TO-252-2 Einzeldioden

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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
Kapazität bei Vr, F
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
Betriebstemperatur - Übergang
E4D02120E-TR
E4D02120E-TR
DIODE SIL CARB 1200V 8A TO2522
Wolfspeed, Inc.
0
Vorrätig
Obsolet
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Obsolet
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
8A
1.8 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
153pF bei 0V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252-2
TO-252-2
-55°C bis 175°C
FC12002A
FC12002A
DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252
fastSiC
0
Marktplatz
Aktiv
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.55 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
11pF bei 800V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-2
TO-252 (DPAK)
-55°C bis 175°C
FC06006A
FC06004A
DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
fastSiC
0
Marktplatz
Aktiv
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
4A
1.75 V @ 4 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
1 µA @ 520 V
10pF bei 400V, 1MHz
-
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252-2
TO-252 (DPAK)
-55°C bis 175°C
FC06006A
FH06004A
DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
fastSiC
0
Marktplatz
Aktiv
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
4A
1.55 V @ 4 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
0.6 µA @ 520 V
16pF bei 400V, 1MHz
-
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252-2
TO-252 (DPAK)
-55°C bis 175°C
FC06006A
FC06008A
DIODE SIL CARB 650V 8A TO-252
fastSiC
0
Marktplatz
Aktiv
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
8A
1.85 V @ 8 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
2 µA @ 520 V
18pF bei 400V, 1MHz
-
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252-2
TO-252 (DPAK)
-55°C bis 175°C
FC06006A
FC06006A
DIODE SIL CARB 650V 6A TO-252
fastSiC
0
Marktplatz
Aktiv
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
6A
1.85 V @ 6 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
0.8 µA @ 520 V
15pF bei 400V, 1MHz
-
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252-2
TO-252 (DPAK)
-55°C bis 175°C
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Typen von Gleichrichterdioden

    Standard-Gleichrichterdioden
  • Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

  • Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
    Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

  • Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
    Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

  • Avalanche-Dioden
    Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.
    • Bei der schnell schaltenden Gleichrichtung werden Avalanche-Dioden manchmal gegenüber Standard-PN-Dioden bevorzugt, da sie ein besseres Sperrverhalten aufweisen, was die Schaltverluste verringert und den Gesamtwirkungsgrad des Wandlers verbessert. Aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Sperrspannungstransienten ohne Beeinträchtigung standzuhalten, eignen sie sich besonders für Snubber-Schaltungen, Sperrwandler und hart geschaltete Topologien.

  • Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
    SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.