Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Resultate : 41.100
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGaNPower
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Serie
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
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Verpackung
-Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
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Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsoletVorläufig
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FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
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Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
1.2 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V
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Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
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Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
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Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V0,47mOhm bei 20A, 10V0,48 mOhm bei 50A, 10V0,52mOhm bei 20A, 10V0,52mOhm bei 30A, 10V0,53mOhm bei 20A, 10V0,55mOhm bei 25A, 10V
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Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)400mV bei 250µA450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 250µA450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)500mV bei 250µA570mV bei 1mA600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
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Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
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Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1.21 pF @ 150 V1.33 pF @ 400 V1.37 pF @ 800 V1.86 pF @ 15 V2.05 pF @ 30 V2.3 pF @ 15 V2.8 pF @ 30 V3.4 pF @ 25 V3.4 pF @ 30 V3.5 pF @ 15 V3.5 pF @ 30 V
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FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungSuperjunctionTemperaturmessdiode
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Verlustleistung (max.)
1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
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Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)
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Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
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Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
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Gehäuse / Hülle
2-PowerTSFN3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, flacher Anschluss3-SMD, ohne Anschlüsse3-UDFN
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Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
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Herst.-Teilenr.
Preis
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Lieferant
Herst.
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DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
MCAC80N06YA-TP
MCAC80N06YA-TP
MCAC80N06YA-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCAC80N06YA-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MCQ3779-TP
MCQ3779-TP
MCQ3779-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCQ3779-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MOSFET
MCAC130N04 -TP
MOSFET
Aktiv
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCAC130N04-TP-ND
*
Lose im Beutel
Aktiv----------------
MOSFET
MCG04N10Y-TP
MOSFET
Aktiv
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCG04N10Y-TP-ND
*
Lose im Beutel
Aktiv----------------
MOSFET
SIL03N10A-TP
MOSFET
156,15072 €
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
3.000
Nicht auf Lager
353-SIL03N10A-TP-ND
*
Lose im Beutel
Aktiv----------------
MCAC60N150Y-TP
MCAC60N150Y-TP
MCAC60N150Y-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCAC60N150Y-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MCAC10H04Y-TP
MCAC10H04Y-TP
MCAC10H04Y-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCAC10H04Y-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MCAC50N06Y-TP
MCAC50N06Y-TP
MCAC50N06Y-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCAC50N06Y-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MCG18P02A-TP
MCG18P02A-TP
MCG18P02A-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCG18P02A-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MCG30N03-TP-HF
MCG30N03-TP-HF
MCG30N03-TP-HF
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCG30N03-TP-HF-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
BSS123IXTMA1
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
0,39000 €
0 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
448-BSS123IXTMA1TR-ND
448-BSS123IXTMA1CT-ND
448-BSS123IXTMA1DKR-ND
*
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv----------------
MCU01N60-TP
MCU01N60-TP
MCU01N60-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCU01N60-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MCG10N15A-TP
MCG10N15A-TP
MCG10N15A-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCG10N15A-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MCAC70N06Y-TP
MCAC70N06Y-TP
MCAC70N06Y-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCAC70N06Y-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
BSS139IXTMA1
250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
0,46000 €
0 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
448-BSS139IXTMA1TR-ND
448-BSS139IXTMA1CT-ND
448-BSS139IXTMA1DKR-ND
*
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv----------------
MCMG69-TP
MCMG69-TP
MCMG69-TP
Obsolet
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Nicht auf Lager
353-MCMG69-TP-ND
*
Lose im Beutel
Obsolet----------------
MOSFET
MSJPF06N80A-BP
MOSFET
712,61256 €
0 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
5.000
Nicht auf Lager
353-MSJPF06N80A-BP-ND
*
Lose im Beutel
Aktiv----------------
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
0,78000 €
305.471 - Sofort
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
1,08000 €
281.312 - Sofort
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
1,08000 €
71.548 - Sofort
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)15 V3,4 A (Ta)5V30mOhm bei 1,5A, 5V2,5V bei 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
1,66000 €
102.032 - Sofort
EPCEPC
1
917-1202-2-ND
917-1202-1-ND
917-1202-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
1,90000 €
27.890 - Sofort
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
2,00000 €
59.641 - Sofort
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageChipumriss (5 Lötstreifen)Einsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
2,33000 €
37.979 - Sofort
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
2,33000 €
42.297 - Sofort
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
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