TO-220-2 Einzeldioden

Resultate : 2.044
Hersteller
Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBourns Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorDiotec Semiconductor AGFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGlobal Power Technology-GPT
Serie
-*Amp+™CoolSiC™+DIODESTAR™E-SeriesECOPACK®ECOPACK®2FREDFRED Pt®Gen-IIIGen2
Verpackung
Band & Box (TB)Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
AvalancheFeldeffekt-Gleichrichterdioden (FERD)SchottkySiC (Silicon Carbide) SchottkyStandard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
15 V20 V25 V30 V35 V40 V45 V50 V60 V70 V80 V90 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A2A2,15A3A3,5A4A5A5,4A6A6,5A7A7,5A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
360 mV @ 19 A410 mV @ 19 A420 mV @ 15 A450 mV @ 20 A450 mV @ 25 A460 mV @ 10 A460 mV @ 15 A460 mV @ 38 A480 mV @ 15 A480 mV @ 20 A500 mV @ 10 A500 mV @ 8 A
Geschwindigkeit
Keine Erholzeit > 500mA (Io)Schnelle Erholung =< 500ns, >5A (Io)Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns9.8 ns10 ns11.1 ns11.5 ns11.6 ns12.6 ns13 ns13.7 ns15 ns16 ns17 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 µA @ 100 V1 µA @ 150 V1 µA @ 200 V1 µA @ 300 V1 µA @ 400 V1 µA @ 50 V1 µA @ 600 V1 µA @ 800 V2 µA @ 1200 V2 µA @ 650 V3 µA @ 1200 V3 µA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
3pF bei 900V, 1MHz4pF bei 400V, 1MHz6,3pF bei 0V, 100kHz7pF bei 700V, 1MHz7,7pF bei 100V, 1MHz8,7pF bei 650V, 1MHz9,3pF bei 40V, 1MHz10pF bei 400V, 1MHz11pF bei 10V, 1MHz12pF bei 600V, 1MHz12pF bei 650V, 1MHz16pF bei 650V, 1MHz
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101
Gehäusetyp vom Lieferanten
IITO-220-2IITO-220-2LPG-TO220-2PG-TO220-2-1PG-TO220-2-2TO-220 [K]TO-220TO-220-2TO-220-2LTO-220ABTO-220AC (TO-220-2)TO-220AC (Typ E)
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C bis 125°C-65°C bis 150°C-65°C bis 175°C-65°C bis 180°C-60°C bis 175°C-55°C bis 100°C-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C-50°C bis 175°C-45°C bis 150°C
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
Kapazität bei Vr, F
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
Betriebstemperatur - Übergang
2.320
Vorrätig
1 : 0,79000 €
Stange
Stange
AktivStandard200 V8A975 mV @ 8 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)35 ns5 µA @ 200 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-65°C bis 175°C
TO-220AC
MBR1660
DIODE SCHOTTKY 60V TO220AC
SMC Diode Solutions
19.705
Vorrätig
1 : 0,84000 €
Stange
-
Stange
AktivSchottky60 V-750 mV @ 16 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)-1 mA @ 60 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-55°C bis 150°C
13.104
Vorrätig
1 : 0,92000 €
Stange
Stange
AktivStandard200 V15A1.05 V @ 15 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)35 ns10 µA @ 200 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-65°C bis 175°C
4.534
Vorrätig
1 : 1,09000 €
Stange
-
Stange
AktivSchottky100 V10A800 mV @ 10 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)-100 µA @ 100 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-65°C bis 150°C
9.564
Vorrätig
1 : 1,31000 €
Stange
Stange
AktivStandard1200 V8A4.3 V @ 12 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)95 ns10 µA @ 1200 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-55°C bis 150°C
SWITCHMODE_TO-220-2,TO-220AC
MBR10100G
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2
onsemi
1.985
Vorrätig
1 : 1,39000 €
Stange
Stange
AktivSchottky100 V10A800 mV @ 10 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)-100 µA @ 100 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-65°C bis 175°C
TO-220AC
STTH20R04D
DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC
STMicroelectronics
6.710
Vorrätig
1 : 1,43000 €
Stange
-
Stange
AktivStandard400 V20A1.7 V @ 20 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)45 ns20 µA @ 400 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC175°C (Max)
DSEI25-06A
DSEI8-06A
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
IXYS
8.871
Vorrätig
1 : 1,99000 €
Stange
Stange
AktivStandard600 V8A1.5 V @ 8 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)50 ns20 µA @ 600 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-40°C bis 150°C
TO-220-2
IDH04G65C5XKSA2
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1
Infineon Technologies
1.997
Vorrätig
1 : 2,00000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V4A1.7 V @ 4 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns70 µA @ 650 V130pF bei 1V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2PG-TO220-2-1-55°C bis 175°C
6.897
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Stange
Stange
AktivStandard1200 V16A3.93 V @ 32 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)135 ns20 µA @ 1200 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-55°C bis 150°C
9.137
Vorrätig
1 : 2,23000 €
Stange
Stange
AktivStandard1200 V30A2.5 V @ 30 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)58 ns50 µA @ 1200 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-55°C bis 175°C
DSEI25-06A
DSEI12-12A
DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC
IXYS
7.538
Vorrätig
7.650
Fabrik
1 : 2,70000 €
Stange
-
Stange
AktivStandard1200 V11A2.6 V @ 12 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)70 ns250 µA @ 1200 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-40°C bis 150°C
C2D05120A
C4D02120A
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
901
Vorrätig
1 : 2,95000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V10A1.8 V @ 2 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns50 µA @ 1200 V167pF bei 0V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-55°C bis 175°C
UJ3D06508TS
UJ3D1205TS
DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Qorvo
36.235
Vorrätig
1 : 3,41000 €
Stange
-
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V5A1.6 V @ 5 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns55 µA @ 1200 V250pF bei 1V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-55°C bis 175°C
C2D05120A
C3D06060A
DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
367
Vorrätig
1 : 3,76000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky600 V19A1.8 V @ 6 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns50 µA @ 600 V294pF bei 0V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-55°C bis 175°C
DSEI25-06A
DSEI20-12A
DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC
IXYS
5.182
Vorrätig
1 : 4,12000 €
Stange
-
Stange
AktivStandard1200 V17A2.15 V @ 12 ASchnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)60 ns750 µA @ 1200 V---DurchkontaktierungTO-220-2TO-220AC-40°C bis 150°C
C2D05120A
C3D10060A
DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
3.867
Vorrätig
1 : 5,61000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky600 V30A1.8 V @ 10 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns50 µA @ 600 V480pF bei 0V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH16G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2
Infineon Technologies
1.685
Vorrätig
1 : 5,65000 €
Stange
-
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V34A1.35 V @ 16 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns53 µA @ 420 V783pF bei 1V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2PG-TO220-2-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH10G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1
Infineon Technologies
1.500
Vorrätig
1 : 6,34000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V10A1.8 V @ 10 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns62 µA @ 1200 V525pF bei 1V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2PG-TO220-2-1-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH20G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2
Infineon Technologies
1.993
Vorrätig
1 : 7,07000 €
Stange
-
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V41A1.35 V @ 20 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns67 µA @ 420 V970pF bei 1V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2PG-TO220-2-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH20G65C5XKSA2
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1
Infineon Technologies
1.170
Vorrätig
1 : 7,60000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V20A1.7 V @ 20 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns210 µA @ 650 V590pF bei 1V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2PG-TO220-2-1-55°C bis 175°C
C2D05120A
C4D08120A
DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO220
Wolfspeed, Inc.
730
Vorrätig
1 : 9,83000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V24,5A1.8 V @ 7.5 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns250 µA @ 1200 V560pF bei 0V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH20G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1
Infineon Technologies
1.868
Vorrätig
1 : 10,54000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V56A1.8 V @ 20 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns123 µA @ 1200 V1050pF bei 1V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2PG-TO220-2-1-55°C bis 175°C
C2D05120A
C4D10120A
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
989
Vorrätig
1 : 11,58000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V33A1.8 V @ 10 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)0 ns250 µA @ 1200 V754pF bei 0V, 1MHz--DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-55°C bis 175°C
C2D05120A
E4D10120A
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
491
Vorrätig
1 : 12,96000 €
Stange
Stange
AktivSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V33A1.8 V @ 10 AKeine Erholzeit > 500mA (Io)-200 µA @ 1200 V777pF bei 0V, 1MHzAutomobiltechnik-DurchkontaktierungTO-220-2TO-220-2-55°C bis 175°C
Angezeigt werden
von 2.044

TO-220-2 Einzeldioden


Produkte in der Familie der Einzelgleichrichterdioden werden verwendet, um den Stromfluss in nur ein Richtung zu gestatten. Sie implementieren exakt eine Instanz dieser Funktion pro Komponentengehäuse. Dioden, die für andere Zwecke verwendet werden (einschließlich Zenerdioden und Dioden mit variabler Kapazität), sind separat in eigenen Produktfamilien aufgeführt. Selbiges gilt für Produkte, die mehrere Dioden pro Komponentengehäuse enthalten.