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FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
6.921
Vorrätig
1 : 1,08000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,45702 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4V, 10V7mOhm bei 17A, 10V1,6V bei 250µA105 nC @ 10 V±20V5500 pF @ 15 V-3,1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
TSDSON-8
BSZ0589NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Infineon Technologies
10.000
Vorrätig
1 : 1,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,54601 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V4,4mOhm bei 8A, 10V2V bei 250µA15 nC @ 10 V±20V950 pF @ 15 V-2,1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-TSDSON-8-FL8-PowerTDFN
8-SOIC
SI4368DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vishay Siliconix
4.526
Vorrätig
1 : 2,70000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,37138 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V3,2mOhm bei 25A, 10V1,8V bei 250µA80 nC @ 4.5 V±12V8340 pF @ 15 V-1,6W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
TLC4502QDG4
FDS7766
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Fairchild Semiconductor
11.245
Marktplatz
321 : 0,94885 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V5mOhm bei 17A, 10V3V bei 250µA69 nC @ 5 V±16V4973 pF @ 15 V-1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
DS485TMX-NOPB
FDS7766S
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Fairchild Semiconductor
5.000
Marktplatz
137 : 2,22066 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V5,5mOhm bei 17A, 10V3V bei 1mA58 nC @ 5 V±16V4785 pF @ 15 V-1W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
SI4864DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Vishay Siliconix
1.780
Vorrätig
1 : 4,47000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,53158 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V17 A (Ta)2,5V, 4,5V3,5mOhm bei 25A, 4,5V2V bei 250µA70 nC @ 4.5 V±8V--1,6W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
6.000
Marktplatz
400 : 0,75705 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
ObsoletN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)-7,3mOhm bei 17A, 10V2,5V bei 1mA17 nC @ 5 V-1770 pF @ 15 V---Oberflächenmontage8-DFN3333 (3,3x3,3)8-VDFN mit freiliegendem Pad
DPAK_369C
SFT1445-TL-H
MOSFET N-CH 100V 17A TP-FA
onsemi
300
Vorrätig
1 : 1,06000 €
Gurtabschnitt (CT)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V17 A (Ta)4V, 10V111mOhm bei 8,5A, 10V2,6V bei 1mA19 nC @ 10 V±20V1030 pF @ 20 V-1W (Ta), 35W (Tc)150°C (TJ)OberflächenmontageTP-FATO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
IRF6894MTRPBF
AUIRF7734M2TR
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2
International Rectifier
4.800
Marktplatz
319 : 0,94884 €
Lose im Beutel
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V17 A (Ta)10V4,9mOhm bei 43A, 10V4V bei 100µA72 nC @ 10 V±20V2545 pF @ 25 V-2,5W (Ta), 46W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageDirectFET™, isometrisch, M2DirectFET™, isometrisch, M2
8-SOIC
SI4838DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
1 : 3,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,86537 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)12 V17 A (Ta)2,5V, 4,5V3mOhm bei 25A, 4,5V600mV bei 250µA (Min)60 nC @ 4.5 V±8V--1,6W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
TO-252-2
DMP3010LK3-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
1 : 0,93000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,35742 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V8mOhm bei 10A, 10V2,1V bei 250µA59.2 nC @ 4.5 V±20V6234 pF @ 15 V-1,7W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-252-3TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TO-252-2
DMP3010LK3Q-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
1 : 1,00000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,42375 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V8mOhm bei 10A, 10V2,1V bei 250µA59.2 nC @ 4.5 V±20V6234 pF @ 15 V-1,7W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-252-3TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
0
Vorrätig
1 : 1,81000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,79720 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V3,3mOhm bei 22A, 10V2V bei 250µA124 nC @ 10 V±20V9600 pF @ 15 V-1,56W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePG-DSO-88-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
18
Vorrätig
1 : 4,06000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)800 V17 A (Ta)10V290mOhm bei 8,5A, 10V4V bei 850µA32 nC @ 10 V±20V2050 pF @ 300 V-45W (Tc)150°CDurchkontaktierungTO-220SISTO-220-3 voller Pack
TO-220-3
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Toshiba Semiconductor and Storage
0
Vorrätig
1 : 4,41000 €
Stange
Stange
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)800 V17 A (Ta)10V290mOhm bei 8,5A, 10V4V bei 850µA32 nC @ 10 V±20V2050 pF @ 300 V-180W (Tc)150°CDurchkontaktierungTO-220TO-220-3
8-WDFN
NVTFS4C08NTAG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
onsemi
0
Vorrätig
1 : 1,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,63456 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
1 : 1,01000 €
Lose im Beutel
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V5,9mOhm bei 30A, 10V2,2V bei 250µA18.2 nC @ 10 V±20V1113 pF @ 15 V-3,1W (Ta), 31W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage8-WDFN (3,3x3,3)8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SI7636DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
1 : 1,96000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,99431 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V4mOhm bei 25A, 10V3V bei 250µA50 nC @ 4.5 V±20V5600 pF @ 15 V-1,9W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C670NLAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
onsemi
0
Vorrätig
1 : 1,85000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.500 : 0,90868 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V17 A (Ta)4,5V, 10V6,1mOhm bei 35A, 10V2V bei 53µA20 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-61W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
8-WDFN
NVTFS4C08NTWG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
onsemi
0
Vorrätig
5.000 : 0,53222 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
1 : 1,01000 €
Lose im Beutel
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V5,9mOhm bei 30A, 10V2,2V bei 250µA18.2 nC @ 10 V±20V1113 pF @ 15 V-3,1W (Ta), 31W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage8-WDFN (3,3x3,3)8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS4C08NWFTWG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
onsemi
0
Vorrätig
5.000 : 0,68964 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
1 : 1,01000 €
Lose im Beutel
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V5,9mOhm bei 30A, 10V2,2V bei 250µA18.2 nC @ 10 V±20V1113 pF @ 15 V-3,1W (Ta), 31W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage8-WDFN (3,3x3,3)8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS4C08NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
onsemi
0
Vorrätig
1.500 : 0,77779 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
1 : 1,01000 €
Lose im Beutel
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Lose im Beutel
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V5,9mOhm bei 30A, 10V2,2V bei 250µA18.2 nC @ 10 V±20V1113 pF @ 15 V-3,1W (Ta), 31W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage8-WDFN (3,3x3,3)8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SI7636DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
3.000 : 1,39903 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V4mOhm bei 25A, 10V3V bei 250µA50 nC @ 4.5 V±20V5600 pF @ 15 V-1,9W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI4838DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
2.500 : 1,86537 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)12 V17 A (Ta)2,5V, 4,5V3mOhm bei 25A, 4,5V600mV bei 250µA (Min)60 nC @ 4.5 V±8V--1,6W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
SI4368DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
2.500 : 1,93199 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V17 A (Ta)4,5V, 10V3,2mOhm bei 25A, 10V1,8V bei 250µA80 nC @ 4.5 V±12V8340 pF @ 15 V-1,6W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
SI4862DY-T1-E3
MOSFET N-CH 16V 17A 8SO
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
2.500 : 1,99861 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)16 V17 A (Ta)2,5V, 4,5V3,3mOhm bei 25A, 4,5V600mV bei 250µA (Min)70 nC @ 4.5 V±8V--1,6W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Angezeigt werden
1 - 25
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17 A (Ta) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.