20 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 140
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.BruckewellFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiRenesasRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.
Serie
-DTMOSIIDTMOSIVDTMOSVIFASTIRFET™, HEXFET®HEXFET®NexFET™PowerTrench®SRFET™TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIIIU-MOSIVU-MOSVI
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
N-KanalP-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V20 V25 V30 V36 V40 V45 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1,8V, 4,5V2,5V, 4,5V2,5V, 4V4V, 10V4V, 5V4,5V, 10V5V6V, 10V8V, 10V10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,6mOhm bei 29A, 4,5V3,8mOhm bei 10A, 10V4mOhm bei 20A, 10V4,2mOhm bei 20A, 10V4,4mOhm bei 20A, 10V4,4mOhm bei 30A, 10V4,5mOhm bei 20,5A, 10V4,5mOhm bei 20A, 10V4,5mOhm bei 35A, 10V4,6mOhm bei 20A, 10V4,7mOhm bei 20A, 10V4,7mOhm bei 42A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
900mV bei 250µA1V bei 250µA1,1V bei 250µA1,25V bei 250µA1,5V bei 1mA1,5V bei 250µA1,6V bei 250µA1,9V bei 250µA2V bei 1mA2V bei 250µA2V bei 500µA2,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.6 nC @ 10 V4.7 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V14 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V15 nC @ 10 V15.8 nC @ 5 V16 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±8V+10V, -20V±10V±12V±15V+20V, -25V±20V20V±25V±30V40V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
655 pF @ 10 V730 pF @ 10 V750 pF @ 20 V760 pF @ 10 V780 pF @ 10 V820 pF @ 10 V887 pF @ 20 V950 pF @ 10 V951 pF @ 15 V985 pF @ 10 V990 pF @ 25 V998 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-Schottky-Diode (Körper)
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 19W (Tc)700mW (Ta), 27W (Tc)840mW (Ta), 65W (Tc)1W (Ta), 23W (Tc)1W (Ta), 30W (Tc)1,36W (Ta), 60W (Tj)1,6W (Ta), 30W (Tc)1,6W (Ta), 32W (Tc)1,7W (Ta)1,75W (Ta), 74W (Tc)1,88W (Ta)1,88W (Ta), 60W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-40°C bis 125°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C175°C (TJ)
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101
Montagetyp
DurchkontaktierungOberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-DFN-EP (8x8)4-TFP (9,2x9,2)6-WSON (2x2)8-DFN (2x2)8-DFN (5x6)8-DFN3333 (3,3x3,3)8-PSOP8-SO8-SO FLMP8-SOIC8-SOP8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Gehäuse / Hülle
3-SMD, flache Anschlüsse4-VSFN mit freiliegendem Pad6-WDFN mit freiliegendem Pad8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-PowerWFDFN8-SMD, flacher Anschluss8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) mit freiliegendem Pad8-TQFN mit freiliegendem Pad8-VDFN mit freiliegendem Pad
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
140Resultate
Angewandte Filter Alle entfernen
Angezeigt werden
von 140
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
21.727
Vorrätig
1 : 0,52000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17395 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
5,8mOhm bei 20A, 10V
2,2V bei 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
3,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
IRF7832TRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Infineon Technologies
31.471
Vorrätig
1 : 1,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,43729 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
4mOhm bei 20A, 10V
2,32V bei 250µA
51 nC @ 4.5 V
±20V
4310 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C bis 155°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SO
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
DPAK_369C
NTD20N03L27T4G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
onsemi
2.177
Vorrätig
1 : 1,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,46549 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4V, 5V
27mOhm bei 10A, 5V
2V bei 250µA
18.9 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 25 V
-
1,75W (Ta), 74W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
8-SOIC
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
onsemi
16.809
Vorrätig
1 : 1,89000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,85231 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
4,6mOhm bei 20A, 10V
3V bei 250µA
260 nC @ 10 V
±25V
7540 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-VSONP
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
38.118
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,14708 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
10,2mOhm bei 8A, 10V
1,9V bei 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 29W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
6-WSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
43.823
Vorrätig
1 : 0,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,15157 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
20 A (Ta)
1,8V, 4,5V
23,9mOhm bei 5A, 4,5V
1,1V bei 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2,9W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-WSON (2x2)
6-WDFN mit freiliegendem Pad
8-VSONP
CSD17578Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
22.314
Vorrätig
1 : 0,59000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,19938 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
7,3mOhm bei 10A, 10V
1,9V bei 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 37W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
23.054
Vorrätig
1 : 0,97000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,36377 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
20 A (Ta)
2,5V, 4,5V
5,5mOhm bei 20A, 4,5V
1,6V bei 250µA
43 nC @ 10 V
±12V
4630 pF @ 10 V
-
3,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
1.335
Vorrätig
1 : 1,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,47183 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
20 A (Ta)
6V, 10V
22,2mOhm bei 10A, 10V
3V bei 1mA
37 nC @ 10 V
+10V, -20V
1850 pF @ 10 V
-
41W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK_369C
NTD20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
onsemi
5.388
Vorrätig
1 : 1,99000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,57609 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
20 A (Ta)
10V
46mOhm bei 10A, 10V
4V bei 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 25 V
-
1,88W (Ta), 60W (Tj)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
BA17818FP-E2
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Rohm Semiconductor
6.113
Vorrätig
1 : 3,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,08345 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
20 A (Ta)
4V, 10V
46mOhm bei 20A, 10V
2,5V bei 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
3.000
Vorrätig
1 : 4,01000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 1,39670 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
20 A (Ta)
10V
85mOhm bei 10A, 10V
-
19 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
65W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
WPAK(3F) (5x6)
8-PowerVDFN
6-WSON
CSD25310Q2T
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
18.880
Vorrätig
1 : 0,71000 €
Gurtabschnitt (CT)
250 : 0,44568 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
20 A (Ta)
1,8V, 4,5V
23,9mOhm bei 5A, 4,5V
1,1V bei 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2,9W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-WSON (2x2)
6-WDFN mit freiliegendem Pad
8-VSONP
CSD17579Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4.869
Vorrätig
1 : 0,80000 €
Gurtabschnitt (CT)
250 : 0,50408 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
10,2mOhm bei 8A, 10V
1,9V bei 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 29W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17578Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4.166
Vorrätig
1 : 1,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
250 : 0,74724 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
7,3mOhm bei 10A, 10V
1,9V bei 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 37W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
9.786
Vorrätig
1 : 1,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,34964 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
20 A (Ta)
6V, 10V
22,2mOhm bei 10A, 10V
3V bei 1mA
37 nC @ 10 V
+10V, -20V
1850 pF @ 10 V
-
41W (Tc)
175°C
-
-
Oberflächenmontage
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
11.845
Vorrätig
1 : 1,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,40440 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
7,1mOhm bei 10A, 10V
2,5V bei 200µA
21 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 10 V
-
840mW (Ta), 65W (Tc)
175°C
-
-
Oberflächenmontage
8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)
8-PowerVDFN
BA17818FP-E2
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Rohm Semiconductor
2.951
Vorrätig
1 : 1,90000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,54230 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
45 V
20 A (Ta)
4V, 10V
28mOhm bei 20A, 10V
2,5V bei 1mA
12 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 10 V
-
20W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
BA17818FP-E2
RD3H200SNFRATL
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Rohm Semiconductor
1.507
Vorrätig
1 : 2,09000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,60701 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
45 V
20 A (Ta)
4V, 10V
28mOhm bei 20A, 10V
2,5V bei 1mA
12 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 10 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
4.072
Vorrätig
1 : 2,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,95658 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
20mOhm bei 10A, 10V
-
29 nC @ 4.5 V
±20V
4160 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
LFPAK
SC-100, SOT-669
5.000
Vorrätig
1 : 2,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,65344 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
3,8mOhm bei 10A, 10V
-
25 nC @ 4.5 V
±20V
3850 pF @ 10 V
-
2,5W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOP
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
4.860
Vorrätig
1 : 2,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,67365 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
80 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
23mOhm bei 10A, 10V
2,5V bei 1mA
14 nC @ 4.5 V
±20V
2050 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
LFPAK
SC-100, SOT-669
PowerPAK SO-8
SI7858ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5.832
Vorrätig
1 : 2,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 1,06985 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nur verfügbar bis
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
12 V
20 A (Ta)
2,5V, 4,5V
2,6mOhm bei 29A, 4,5V
1,5V bei 250µA
80 nC @ 4.5 V
±8V
5700 pF @ 6 V
-
1,9W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
BA17818FP-E2
RD3P200SNTL1
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Rohm Semiconductor
5.835
Vorrätig
1 : 2,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,78467 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
20 A (Ta)
4V, 10V
46mOhm bei 20A, 10V
2,5V bei 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-220-3
TK20E60W5,S1VX
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
131
Vorrätig
1 : 3,93000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
20 A (Ta)
10V
175mOhm bei 10A, 10V
4,5V bei 1mA
55 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 300 V
-
165W (Tc)
150°C
-
-
Durchkontaktierung
TO-220
TO-220-3
Angezeigt werden
von 140

20 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.