Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Resultate : 3.717
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Serie
-AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSSCMSDeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VIIDepletionDual Cool™, PowerTrench®
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
75mA (Ta)100mA (Ta)120mA (Tj)140mA (Ta)150mA (Ta)160mA (Ta)170mA170mA (Ta)170mA (Tj)170mA Tj)190mA (Ta)200mA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V2,8V, 10V3V, 10V3V, 4,5V4V, 10V4V, 5V4,3V, 10V4,5V4,5V, 10V5V5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,28mOhm bei 100A, 10V1,35mOhm bei 932A, 10V1,4mOhm bei 100A, 10V1,4mOhm bei 150A, 10V1,4mOhm bei 50A, 10V1,45mOhm bei 30A, 10V1,5mOhm bei 100A, 10V1,5mOhm bei 150A, 10V1,5mOhm bei 30A, 10V1,5mOhm bei 80A, 10V1,53mOhm bei 100A, 10V1,55mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 170µA1V bei 250µA1V bei 380µA1,3V bei 7mA1,5V bei 1mA1,6V bei 250µA1,8V bei 100µA1,8V bei 13µA1,8V bei 218µA1,8V bei 400µA1,8V bei 50µA2V bei 1,037mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V0.6 nC @ 10 V0.63 nC @ 10 V0.74 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V0.91 nC @ 5 V1 nC @ 5 V1.3 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V+6V, -5V+7V, -10V±8V+10V, -8V±10V+12V, -5V±12V±14V±15V±16V±17V+20V, -12V±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8.4 pF @ 50 V14 pF @ 20 V14 pF @ 25 V14 pF @ 50 V15 pF @ 20 V15 pF @ 50 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21.5 pF @ 25 V25 pF @ 25 V29 pF @ 25 V30 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtStrommessung
Verlustleistung (max.)
200mW200mW (Ta)225mW (Ta)250mW (Ta)280mW (Tj)298mW (Ta)300mW (Ta)328mW (Ta)330mW (Ta)350mW350mW (Ta)360mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 185°C (TJ)-55°C bis 225°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-50°C bis 175°C (TJ)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-CPH3-MCPH4-DIP, Hexdip4-DIP, Hexdip, HVMDIP4-FSMD-B4-HVMDIP4-SMD5-DFN (5x6) (8-SOFL)5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)5-SMD6-DFN (2x2)6-MicroFET (2x2)
Gehäuse / Hülle
3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, ohne Anschlüsse3-SMD, SOT-23-3 Variante3-WDSON4-DIP (0,300", 7,62mm)4-PowerSFN4-SMD, ohne Anschlüsse5-PowerSFN5-SMD, ohne Anschlüsse6-PowerUDFN6-PowerVDFN
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
114.114
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03891 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm bei 170mA, 10V
2V bei 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
257.154
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04128 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
150mA (Ta)
10V
6Ohm bei 120mA, 10V
2,8V bei 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
213.582
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05062 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm bei 100mA, 10V
2,6V bei 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
44.593
Vorrätig
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05878 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
200mA
4,5V, 10V
5Ohm bei 200mA, 10V
2,5V bei 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
154.462
Vorrätig
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06120 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
190mA (Ta)
4,5V, 10V
6Ohm bei 190mA, 10V
1,8V bei 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
205.959
Vorrätig
1 : 0,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05116 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
6Ohm bei 170mA, 10V
2V bei 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
415.640
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04598 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
6Ohm bei 170mA, 10V
2V bei 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
AO3442
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
232.837
Vorrätig
1 : 0,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09228 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
1 A (Ta)
4,5V, 10V
630mOhm bei 1A, 10V
2,9V bei 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 50 V
-
1,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 Variante
SOT 23
SI2324A-TP
MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Micro Commercial Co
165.083
Vorrätig
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07795 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
2 A (Tj)
4,5V, 10V
280mOhm bei 2A, 10V
2V bei 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
520 pF @ 15 V
-
1,2W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Diodes Incorporated
64.000
Vorrätig
1.509.000
Fabrik
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07784 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
270mA (Ta)
4V, 10V
4,2Ohm bei 500mA, 10V
3V bei 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
87 pF @ 25 V
-
380mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
14.964
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07752 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm bei 100mA, 10V
2,8V bei 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
254.752
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,14644 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
1,9 A (Tc)
10V
250mOhm bei 500mA, 10V
4V bei 1mA
7 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-DFN
AON2290
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
219.472
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,14933 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
4,5 A (Ta)
4,5V, 10V
72mOhm bei 4,5A, 10V
2,8V bei 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
415 pF @ 50 V
-
2,8W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-DFN (2x2)
6-UDFN mit freiliegendem Pad
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
100.315
Vorrätig
1.350.000
Fabrik
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,12360 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
1,4 A (Ta)
4,5V, 10V
220mOhm bei 1,6A, 10V
2,5V bei 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
SI01P10-TP
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
Micro Commercial Co
44.061
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,09857 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
1 A (Tj)
-
800mOhm bei 1A, 10V
3V bei 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
388 pF @ 40 V
-
770mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
134.868
Vorrätig
135.000
Fabrik
1 : 0,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,17684 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
12 A (Tc)
4,5V, 10V
140mOhm bei 5A, 10V
3V bei 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
370.440
Vorrätig
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08308 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
2 A (Ta)
4,5V, 10V
140mOhm bei 2A, 10V
2,7V bei 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
1,4W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 Variante
SOT-23-3
ZXMN10A07FTA
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Diodes Incorporated
14.132
Vorrätig
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,12919 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
700mA (Ta)
6V, 10V
700mOhm bei 1,5A, 10V
4V bei 250µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
138 pF @ 50 V
-
625mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
43.849
Vorrätig
753.000
Fabrik
1 : 0,51000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,17177 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
600mA (Ta)
6V, 10V
1Ohm bei 600mA, 10V
4V bei 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-VSONP
CSD19538Q3A
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Texas Instruments
14.516
Vorrätig
1 : 0,51000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,19520 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
15 A (Ta)
6V, 10V
59mOhm bei 5A, 10V
3,8V bei 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2,8W (Ta), 23W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
DT2042-04SOQ-7
ZXMN10A08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Diodes Incorporated
16.083
Vorrätig
234.000
Fabrik
1 : 0,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,18826 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
1,5 A (Ta)
6V, 10V
250mOhm bei 3,2A, 10V
4V bei 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 50 V
-
1,1W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-26
SOT-23-6
TO-252-2
DMP10H400SK3-13
MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Diodes Incorporated
65.816
Vorrätig
205.000
Fabrik
1 : 0,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,21412 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
9 A (Tc)
4,5V, 10V
240mOhm bei 5A, 10V
3V bei 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SOT-23-3
VN2110K1-G
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Microchip Technology
12.696
Vorrätig
1 : 0,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,44012 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
200mA (Tj)
5V, 10V
4Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
360mW (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
62.362
Vorrätig
1 : 0,58000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13519 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm bei 170mA, 10V
1,8V bei 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
Mit Verarmungsschicht
360mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
23.282
Vorrätig
1 : 0,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13966 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
1,6 A (Ta)
4,5V, 10V
220mOhm bei 1,6A, 10V
2,5V bei 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
Micro3â„¢/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Angezeigt werden
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.