20 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle

AO4576 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6.440 Vorrätig	1 : 0,55000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,18331 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	5,8mOhm bei 20A, 10V	2,2V bei 250µA	22.5 nC @ 10 V	±20V	951 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
CSD25310Q2 MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Texas Instruments	47.235 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,19036 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	20 A (Ta)	1,8V, 4,5V	23,9mOhm bei 5A, 4,5V	1,1V bei 250µA	4.7 nC @ 4.5 V	±8V	655 pF @ 10 V	-	2,9W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-WSON (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
FDS6681Z MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC onsemi	32.622 Vorrätig	1 : 1,99000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,89814 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	4,6mOhm bei 20A, 10V	3V bei 250µA	260 nC @ 10 V	±25V	7540 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SI7858ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	5.150 Vorrätig	1 : 2,50000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 1,12738 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	20 A (Ta)	2,5V, 4,5V	2,6mOhm bei 29A, 4,5V	1,5V bei 250µA	80 nC @ 4.5 V	±8V	5700 pF @ 6 V	-	1,9W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
CSD17579Q3A MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Texas Instruments	41.379 Vorrätig	1 : 0,55000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,18472 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	10,2mOhm bei 8A, 10V	1,9V bei 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	998 pF @ 15 V	-	3,2W (Ta), 29W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-VSONP (3x3,3)	8-PowerVDFN
CSD17578Q3A MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Texas Instruments	27.759 Vorrätig 2.500 Fabrik	1 : 0,62000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,21010 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	7,3mOhm bei 10A, 10V	1,9V bei 250µA	22.2 nC @ 10 V	±20V	1590 pF @ 15 V	-	3,2W (Ta), 37W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-VSONP (3x3,3)	8-PowerVDFN
AO4402 MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	26.987 Vorrätig	1 : 1,02000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,42279 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	20 A (Ta)	2,5V, 4,5V	5,5mOhm bei 20A, 4,5V	1,6V bei 250µA	43 nC @ 10 V	±12V	4630 pF @ 10 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
CSD17579Q3AT MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Texas Instruments	5.016 Vorrätig 10.000 Fabrik	1 : 1,20000 € Gurtabschnitt (CT) 250 : 0,75560 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	10,2mOhm bei 8A, 10V	1,9V bei 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	998 pF @ 15 V	-	3,2W (Ta), 29W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-VSONP (3x3,3)	8-PowerVDFN
CSD17578Q3AT MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Texas Instruments	1.958 Vorrätig 10.000 Fabrik	1 : 1,25000 € Gurtabschnitt (CT) 250 : 0,78740 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	7,3mOhm bei 10A, 10V	1,9V bei 250µA	22.2 nC @ 10 V	±20V	1590 pF @ 15 V	-	3,2W (Ta), 37W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-VSONP (3x3,3)	8-PowerVDFN
TJ20S04M3L,LXHQ MOSFET P-CH 40V 20A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	2.000 Vorrätig	1 : 0,85000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,35232 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	20 A (Ta)	6V, 10V	22,2mOhm bei 10A, 10V	3V bei 1mA	37 nC @ 10 V	+10V, -20V	1850 pF @ 10 V	-	41W (Tc)	175°C	-	-	Oberflächenmontage	DPAK+	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TPCA8052-H(T2L1,VM MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	14.442 Vorrätig	1 : 1,02000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,40389 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	11,3mOhm bei 10A, 10V	2,3V bei 200µA	25 nC @ 10 V	±20V	2110 pF @ 10 V	-	1,6W (Ta), 30W (Tc)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)	8-PowerVDFN
CSD25310Q2T MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Texas Instruments	18.980 Vorrätig 10.000 Fabrik	1 : 1,06000 € Gurtabschnitt (CT) 250 : 0,66812 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	20 A (Ta)	1,8V, 4,5V	23,9mOhm bei 5A, 4,5V	1,1V bei 250µA	4.7 nC @ 4.5 V	±8V	655 pF @ 10 V	-	2,9W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-WSON (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
RD3P200SNFRATL MOSFET N-CH 100V 20A TO252 Rohm Semiconductor	6.302 Vorrätig	1 : 2,73000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 1,22693 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	20 A (Ta)	4V, 10V	46mOhm bei 20A, 10V	2,5V bei 1mA	55 nC @ 10 V	±20V	2100 pF @ 25 V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	TO-252	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TK20V60W5,LVQ MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN Toshiba Semiconductor and Storage	4.812 Vorrätig	1 : 2,81000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 1,36761 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	DTMOSIV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	20 A (Ta)	10V	190mOhm bei 10A, 10V	4,5V bei 1mA	55 nC @ 10 V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	156W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	4-DFN-EP (8x8)	4-VSFN mit freiliegendem Pad
TK20E60W5,S1VX X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	788 Vorrätig	1 : 3,21000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	20 A (Ta)	10V	175mOhm bei 10A, 10V	4,5V bei 1mA	55 nC @ 10 V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	165W (Tc)	150°C	-	-	Durchkontaktierung	TO-220	TO-220-3
XPN7R104NC,L1XHQ MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	9.560 Vorrätig	1 : 1,14000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,44739 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSIII	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	7,1mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 200µA	21 nC @ 10 V	±20V	1290 pF @ 10 V	-	840mW (Ta), 65W (Tc)	175°C	-	-	Oberflächenmontage	8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)	8-PowerVDFN
RJK0349DSP-01#J0 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP Renesas Electronics Corporation	5.000 Vorrätig	2.500 : 0,63572 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	3,8mOhm bei 10A, 10V	-	25 nC @ 4.5 V	±20V	3850 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RJK0851DPB-00#J5 MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK Renesas Electronics Corporation	5.000 Vorrätig	2.500 : 0,76286 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	23mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 1mA	14 nC @ 4.5 V	±20V	2050 pF @ 10 V	-	45W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK	SC-100, SOT-669
RJK1054DPB-00#J5 MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK Renesas Electronics Corporation	2.500 Vorrätig	2.500 : 1,03622 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	20 A (Ta)	10V	22mOhm bei 10A, 10V	-	27 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 10 V	-	55W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LFPAK	SC-100, SOT-669
RJK2075DPA-00#J5A MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK Renesas Electronics Corporation	6.000 Vorrätig	3.000 : 1,28745 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	20 A (Ta)	10V	69mOhm bei 10A, 10V	-	38 nC @ 10 V	±30V	2200 pF @ 25 V	-	65W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	WPAK(3F) (5x6)	8-PowerVDFN
SFT1446-TL-H MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Sanyo	16.800 Marktplatz	919 : 0,31235 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	20 A (Ta)	4V, 10V	51mOhm bei 10A, 10V	2,6V bei 1mA	16 nC @ 10 V	±20V	750 pF @ 20 V	-	1W (Ta), 23W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TP-FA	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
SFT1446-H MOSFET N-CH 60V 20A TP onsemi	2.000 Marktplatz	861 : 0,33128 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	20 A (Ta)	4V, 10V	51mOhm bei 10A, 10V	2,6V bei 1mA	16 nC @ 10 V	±20V	750 pF @ 20 V	-	1W (Ta), 23W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	IPAK/TP	TO-251-3 kurze Anschlüsse <!--IPak TO-251AA-->
FDD6782A MOSFET N-CH 25V 20A DPAK Fairchild Semiconductor	82.216 Marktplatz	761 : 0,36913 € Lose im Beutel	PowerTrench®	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	10,5mOhm bei 14,9A, 10V	3V bei 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	1065 pF @ 13 V	-	3,7W (Ta), 31W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
IRFHM4234TRPBF HEXFET POWER MOSFET International Rectifier	1.122 Marktplatz	770 : 0,36913 € Lose im Beutel	FASTIRFET™, HEXFET®	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	20 A (Ta)	4,5V, 10V	4,4mOhm bei 30A, 10V	2,1V bei 25µA	17 nC @ 10 V	±20V	1011 pF @ 13 V	-	2,8W (Ta), 28W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	-	8-TQFN mit freiliegendem Pad
RJK0368DPA-00#J0 MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	61.026 Marktplatz	625 : 0,45432 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Ta)	-	14,3mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 1mA	6.2 nC @ 4.5 V	-	730 pF @ 10 V	-	25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-WPAK	8-PowerWDFN

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.

20 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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