Einzelne FETs, MOSFETs

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Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorDiotec Semiconductor AGEPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V7 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)50mA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 30A, 7V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)600mV bei 250µA (Min)600mV bei 500µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)170mW (Ta)178mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/630
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, flacher Anschluss
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
38.495
Vorrätig
1 : 0,15000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02746 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
35.806
Vorrätig
1.770.000
Fabrik
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02802 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
SC-101, SOT-883
SSM3K72KCT,L3F
MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
118.944
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02818 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageCST3SC-101, SOT-883
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
356.398
Vorrätig
90.000
Fabrik
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02849 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.394.408
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02880 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
635.099
Vorrätig
1 : 0,17000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03018 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V190mA (Ta)5V, 10V4,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
83.958
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03078 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
789.811
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03089 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
72.385
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03203 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V220mA (Tj)4,5V, 10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
79.139
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03317 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,3V bei 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.544.014
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03460 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm bei 100mA, 2,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
786.906
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03480 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
560.202
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03602 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,5V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
237.060
Vorrätig
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,03602 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1,1Ohm bei 150mA, 4,5V1V bei 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
504.119
Vorrätig
99.000
Fabrik
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03643 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
96.318
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03643 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,6V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
426.623
Vorrätig
510.000
Fabrik
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,03694 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V310mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.241.891
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03744 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q100OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
356.331
Vorrätig
9.009.000
Fabrik
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03744 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V130mA (Ta)5V10Ohm bei 100mA, 5V2V bei 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
924.061
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03824 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TA)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
884.061
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03867 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageUMT3FSC-85
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
558.291
Vorrätig
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04070 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V170mA (Ta)10V6Ohm bei 170mA, 10V2V bei 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
389.858
Vorrätig
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04111 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.002.348
Vorrätig
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04129 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
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AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
942.269
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04335 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
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AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.