100 V Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 3.822
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris Corporation
Serie
-AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VIIAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-TAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
75mA (Ta)100mA (Ta)120mA (Tj)140mA (Ta)150mA (Ta)160mA (Ta)170mA (Ta)170mA (Tj)170mA Tj)170mA190mA (Ta)200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V2,8V, 10V3V, 10V3V, 4,5V4V, 10V4V, 5V4,3V, 10V4,5V4,5V, 10V5V5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,28mOhm bei 100A, 10V1,35mOhm bei 932A, 10V1,4mOhm bei 100A, 10V1,4mOhm bei 150A, 10V1,45mOhm bei 30A, 10V1,5mOhm bei 100A, 10V1,5mOhm bei 150A, 10V1,6mOhm bei 100A, 10V1,6mOhm bei 275A, 10V1,65mOhm bei 100A, 15V1,7mOhm bei 100A, 10V1,7mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 170µA1V bei 380µA1,5V bei 1mA1,8V bei 100µA1,8V bei 13µA1,8V bei 218µA1,8V bei 400µA1,8V bei 50µA2V bei 1,037mA2V bei 1,04mA2V bei 1,54mA2V bei 165µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V0.6 nC @ 10 V0.63 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V0.91 nC @ 5 V1 nC @ 5 V1.3 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V1.8 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
-15V+6V, -4V+6V, -5V±8V+10V, -8V±10V+12V, -5V±12V±14V±15V±16V±17V+20V, -12V20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8.4 pF @ 50 V10 pF @ 10 V14 pF @ 20 V14 pF @ 25 V14 pF @ 50 V15 pF @ 20 V15 pF @ 50 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21.5 pF @ 25 V25 pF @ 25 V29 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtStandardStrommessung
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)200mW225mW (Ta)250mW (Ta)280mW (Tj)298mW (Ta)300mW (Ta)330mW (Ta)350mW (Ta)350mW360mW (Ta)360mW (Ta), 830mW (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 185°C (TJ)-55°C bis 225°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-50°C bis 175°C (TJ)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-CPH3-MCPH4-DIP, Hexdip4-DIP, Hexdip, HVMDIP4-HVMDIP5-DFN (5x6) (8-SOFL)5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)6-DFN (2x2)6-MicroFET (2x2)6-PQFN Dual (2x2)6-TSOP6-TSOP-F
Gehäuse / Hülle
3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, flacher Anschluss3-SMD, ohne Anschlüsse3-WDSON4-DIP (0,300", 7,62mm)5-PowerSFN6-PowerUDFN6-PowerVDFN6-PowerWDFN6-SMD, flache Anschlüsse
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Preis
Serie
Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
26.253
Vorrätig
1 : 1,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50322 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1.071.639
Vorrätig
1 : 1,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50322 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm bei 100mA, 5V2,5V bei 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
217.833
Vorrätig
1 : 1,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50322 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
16.082
Vorrätig
1 : 1,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,51682 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V25mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1,5mA2.1 nC @ 5 V+6V, -4V258 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
154.757
Vorrätig
1 : 1,46000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,66885 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
41.713
Vorrätig
1 : 1,98000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,90492 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
19.003
Vorrätig
1 : 1,98000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,90492 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
44.626
Vorrätig
1 : 2,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,07241 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
156.159
Vorrätig
1 : 2,75000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,25901 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
46.624
Vorrätig
1 : 3,64000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,82608 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
99.185
Vorrätig
1 : 4,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,18355 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36 A (Ta)5V7mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
64.271
Vorrätig
1 : 5,84000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,30990 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V60 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
4.471
Vorrätig
1 : 6,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,37291 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V64A (Ta)5V2,2mOhm bei 30A, 5V2,5V bei 13mA26 nC @ 5 V+6V, -4V3931 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
EPC
54.967
Vorrätig
1 : 8,10000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 4,30681 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V101A (Ta)5V1,8mOhm bei 50A, 5V2,5V bei 14mA23 nC @ 5 V+6V, -4V3200 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage7-QFN (3x5)7-PowerWQFN
eGaN Series
EPC2032
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
2.626
Vorrätig
1 : 6,34000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 4,12580 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V48 A (Ta)5V4mOhm bei 30A, 5V2,5V bei 11mA15 nC @ 5 V+6V, -4V1530 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2022
GANFET N-CH 100V 90A DIE
EPC
5.280
Vorrätig
1 : 7,84000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 4,44588 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V90 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 12mA-+6V, -4V1500 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
455.730
Vorrätig
1 : 0,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05139 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V150mA (Ta)10V6Ohm bei 120mA, 10V2,8V bei 1mA-±20V40 pF @ 25 V-250mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
640.483
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05597 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V170mA (Ta)4,5V, 10V6Ohm bei 170mA, 10V2V bei 1mA-±20V60 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
94.387
Vorrätig
1 : 0,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,05969 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V190mA (Ta)4,5V, 10V6Ohm bei 190mA, 10V1,8V bei 13µA0.9 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-SOT23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
599.986
Vorrätig
1 : 0,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06606 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V170mA (Ta)4,5V, 10V6Ohm bei 170mA, 10V2V bei 1mA-±20V60 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
BSS119NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
64.403
Vorrätig
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,10948 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V190mA (Ta)4,5V, 10V6Ohm bei 190mA, 10V2,3V bei 13µA0.6 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-SOT23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AOSS62934
MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
602.585
Vorrätig
1 : 0,42000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,11862 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V2 A (Ta)4,5V, 10V140mOhm bei 2A, 10V2,7V bei 250µA3.8 nC @ 10 V±20V250 pF @ 50 V-1,4W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 Variante
BC817-16-TP
SI01P10-TP
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
Micro Commercial Co
187.285
Vorrätig
1 : 0,47000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13457 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V1 A (Tj)-800mOhm bei 1A, 10V3V bei 250µA3.2 nC @ 10 V±20V388 pF @ 40 V-770mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
182.190
Vorrätig
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13652 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V1,4 A (Ta)4,5V, 10V220mOhm bei 1,6A, 10V2,5V bei 250µA8.3 nC @ 10 V±16V401 pF @ 25 V-1,3W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN10A07FTA
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Diodes Incorporated
3.869
Vorrätig
1 : 0,41000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,14269 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V700mA (Ta)6V, 10V700mOhm bei 1,5A, 10V4V bei 250µA2.9 nC @ 10 V±20V138 pF @ 50 V-625mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Angezeigt werden
von 3.822

100 V Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.