Oberflächenmontage Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 26.060
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGaNPowerGeneSiC Semiconductor
Serie
-*18N20AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)50mA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V0,47mOhm bei 20A, 10V0,48 mOhm bei 50A, 10V0,52mOhm bei 20A, 10V0,52mOhm bei 30A, 10V0,52mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)0.5V @ 250µA500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 11µA600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1.678 pF @ 15 V2.242 pF @ 15 V2.28 pF @ 25 V2.76 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
950µW (Ta)1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad2-PowerTSFN3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, flacher Anschluss
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1.018.635
Vorrätig
1 : 1,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50876 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm bei 100mA, 5V2,5V bei 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
17.684
Vorrätig
1 : 1,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50876 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
266.198
Vorrätig
1 : 1,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,50876 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
176.732
Vorrätig
1 : 1,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,67622 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
51.671
Vorrätig
1 : 1,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,83251 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V3 A (Ta)5V43mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
19.999
Vorrätig
1 : 2,00000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,91489 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
39.407
Vorrätig
1 : 2,00000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,91489 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
21.228
Vorrätig
1 : 2,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,07400 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
22.291
Vorrätig
1 : 2,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,08726 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
26.895
Vorrätig
1 : 2,58000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,18008 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
35.506
Vorrätig
1 : 2,72000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,24637 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V18 A (Ta)5V17mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
161.136
Vorrätig
1 : 2,78000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,27289 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
53.802
Vorrätig
1 : 2,92000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,46304 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)65 V2 A (Ta)5V530mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
8.090
Vorrätig
1 : 3,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,65005 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V60 A (Ta)5V3,6mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
111.563
Vorrätig
1 : 3,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,81505 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V42mOhm bei 7A, 5V2,5V bei 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
18.556
Vorrätig
1 : 4,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,16844 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm bei 33A, 5V2,5V bei 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
114.502
Vorrätig
1 : 4,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,20762 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36 A (Ta)5V7mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
4.173
Vorrätig
1 : 4,45000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,23375 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V48 A (Ta)5V3,8mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
69.507
Vorrätig
1 : 4,58000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 2,42007 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V60 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
24.986
Vorrätig
1 : 5,75000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,88689 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V32 A (Ta)5V8mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
10.365
Vorrätig
1 : 6,45000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 3,23959 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V22 A (Ta)5V25mOhm bei 12A, 5V2,5V bei 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
10.909
Vorrätig
1 : 5,85000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,31482 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V90 A (Ta)5V1,1mOhm bei 50A, 5V2,5V bei 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
91.055
Vorrätig
1 : 5,72000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 3,58688 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V90 A (Ta)5V2,2mOhm bei 29A, 5V2,5V bei 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
4.487
Vorrätig
1 : 6,45000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,41009 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V64A (Ta)5V2,2mOhm bei 30A, 5V2,5V bei 13mA26 nC @ 5 V+6V, -4V3931 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
EPC
16.703
Vorrätig
1 : 6,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 4,03426 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)60 V31 A (Ta)-2,6mOhm bei 30A, 5V2,5V bei 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
Angezeigt werden
1 - 25
von 26.060

Oberflächenmontage Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.