36 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle

EPC2001C GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE EPC	83.189 Vorrätig	1 : 4,59000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 2,23194 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	eGaN®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	GaNFET (Galliumnitrid)	100 V	36 A (Ta)	5V	7mOhm bei 25A, 5V	2,5V bei 5mA	9 nC @ 5 V	+6V, -4V	900 pF @ 50 V	-	-	-40°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Einsatz	Einsatz
DMP3010LPSQ-13 MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8 Diodes Incorporated	2.495 Vorrätig	1 : 1,03000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,42663 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	36 A (Ta)	4,5V, 10V	7,5mOhm bei 10A, 10V	2,1V bei 250µA	126.2 nC @ 10 V	±20V	6234 pF @ 15 V	-	2,18W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
IRLR2905CPBF MOSFET N-CH 55V 36A DPAK Infineon Technologies	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	36 A (Ta)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Oberflächenmontage	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TPCA8A01-H(TE12L,Q MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	36 A (Ta)	4,5V, 10V	5,6mOhm bei 18A, 10V	2,3V bei 1mA	35 nC @ 10 V	±20V	1970 pF @ 10 V	-	1,6W (Ta), 45W (Tc)	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)	8-PowerVDFN
2SK3482-AZ MOSFET N-CH 100V 36A TO251 Renesas Electronics America Inc	0 Vorrätig	Nur verfügbar bis	-	Lose im Beutel	Nur verfügbar bis	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	36 A (Ta)	4,5V, 10V	33mOhm bei 18A, 10V	-	72 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 10 V	-	1W (Ta), 50W (Tc)	150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-251	TO-251-3 kurze Anschlüsse <!--IPak TO-251AA-->

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.