660 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V12 A (Tc)2,5V, 10V26mOhm bei 9A, 10V1,4V bei 250µA21.5 nC @ 10 V±12V700 pF @ 20 V-3,5W (Ta), 19W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2318DS-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
10.464
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17316 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3 A (Ta)4,5V, 10V45mOhm bei 3,9A, 10V3V bei 250µA15 nC @ 10 V±20V540 pF @ 20 V-750mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
10.302
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17323 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3,3 A (Ta)4,5V, 10V33mOhm bei 4,4A, 10V2,2V bei 250µA23.2 nC @ 10 V±20V1382 pF @ 20 V-700mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageU-DFN2020-6 (Typ E)6-PowerUDFN
SOT-23-3
SQ2318AES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
54.669
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,19680 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V8 A (Tc)4,5V, 10V31mOhm bei 7,9A, 10V2,5V bei 250µA13 nC @ 10 V±20V555 pF @ 10 V-3W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2318AES-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
57.687
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,19680 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V8 A (Tc)4,5V, 10V31mOhm bei 7,9A, 10V2,5V bei 250µA13 nC @ 10 V±20V553 pF @ 20 V-3W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOIC
AO4484
MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
279.458
Vorrätig
1 : 0,58000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,20779 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V10 A (Ta)4,5V, 10V10mOhm bei 10A, 10V3V bei 250µA37 nC @ 10 V±20V1950 pF @ 20 V-1,7W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
3.791
Vorrätig
1 : 0,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,21122 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V3,4 A (Ta)4,5V, 10V112mOhm bei 3,4A, 10V3V bei 250µA37 nC @ 10 V±20V1110 pF @ 25 V-2W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageMicro6™(TSOP-6)SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TO-252, (D-Pak)
AOD413A
MOSFET P-CH 40V 12A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
361.934
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,21975 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V12 A (Tc)4,5V, 10V44mOhm bei 12A, 10V3V bei 250µA21 nC @ 10 V±20V1125 pF @ 20 V-2,5W (Ta), 50W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-252 (DPAK)TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD454A
MOSFET N-CH 40V 20A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
168.163
Vorrätig
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,21975 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V20 A (Tc)4,5V, 10V30mOhm bei 12A, 10V3V bei 250µA10.8 nC @ 10 V±20V650 pF @ 20 V-2,5W (Ta), 37W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-252 (DPAK)TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
103.254
Vorrätig
1 : 0,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,22436 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V12 A (Tc)4,5V, 10V47mOhm bei 4,4A, 10V2,2V bei 250µA35 nC @ 10 V±20V890 pF @ 20 V-19W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
TO-252, (D-Pak)
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
276.312
Vorrätig
1 : 0,63000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,24228 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V13 A (Ta), 50 A (Tc)4,5V, 10V7mOhm bei 20A, 10V2,6V bei 250µA33 nC @ 10 V±20V1800 pF @ 20 V-2,3W (Ta), 50W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-252 (DPAK)TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
8-DFN
AON6236
MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
244.005
Vorrätig
1 : 0,63000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,24228 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V19 A (Ta), 30 A (Tc)4,5V, 10V7mOhm bei 20A, 10V2,4V bei 250µA26 nC @ 10 V±20V1225 pF @ 20 V-4,2W (Ta), 39W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-DFN (5x6)8-PowerSMD, flache Anschlüsse
SOT-23-3
SQ2389ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
37.888
Vorrätig
1 : 0,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,24538 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V4,1 A (Tc)4,5V, 10V94mOhm bei 10A, 10V2,5V bei 250µA12 nC @ 10 V±20V420 pF @ 20 V-3W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOIC
AO4480
MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
153.562
Vorrätig
1 : 0,68000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,26059 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V14 A (Ta)4,5V, 10V11,5mOhm bei 14A, 10V3V bei 250µA22 nC @ 10 V±20V1920 pF @ 20 V-3,1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SOT-23-3
SI2319DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
8.380
Vorrätig
1 : 0,69000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,26764 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V2,3 A (Ta)10V82mOhm bei 3A, 10V3V bei 250µA17 nC @ 10 V±20V470 pF @ 20 V-750mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-252, (D-Pak)
AOD4185
MOSFET P-CH 40V 40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
11.188
Vorrätig
1 : 0,77000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,29862 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V40 A (Tc)4,5V, 10V15mOhm bei 20A, 10V3V bei 250µA55 nC @ 10 V±20V2550 pF @ 20 V-2,5W (Ta), 62,5W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-252 (DPAK)TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
8-PowerVDFN PKG
TPH3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Toshiba Semiconductor and Storage
11.012
Vorrätig
1 : 0,87000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,31344 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V92 A (Tc)4,5V, 10V3,7mOhm bei 46A, 10V2,4V bei 200µA27 nC @ 10 V±20V2500 pF @ 20 V-960mW (Ta), 81W (Tc)175°COberflächenmontage8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)8-PowerVDFN
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40 V Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.